中國 北京，2024 年 2 月 29 日——全球領先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo?（納斯達克代碼：QRVO）近日宣布推出四款采用緊湊型 E1B 封裝的 1200V 碳化硅（SiC）模塊，其中兩款為半橋配置，兩款為全橋配置，導通電阻 RDS(on) 最低為 9.4mΩ。全新的高效率 SiC 模塊非常適合電動汽車充電站、儲能、工業電源和太陽能等應用。Qorvo SiC 電源產品線市場總監 Ramanan Natarajan 表示：“該全新系列中的模塊可以取代多達四個分立式 SiC FET，從而簡化
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Qorvo 1200V SiC模塊 SiC
激光探測及測距 (LiDAR) 的應用包括自主駕駛車輛、無人機、倉庫自動化和精準農業。在這些應用中，大多都有人類參與其中，因此人們擔心 LiDAR 激光可能會對眼睛造成傷害。為防止此類傷害，汽車 LiDAR 系統必須符合 IEC 60825-1 1 類安全要求，同時發射功率不超過 200 W。通用解決方案一般采用 1 至 2 ns 脈沖，重復頻率為 1 至 2 MHz。這很有挑戰性，因為需要使用微控制器或其他大型數字集成電路 (IC) 來控制激光二極管，但又不能直接驅動它，這樣就必須增加一個柵極
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自主駕駛 LiDAR GaN FET
本文的關鍵要點各行各業的工廠都在擴大生產線的智能化程度，在生產線上的裝置和設備旁邊導入先進信息通信設備的工廠越來越多。要將高壓工業電源線的電力轉換為信息通信設備用的電力，需要輔助設備用的高效率電源，而采用內置1700V耐壓SiC MOSFET的AC-DC轉換器IC可以輕松構建這種高效率的輔助電源。各行各業加速推進生產線的智能化如今，從汽車、半導體到食品、藥品和化妝品等眾多行業的工廠，既需要進一步提升生產效率和產品品質，還需要推進無碳生產（降低功耗和減少溫室氣體排放）。在以往的制造業中，提高工廠的生產效率和
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電力轉換 SiC MOSFET
回首2023年，盡管全球供應鏈面臨多重挑戰，但我們看到了不少閃光點，比如AIGC的熱潮、汽車電子的火爆，以及物聯網的小跑落地……今天，安森美(onsemi)碳化硅技術專家牛嘉浩先生為大家帶來了他對過去一年的經驗總結和對新一年的展望期盼。汽車產業鏈中的困難與挑戰在過去一年中，汽車芯片短缺、全球供應鏈的復雜性和不確定性及市場需求的變化，可能是汽車產業鏈最為棘手的難題，汽車制造商需要不斷調整生產和采購策略以應對潛在的風險和瓶頸。隨著更多傳統車企和新興造車勢力進入新能源汽車市場，競爭壓力加大，汽車制造商需要不斷提
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智能電源 智能感知 汽車領域 SiC
電力電子應用希望納入新的半導體材料和工藝。
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GaN SiC
回首2023，碳化硅和氮化鎵行業取得了哪些進步？出現了哪些變化？2024將迎來哪些新機遇和新挑戰？為更好地解讀產業格局，探索未來的前進方向，行家說三代半、行家極光獎聯合策劃了《行家瞭望——2024，火力全開》專題報道。本期嘉賓是意法半導體亞太區功率分立和模擬產品器件部市場和應用副總裁Francesco MUGGERI（沐杰勵）。全工序SiC工廠今年投產第4代SiC MOS即將量產行家說三代半：據《2023碳化硅（SiC）產業調研白皮書》統計，2023年全球新發布碳化硅主驅車型又新增了40多款，預計明年部分
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意法半導體 SiC
2月1日消息，近日，浙江嘉興平湖市政府公示了“年產90萬片功率模塊、45萬片PCBA板和20萬臺電機控制器”建設項目規劃批前公告。據披露，該項目建設單位為臻驅科技的全資子公司——臻驅半導體（嘉興）有限公司，臻驅半導體擬投約資6.45億元在平湖市經濟技術開發區新明路南側建造廠房用于生產及研發等，項目建筑面積達45800m2。公開資料顯示，臻驅科技成立于2017年，是一家提供國產功率半導體及新能源汽車驅動解決方案的公司，總部位于上海浦東，在上海臨港、廣西柳州、浙江平湖及德國亞琛（Aachen）等地布局了多家子
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功率模塊 碳化硅 SiC
中國 北京，2024 年 1 月 30 日——全球領先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo?（納斯達克代碼：QRVO）今日宣布一款符合車規標準的碳化硅（SiC）場效應晶體管（FET）產品；在緊湊型 D2PAK-7L 封裝中實現業界卓越的 9mΩ 導通電阻 RDS(on)。此款 750V SiC FET 作為 Qorvo 全新引腳兼容 SiC FET 系列的首款產品，導通電阻值最高可達 60mΩ，非常適合車載充電器、DC/DC
