HBM3營收增長5倍!SK海力士2023年第四季扭虧為盈
1月25日,韓國存儲芯片大廠SK海力士發布了截至2023年12月31日的2023年第四季及2023年全年財報。
其中,第四季營收同比增長47%至11.3055萬億韓元,高于分析師預期的10.4萬億韓元;毛利潤為2.23億韓元,同比大增9404%,毛利潤率為20%,為連續第三個季度回升;營業利潤為3460億韓元(約合人民幣18.54以元),好于分析師預期的虧損1699.1億韓元,營業利潤率為3%;凈虧損為1.3795萬億韓元(約合人民幣73.94億元),優于分析師預期的虧損0.41萬億韓元,但較前一季度虧損大幅縮窄,凈虧損率為12%。EBITDA(稅息折舊及攤銷前利潤)為3.58億韓元,同比增長99%。
SK海力士指出,隨著存儲芯片市場需求的反彈,2023年第四季的營業利潤達到了3460億韓元,成功實現單季扭虧為盈,這代表著SK海力士僅花費一年時間,就成功擺脫了從2022年第四季以來一直持續的營業虧損情況。
SK海力士強調,2023年第四季用于AI服務器和移動端的產品需求成長,使得平均售價(ASP)上升,讓存儲市場環境有所改善。與此同時,SK海力士持續實施以獲利為主的經營計劃發揮了效果。
從2023年全年業績來看,SK海力士累計2023年合并營收為32.7657萬億韓元,營業虧損為7.7303萬億韓元,凈虧損為9.1375萬億韓元。整體來說,2023年營業虧損率為24%,凈虧損率為28%。
SK海力士表示,2023年在DRAM方面,公司以引領市場的技術實力積極應對了客戶需求,公司主力產品DDR5 DRAM和HBM3的營收較2022年分別成長4倍和5倍以上。另外,對于市場需求復蘇相對緩慢的NAND Flash閃存市場,經營計劃主要集中于投資和費用的效率化。
為了順應高性能DRAM需求的成長趨勢,SK海力士繼續推進用于AI的內存芯片HBM3E的量產和HBM4的研發,同時將DDR5 DRAM和LPDDR5T DRAM等高性能、高容量產品及時供應于服務器和移動端市場。而且,公司為了應對持續成長的AI服務器需求和邊緣AI運算應用普及,將為準備高容量服務器模塊MCRDIMM和移動端模塊LPCAMM2竭盡全力發展,由此持續保持技術領先優勢。在NAND Flash閃存方面,SK海力士則是決定通過以eSSD等高階產品為主擴大銷售,改善獲利,并加強內部管理。
展望2024年,SK海力士預計2024年資本開支將較上年增加,今年將把資本開支的增幅最小化。
SK海力士預計,2024年一季度DRAM BIT環比增速將位于10%-20%區間的中部,NAND BIG環比增速將位于0%-10%區間的中部,NAND BIT環比增速將位于0%-10%區間的中部。
SK海力士強調,2024年的經營策略將會與2023年一樣,以高附加值產品為主擴大生產,維持提升獲利能力和效率的政策,同時達成資本支出的最小化,注重于業務的穩定運營。
SK海力士財務擔當副社長(CFO)金佑賢表示,盡管市場長期低迷,但公司鞏固了在用于AI的內存等技術領域的領先地位,并在2023年第四季達成轉虧為盈,業績開始全面反彈。面對新的飛躍時期,公司將引領變革,并提供為客戶客制化的解決方案,成長為整合AI內存提供者。
編輯:芯智訊-林子
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