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是誰在拉動嵌入式存儲的技術革新和市場擴張?

  • 近年來,受到全球半導體產能短缺、新冠疫情以及季節性需求等因素的影響,存儲器件的價格呈現出較大的波動態勢。 J.P. Morgan, Gartner and Deloitte等主要行業分析機構的分析師都預測了半導體產能的短缺將持續整個2022年,甚至更長。根據WSTS的數據分析,2022年全球存儲器件市場的規模將達到1716.82億美元,較之前預估的2022年增加135.21億美元,同比增長將會達到8.5%。 圖 | WSTS的電子元器件市場預測(2021年11月)圖源:WSTS&nbs
  • 關鍵字: 嵌入式存儲  X-FAB  NVM  

Dialog宣布其FusionHD? NOR閃存兼容并已在SmartBond?低功耗藍牙無線MCU平臺上認證

  • 領先的電池管理、AC/DC電源轉換、Wi-Fi、低功耗藍牙(BLE)、工業IC供應商 Dialog半導體公司 近日宣布,其收購Adesto Technologies后新增的產品FusionHD? NOR閃存完全兼容并可與Dialog的SmartBond? DA1469x低功耗藍牙(BLE)微控制器(MCU)搭配使用。采用該組合解決方案,客戶將能在廣泛的工業和聯網消費類應用中部署最新的低功耗藍牙技術,同時將功耗控制在極低水平。Dialog半導體公司工業事業部副總裁Raphael Mehr
  • 關鍵字: NVM  BLE  IC  SNC  

Dialog宣布其EcoXiP? Octal xSPI閃存兼容瑞薩高性能RZ/A2M微處理器

  • 領先的電源管理、充電、AC/DC電源轉換、Wi-Fi、低功耗藍牙(BLE)技術供應商 Dialog半導體公司 今天宣布,其收購Adesto Technologies后新增的產品EcoXiP? octal xSPI非易失性存儲器(NVM)已經過優化,將與瑞薩電子基于Arm?的 RZ/A2M 微處理器(MPU)搭配使用。RZ/A2M是專為智能家電、服務機器人、工業機器等應用中的嵌入式AI高速圖像處理而設計,業內功耗最低的octal xSPI NOR閃存器件EcoXiP將
  • 關鍵字: MPU  BLE  NVM  DRP  AI  

東芝與MikroElektronika展開合作,為電機驅動IC開發評估板

  • 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)近日宣布,與MikroElektronika(“Mikroe”)合作推出基于東芝電機驅動IC的Click boards?開發評估板。Mikroe是一家設計和制造用于嵌入式系統開發的軟硬件工具的公司。客戶現在可通過由Mikroe制造和銷售的評估板Click boards?對東芝電機驅動IC進行評估。東芝高度集成的電機驅動IC擁有四十多年的歷史,因得到電機控制系統的普遍采用而在業界廣受推崇。為控制多種應用中的直流有刷電機、直流無刷電機和步進電機,東芝提供豐富的電機驅動
  • 關鍵字: NVM  IC  MOSFET  

Dialog推出首款針對電機驅動應用的高壓GreenPAK? IC

  • 高度集成電池管理、AC/DC電源轉換、Wi-Fi、低功耗藍牙(BLE)和工業IC供應商 近日宣布,推出其首款電機驅動可配置混合信號IC(CMIC)SLG47105,該器件同時提供了可配置邏輯和可配置模擬的獨特優勢,具有高電壓輸出,采用小型2 x 3 mm QFN封裝。SLG47105是被廣泛采用的Dialog GreenPAK產品系列的最新成員。該器件為設計工程師提供了更經濟有效的一次非易失性存儲器(NVM)可編程選項,有助于其在設計消費和工業電機應用時,同時集成數字和模擬系統功能,并大幅地減少外部元件的
  • 關鍵字: CMIC  BOM  NVM  

KilopassAnti-Fuse NVM OTP IP被瀾起科技采用,以瞄準新興市場環境之新一代機頂盒芯片

  •   半導體邏輯反熔絲(anti-fuse)非易失性存儲器(NVM)一次性可編程(OTP)知識產權(IP)的領先供應商Kilopass Technology Inc.今天宣布其高容量NVMOTP已被設計入瀾起科技(Montage Technology Group Limited)瞄準具有挑戰性運營條件的新興市場環境之新一代機頂盒芯片。Kilopass的反熔絲(anti-fuse)非易失性存儲器(NVM)一次性可編程(OTP)知識產權(IP)提供了HDMI和條
  • 關鍵字: 瀾起  NVM  

嵌入式NVM與電源管理

  • 嵌入式NVM與電源管理,轉向更為邏輯的NVM

    盡管當今的設計工程師可以選擇多種NVM,但是,具有低成本、高性能和應用靈活性的嵌入式NVM卻很少。對于某些應用目標,排除了許多選擇的可能性。例如,盡管傳統的激光熔絲可能適合于單一數字位
  • 關鍵字: 管理  電源  NVM  嵌入式  

Kilopass把單次可編程型NVM專利授權給中芯國際

  •   非易失性存儲芯片(NVM)專利廠商Kilopass公司本周二宣布,將把自己一項有關單次可編程型NVM產品專利授權給中芯國際使用,中芯國際將使用55nm制程技術制造使用這項專利技術的NVM存儲芯片。  
  • 關鍵字: 中芯國際  NVM  

