2020年和2021年晶圓制造產能相當吃緊，在產能為王的時期，IDM運營的公司具有相當的產能保證，可以有很大的騰挪空間。IDM手握充裕的產能，將是打擊競爭對手的大殺器。

芯思想研究院為您梳理了全球19家公司30個新增或擴產項目的情況，不包括存儲擴產項目。

最緊缺的是高壓MOS產能，這個是IDM公司最具實力的。

代工產能最快也得2022年開始釋放。

士蘭微

士蘭集科：2021年將加大工藝設備采購力度、加快工藝設備安裝和調試，爭取在2021年四季度形成月產12英寸3萬片的生產能力。士蘭集科一期于2020年12月21日正式投產。

士蘭集昕：2020年士蘭集昕8英寸月產能已經超過6萬片，今年將有望達產8萬片。

華潤微

華潤微計劃在重慶建設第一條12英寸產線，預計在2022年可以實現產能貢獻。規劃月產能為3萬片，未來將全部用于生產自有功率器件產品。

博世

2021年3月，博世德累斯頓晶圓廠首批硅片下線，為下半年正式啟動生產運營奠定基礎，該晶圓廠投入運營后，主攻車用芯片制造。

博世德累斯頓晶圓廠從2018年6月開始施工建設，2019年下半年完成外部施工，2020年安裝調試生產設備，2021年1月開始進行首批晶圓的制備。

德州儀器

2021年完成德克薩斯州理查德森（Richardson）12英寸晶圓廠廠房建設，預計2023年至2025年達產。

該項目始于2019年，但由于低迷的半導體市場，進展不如預期順利。

華虹無錫

2021年4月19日，無錫市發展和改革委員會網站公布了無錫華虹集成電路一期擴能項目情況，同時無錫華虹集成電路一期擴能項目已入選無錫2021市重點產業項目。

無錫華虹集成電路一期擴能項目單位為華虹半導體（無錫）有限公司，計劃總投資52億元，將形成一條工藝等級90-65/55nm、月產能達到6.5萬片的12英寸特色工藝集成電路芯片生產線。

項目建設起止年限為2021年，當年計劃投資為52億元。

中芯國際

2021年2月5日，中芯國際聯合CEO趙海軍在2020年第四季度電話財報會議上指出，公司在2021年將繼續保持滿載運行，有序推動28nm及以上的擴產計劃，同時保證一定的盈利能力。

趙海軍指出，目前全球晶圓代工產能十分緊張，主要因為市場需求增長遠超預期，同時晶圓廠的擴產速度相對緩慢。

關于中芯國際的擴產計劃，趙海軍透露，中芯國際2021年的12英寸月產能將擴充1萬片，8英寸的月產能將擴充4.5萬片。不過，由于整體擴產將在下半年完成，因此擴產不會對營收帶來顯著增長。

同時中芯國際還有兩大新廠計劃：

中芯京城項目：中芯控股、國家大基金二期和亦莊國投三方合資投建，一期項目計劃投資76億美元，約合人民幣500億元，建設規模約為24萬平方米，最終達成每月約10萬片的12英寸晶圓產能，計劃2024年完工。

中芯深圳：2021年3月17日，中芯國際發布公告稱，將和深圳政府擬以建議出資的方式，經由中芯深圳進行項目發展和營運，重點生產28納米及以上的集成電路并提供技術服務，旨在實現最終每月約4萬片12英寸晶圓的產能。預期將于2022年開始生產。待最終協議簽訂后，項目的新投資額估計為23.5億美元，折合人民幣約為153億元。

晶合集成

晶合集成N1廠已經實現滿載。

N2廠的建設正在有條不紊地推進中，將于2021年完成無塵室建設和生產機臺入駐，在2022年底實現1萬片/月生產規模。規劃月產能為4萬片12英寸晶圓，主要從事55納米代工制程的量產，同時開展40納米工藝制程的開發。

N3廠規劃提上日程，計劃建置16萬片產線生產無塵室。

粵芯半導體

二期投資65億元，新增月產能20000片；專注于55-90nm模擬工藝平臺，生產高精度數模轉換芯片、高端電源管理芯片、光學傳感器、車載及生物傳感芯片等產品；計劃2021年投資14億元，完成無塵車間裝修、設備安裝以及生產輔助設施建設。

海辰半導體

主要從事CIS（攝像電路）、DDI（驅動電路）、PMIC（電源管理集成電路）及NAND存儲器等代工業務，也正在開發邏輯、MEMS和混合信號芯片等新的代工業務。

2020年第四季開展商業化生產；

2021年有望形成月產5萬片產能；

2022年達產11.5萬片。

臺積電

南京：2021年4月22日，臺積電宣布28.87億美元投資，在南京廠擴充月產2萬片28nm及以上工藝產能。引來國內一片討論聲。

2021年臺積電資本開支由年初的250億美元至280億美元提升至300億美元，其中約80%將用于3納米、5納米和7納米等先進工藝；約10%分配給先進封裝和光罩；約10%用于特殊工藝。

臺積電準備在美國亞利桑那州投資數百億美元建設一座先進的芯片晶圓工廠，主要用于生產5nm芯片。5nm新廠規劃月產能2萬片，2021年動工，2024年左右量產，2021年至2029年，支出（包括資本支出）約120億美元。

聯電

2021年資本支出金額23億美元，其中85%用于12英寸產能擴產，15%用于8英寸產能擴產。

12英寸產能擴充包括，15美元用以南科廠FAB12P5廠區28納米1萬片產能，其他資金用以廈門聯芯12英寸28納米產能。

與多家客戶攜手合作，客戶以支付預付款（或者產能保證金）的形式，所得資金用以擴充FAB12P6廠區產能，約3萬片28納米HKMG產能，預計在2023年第2季度實現量產。

力積電

2021年3月25日，力積電開工新建一座12英寸晶圓廠，總投資新臺幣 2780 億元，總產能每月 10 萬片，將自 2023 年起分期投產，以成熟制程1x到50nm為主。

世界先進

世界先進宣布以新臺幣9.05億元（約合人民幣2.1億元）的價格購買友達位于臺灣竹科的L3B廠房。待改造完成后，成為世界先進的第五座8 英寸晶圓廠，月產能預計4萬片8英寸晶圓。L3B廠房交割日訂為2022 年1 月1 日。也就是說，如果一切順利，世界先進第五座最快也要等到2023年出貨。

格芯

2021年2月17日，格芯宣布為解決全球半導體供應緊缺的問題，已決定與美國國防部（DoD）達成戰略合作伙伴關系，將在美國紐約北部馬耳他擴建FAB8工廠，生產美國所需要的芯片。FAB8附件的66英畝地塊已經于2020年6月獲得。新工廠最快于2023年啟用。

同時格芯表示，還將投資14億美元以提升其在美國、新加坡和德國的三家晶圓代工廠產能，14億美元將在2022年前投入使用，以增加生產12納米至90納米的芯片產能。

三星

2021年3月4日三星在提交給得克薩斯州官員的文件中透露了擴大在美芯片制造業務的計劃，預計將在該項目上投資170億美元。

該公司表示，預計的項目成本包括用于建筑和物業升級的51億美元，以及用于設備的99億美元。

相關供應鏈也已經證實三星將擴建位于美國德州奧斯丁的S2晶圓廠，新擴建晶圓廠將采用EUV曝光設備。

英特爾

英特爾計劃投資約200億美元在美國亞利桑那州的Octillo園區新建兩座晶圓廠。新晶圓廠將為英特爾現有產品和客戶不斷擴大的需求提供支持，并為代工客戶提供所承諾的產能。