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Qorvo SiC FET 電動汽車
眾所周知，提高 SiC 晶圓質量對制造商來說非常重要，因為它直接決定了 SiC 器件的性能，從而決定了生產成本。然而，具有低缺陷密度的 SiC 晶圓的生長仍然非常具有挑戰性。SiC 晶圓制造的發展已經完成了從100毫米（4英寸）到150毫米（6英寸）晶圓的艱難過渡，正在向8英寸邁進。SiC 需要在高溫環境下生長，同時具有高剛性和化學穩定性，這導致生長的 SiC 晶片中晶體和表面缺陷的密度很高，導致襯底質量和隨后制造的外延層質量差?。本篇文章主要總結了?SiC 生長過程及各步驟造成的缺陷
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SiC 晶圓
宜普電源轉換公司（EPC）推出三款激光驅動器電路板，這些板采用了符合AEC-Q101認證標準、快速轉換的GaN FET以實現具備卓越性能的激光雷達系統。EPC推出三款評估板，分別是EPC9179、EPC9181和EPC9180，它采用75 A、125 A、231 A脈沖電流激光驅動器和通過車規級AEC-Q101認證的EPC GaN FET - EPC2252、EPC2204A 和EPC2218A。它比前代氮化鎵器件的體積小30%和更具成本效益。這些電路板專為長距離和
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EPC GaN FET 激光二極管
加利福尼亞州戈萊塔 – 2024 年 1 月 17 日 — 全球領先的氮化鎵（GaN）功率半導體供應商 Transphorm, Inc.（納斯達克：TGAN）今日宣布推出兩款采用 4 引腳 TO-247 封裝（TO-247-4L）的新型 SuperGaN? 器件。新發布的 TP65H035G4YS 和 TP65H050G4YS FET 器件分別具有 35 毫歐和 50 毫歐的導通電阻，并配有一個開爾文源極端子，以更低的能量損耗為客戶實現更全面的開關功能。新
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Transphorm 高功率服務器 工業電力轉換 氮化鎵場效應晶體管 碳化硅 SiC
1 轉型成功的2023得益于成功的戰略轉型，在汽車和工業市場增長的
推動下，安森美在 2023 年前 3 季度的業績都超預期。
其中，第一季度由先進駕駛輔助系統 (ADAS) 和能源基
礎設施終端市場帶來的收入均同比增長約 50%，在第
二季度汽車業務收入超 10 億美元，同比增長 35%，創
歷史新高，第三季度汽車和工業終端市場都實現創紀錄
收入。安森美大中華區銷售副總裁Roy Chia2 深入布局碳化硅領域在第三代半導體領域，安森美專注于 SiC，重點聚
焦于汽車、能源、電網基礎設施等應
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安森美 第三代半導體 碳化硅 SiC
意法半導體與理想汽車簽署碳化硅長期供貨協議。
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SiC
過去，仿真的基礎是行為和具有基本結構的模型。這些模型使用的公式我們在學校都學過，它們主要適用于簡單集成電路技術中使用的器件。但是，當涉及到功率器件時，這些簡單的模型通常無法預測與為優化器件所做的改變相關的現象。當今大多數功率器件不是橫向結構，而是垂直結構，它們使用多個摻雜層來處理大電場。柵極從平面型變為溝槽型，引入了更復雜的結構，如超級結，并極大地改變了MOSFET的行為。基本Spice模型中提供的簡單器件結構沒有考慮所有這些非線性因素。現在，通過引入物理和可擴展建模技術，安森美(onsemi)使仿真精度
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功率器件 Spice模型 SiC 仿真
低電感電機有許多不同應用，包括大氣隙電機、無槽電機和低泄露感應電機。它們也可被用在使用PCB定子而非繞組定子的新電機類型中。這些電機需要高開關頻率（50-100kHz）來維持所需的紋波電流。然而，對于50kHz以上的調制頻率使用絕緣柵雙極晶體管（IGBT）無法滿足這些需求，如果是380V系統，硅MOSFET耐壓又不夠，這就為寬禁帶器件開創了新的機會。在我們的傳統印象中，電機驅動系統往往采用IGBT作為開關器件，而SiC MOSFET作為高速器件往往與光伏和電動汽車充電等需要高頻變換的應用相關聯。但在特定的
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英飛凌 SiC MOSFET
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