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內置高壓MOS管和高壓啟動的AC/DC電源控制芯片

- 一、芯片介紹繼推出5W和20W的開關電源控制IC后,為滿足客戶對更多功率段的需求,金升陽推出內置高壓MOS管和高壓啟動的AC/DC電源控制芯片——SCM1738ASA。SCM1738ASA是一款內置高壓MOS 管功率開關的原邊控制開關電源(PSR),采用PFM 調頻技術,提供精確的恒壓/恒流(CV/CC)控制環(huán)路,穩(wěn)定性和平均效率非常高。由于集成高壓啟動,可以省去外圍的啟動電阻,實現(xiàn)低損耗可靠啟動。同時,該芯片具有可調節(jié)線性補償功能和內置峰值電流補償功能,輸出功率最大可達8W。二、產品應用可廣泛應用于AC
- 關鍵字: MOSFET PSR IC RFM
多重因素交織,從CITE 2020看中國集成電路如何“乘風破浪”

- 第八屆中國電子信息博覽會(英文簡稱“CITE 2020”)將于2020年8月14-16日在深圳會展中心舉行,CITE2020距離上一屆中國電子信息博覽會已經(jīng)過去一年帶三個月。多出的三個月可謂風雨交加,新冠疫情的爆發(fā)對中國乃至全球集成電路造成一定影響,而CITE 2020的舉辦釋放著產業(yè)復工復產、穩(wěn)步前行、尋找新機遇等多重信號。不止疫情,一年多時間來,中國集成電路產業(yè)面臨復雜國際形勢以及新基建、科創(chuàng)板等危與機。多重因素交織下的CITE 2020,上演了一出中國集成電路“乘風破浪”的好戲。多出好“戲”“好戲”
- 關鍵字: 預測 CITE 2020 新基建 IC
東芝與MikroElektronika展開合作,為電機驅動IC開發(fā)評估板

- 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)近日宣布,與MikroElektronika(“Mikroe”)合作推出基于東芝電機驅動IC的Click boards?開發(fā)評估板。Mikroe是一家設計和制造用于嵌入式系統(tǒng)開發(fā)的軟硬件工具的公司。客戶現(xiàn)在可通過由Mikroe制造和銷售的評估板Click boards?對東芝電機驅動IC進行評估。東芝高度集成的電機驅動IC擁有四十多年的歷史,因得到電機控制系統(tǒng)的普遍采用而在業(yè)界廣受推崇。為控制多種應用中的直流有刷電機、直流無刷電機和步進電機,東芝提供豐富的電機驅動
- 關鍵字: NVM IC MOSFET
5A、3.3V和5V電源符合嚴格的EMI輻射標準

- 嚴苛的汽車和工業(yè)環(huán)境中的噪聲敏感型應用需要適用于狹小空間的低噪聲、高效率降壓穩(wěn)壓器。通常會選擇內置MOSFET功率開關的單片式降壓穩(wěn)壓器,與傳統(tǒng)控制器IC和外部MOSFET相比,這種整體解決方案的尺寸相對較小??稍诟哳l率(遠高于AM頻段的2 MHz范圍內)下工作的單片式穩(wěn)壓器也有助于減小外部元件的尺寸。此外,如果穩(wěn)壓器的最小導通時間(TON)較低,則無需中間穩(wěn)壓,可直接在較高的電壓軌上工作,從而節(jié)約空間并降低復雜性。減少最小導通時間需要快速開關邊沿和最小死區(qū)時間控制,以有效減少開關損耗并支持高開關頻率操作
- 關鍵字: EMI FET AM SSFM PWM IC MOSFET
GaN 器件的直接驅動配置

- 受益于集成器件保護,直接驅動GaN器件可實現(xiàn)更高的開關電源效率和更佳的系統(tǒng)級可靠性。高電壓(600V)氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)的開關特性可實現(xiàn)提高開關模式電源效率和密度的新型拓撲。GaN具有低寄生電容(Ciss、Coss、Crss)和無第三象限反向恢復的特點。這些特性可實現(xiàn)諸如圖騰柱無橋功率因數(shù)控制器(PFC)等較高頻率的硬開關拓撲。由于它們的高開關損耗,MOSFET和絕緣柵雙極晶體管(IGBT)實現(xiàn)此類拓撲。本文中,我們將重點介紹直接驅動GaN晶體管的優(yōu)點,包括更低的開關損耗、更佳
- 關鍵字: MOSFET HEMT GaN PFC IGBT IC
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