嵌入式NVM在電源管理中的應用

  • 嵌入式NVM在電源管理中的應用,轉向更為邏輯的NVM

    盡管當今的設計工程師可以選擇多種NVM,但是,具有低成本、高性能和應用靈活性的嵌入式NVM卻很少。對于某些應用目標,排除了許多選擇的可能性。例如,盡管傳統的激光熔絲可能適合于單一數字位
  • 關鍵字: 應用  管理  電源  NVM  嵌入式  

KILOPASS推出適用于尖端SOC芯片的嵌入式邏輯非易失性內存IP

  •   業界領先的半導體邏輯非易失性內存(NVM)知識產權模塊(IP)的供應商,Kilopass 科技公司,今天發布了業界第一也是迄今唯一一個4兆比特的非易失性內存半導體IP--Gusto。Gusto是唯一足以儲存傳統上被存儲在外部串行閃存和EEPROM芯片上的固件及啟動代碼的NVM IP。對于一些對成本、功耗和面積因素比較敏感的應用,包括移動應用處理器和多媒體處理器,以及高安全性應用如移動銀行和有條件接收,它都是理想的選擇。Kilopass已經在三個頂級代工廠——IBM,TSMC和U
  • 關鍵字: KILOPASS  NVM  IP  

非易失性半導體存儲器的相變機制

  •   非易失性存儲器(NVM)在半導體市場占有重要的一席之地,特別是主要用于手機和其它便攜電子設備的閃存芯片。今后幾年便攜電子系統對非易失性存儲器的要求更高,數據存儲應用需要寫入速度極快的高密度存儲器,而代碼執行應用則要求存儲器的隨機訪存速度更快。   經過研究人員對浮柵存儲技術的堅持不懈的研究,現有閃存的技術能力在2010年底應該有所提升,盡管如此,現在人們越來越關注有望至少在2020年末以前升級到更小技術節點的新式存儲器機制和材料。   目前存在多種不同的可以取代浮柵概念的存儲機制,相變存儲器(PC
  • 關鍵字: 恒憶  NVM  存儲器  浮柵存儲  

中芯國際采用Virage Logic公司AEON嵌入式 MTP NVM

  •   半導體業界值得信賴的 IP 合作伙伴 Virage Logic 公司和中芯國際集成電路制造有限公司(“中芯國際”)今日宣布了一項多次可編程 (MTP) 的非易失性存儲器 (NVM) 解決方案的射頻識別 (RFID) 優化版本。該優化射頻識別 (RFID) NVM解決方案,適用于無源電子標簽,正在中芯國際180納米 (nm) 低漏電 (LL) 工藝技術中開發,能夠提供高性能射頻。   Virage Logic 公司的 AEON/MTP RFID 是基于標準的單柵邏輯 CMOS
  • 關鍵字: 中芯國際  MTP  NVM  RFID  

嵌入式NVM提高電源管理的靈活性

  • 嵌入式NVM提高電源管理的靈活性,熱門電子市場都有一個共同特點(例如RF、顯示驅動、安全媒體和電源管理):它們都在極短的市場窗口內運作,并競相推出各種增值的差異化產品來點燃實際的增長。但是,它們也共享其它重要的屬性:具有許多應用、更具有成本效益或通過集成小計數位(small bit-count)多次編程非易失性存儲器(NVM)而提高了性能。此外,嵌入式NVM對提高可制造性、縮短上市時間及提高產品質量有所貢獻。很顯然,嵌入式NVM是這些競爭異常激烈的市場的主要競賽贏家。電源管理也不例外,但是,正如我們所看到
  • 關鍵字: 管理  靈活性  電源  提高  NVM  嵌入式  

華虹NEC完成Cypress的0.13微米NVM技術授權

  •   上海,中國—圣何塞,加利福尼亞,3月24日,2008—賽普拉斯半導體公司(紐交所代碼:CY)和上海華虹NEC電子有限公司(華虹NEC)今天共同宣布, Cypress的0.13微米嵌入式非揮發性存儲器(NVM)技術已經在華虹NEC獲得成功驗證。始于2006年12月的技術授權項目已經順利完成。   與Cypress歷經14個月的默契協作,華虹NEC完成了所有的新設備安裝、工藝轉移以及閃存模塊IP的設計,達到了對于Cypress相對較高的成品率,并且都通過了工藝驗證。Cypress
  • 關鍵字: NVM  

鐵電存儲器1T單元C-V特性的計算機模擬

  •   鐵電存儲器同時具備可存儲大量資料的動態隨機存儲器DRAM)與高速運作的靜態隨機存儲器(SRAM)的優點,且在斷電后,資料不會消失,亦具備快閃存儲器的優點。在所有非易失性存儲器(NVM)中,鐵電存儲器件被認為是最有吸引力的用于IT的存儲器件之一[1]。1T單元體積更小,集成度更高。特別是這種方式易于實現多值存儲,在相同規模下可以達到更高的存儲容量,因而在提高性價比方面具有極大的優勢。   為了系統地從理論上研究鐵電存儲器IT單元特性,米勒首先提出了數學模型[2]。后人也有用實驗數據、依據實驗數據得到的
  • 關鍵字: 存儲器  SRAM  NVM  存儲器  
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