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sic fet 文章 進入sic fet技術社區

碳化硅快充時代來臨,800V高壓超充開始普及!

  • 一直以來,“里程焦慮”、“充電緩慢”都是卡住新能源汽車脖子的關鍵問題,是車企和車主共同的焦慮;但隨著高壓電氣技術的不斷進步和快充時代的到來,將SiC(碳化硅)一詞推向了市場的風口浪尖。繼2019年4月保時捷Taycan Turbo S 全球首發三年后,800V高壓超充終于開始了普及。相比于400V,800V帶來了更高的功效,大幅提升功率,實現了15分鐘的快充補能。而構建800V超充平臺的靈魂就是材料的革新,基于碳化硅的新型控制器,便引領著這一輪高壓技術的革命。小鵬發布的800V高壓SiC平臺Si(硅)早已
  • 關鍵字: 碳化硅  SiC  

5大重要技巧讓您利用 SiC 實現高能效電力電子產品!

  • 當您設計新電力電子產品時,您的目標任務一年比一年更艱巨。高效率是首要要求,但以更小的尺寸和更低的成本提供更高的功率是另一個必須實現的特性。SiC MOSFET 是一種能夠滿足這些目標的解決方案。以下重要技巧旨在幫助您創建基于 SiC 半導體的開關電源,其應用領域包括光伏系統、儲能系統、電動汽車 (EV) 充電站等。為何選擇 SiC?為了證明您選擇 SiC 作為開關模式設計的首選功率半導體是正確的,請考慮以下突出的特性。與標準或超級結 MOSFET 甚至 IGBT 相比,SiC 器件可以在更高的電壓、更高的
  • 關鍵字: 安森美  SiC  

英飛凌與Resonac擴大合作范圍,簽署多年期碳化硅(SiC)材料供應協議

  • 英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)持續擴大與碳化硅(SiC)供應商的合作。英飛凌是一家總部位于德國的半導體制造商,此次與Resonac Corporation(原昭和電工)簽署了全新的多年期供應和合作協議。早在2021年,雙方就曾簽署合作協議,此次的合作是在該基礎上的進一步豐富和擴展,將深化雙方在SiC材料領域的長期合作伙伴關系。協議顯示,英飛凌未來十年用于生產SiC半導體的SiC材料中,約占兩位數份額將由Resonac供給。前期,Resonac將主要供應6英寸SiC
  • 關鍵字: 英飛凌  Resonac  碳化硅  SiC  

是什么使SiC成為組串式逆變器的完美解決方案

  • 與硅技術相比,SiC MOSFET在光伏和儲能應用中具有明顯的優勢,它解決了能效與成本的迫切需求,特別是在需要雙向功率轉換的時候。易于安裝是大功率光伏組串式逆變器的關鍵特征之一。如果只需要兩個工人來搬運和安裝該系統,將會非常利于運維。因此,尺寸和重量非常重要。最新一代的碳化硅半導體使電力轉換效率大幅提高。這不僅節省了能源,而且使設備更小、更輕,相關的資本、安裝和維護成本更低。關鍵的應用要求及其挑戰。在光伏和儲能系統中,1500V的高系統電壓要求宇宙輻射引起的故障率非常低,同時要求功率器件具有更高的系統效率
  • 關鍵字: 英飛凌  SiC  逆變器  

高壓SiC MOSFET研究現狀與展望

  • 碳化硅(SiC)金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)作為寬禁帶半導體單極型功率 器件,具有頻率高、耐壓高、效率高等優勢,在高壓應用領域需求廣泛,具有巨大的研究價值?;仡櫫烁邏?SiC MOSFET 器件的發展歷程和前沿技術進展,總結了進一步提高器件品質因數的元胞優化結構,介紹了針對高壓器件的幾種終端結構及其發展現狀,對高壓 SiC MOSFET 器件存在的瓶頸和挑戰進行了討論。1 引言電力電子變換已經逐步進入高壓、特高壓領域,高壓功率器件是制約變換器體積、功耗和效率的決定性因素。特高壓交直流輸電、
  • 關鍵字: SiC  MOSFET  

特斯拉 Model3 搭載 SiC,寬禁帶半導體迎來爆發

  • 去年 11 月底,特斯拉 Model 3 新款開售,其產品設計和功能變化都引起了外界關注。在特斯拉 Model 3 車型中,SiC 得到量產應用,這吸引了全球汽車廠商的目光。搭載 SiC 芯片的智能電動汽車,可提高續航里程,對突破現有電池能耗與控制系統上瓶頸,乃至整個新能源汽車行業都有重要意義。目前,業內普遍認為以 SiC 為代表的寬禁帶半導體將成為下一代半導體主要材料,那么寬禁帶半導體當前發展狀況如何?國內外發展寬禁帶半導體有哪些區別?未來發展面臨著哪些挑戰?01、特斯拉 Model 3 首批
  • 關鍵字: 特斯拉  Model 3  SiC  

瑞薩電子推出新型柵極驅動IC 用于驅動EV逆變器的IGBT和SiC MOSFET

  • 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子(TSE:6723)近日宣布,推出一款全新柵極驅動IC——RAJ2930004AGM,用于驅動電動汽車(EV)逆變器的IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)和SiC(碳化硅)MOSFET等高壓功率器件。柵極驅動IC作為電動汽車逆變器的重要組成部分,在逆變器控制MCU,及向逆變器供電的IGBT和SiC MOSFET間提供接口。它們在低壓域接收來自MCU的控制信號,并將這些信號傳遞至高壓域,快速開啟和關閉功率器件。為適應電動車輛電池的更高電壓,RAJ2930004AGM內置3.75kV
  • 關鍵字: 瑞薩  柵極驅動IC  EV逆變器  IGBT  SiC MOSFET  

安森美與大眾汽車集團就下一代電動汽車的碳化硅(SiC)技術達成戰略協議,進一步鞏固戰略合作關系

  • 2023 年 1 月 30 日—領先于智能電源和智能感知技術的安森美(onsemi,美國納斯達克上市代號:ON)宣布與德國大眾汽車集團 (VW)簽署戰略協議,為大眾汽車集團的下一代平臺系列提供模塊和半導體器件,以實現完整的電動汽車 (EV) 主驅逆變器解決方案。安森美所提供的半導體將作為整體系統優化的一部分,形成能夠支持大眾車型前軸和后軸主驅逆變器的解決方案。?安森美將首先交付其 EliteSiC 1200 V 主驅逆變器電源模塊,作為協議的一部分。EliteSiC 電源模塊具備引腳兼容特性,可
  • 關鍵字: 安森美  大眾汽車集團  電動汽車  碳化硅  SiC  

簡述碳化硅SIC器件在工業應用中的重要作用

  • 電力電子轉換器在快速發展的工業格局中發揮著至關重要的作用。它們的應用正在增加,并且在眾多新技術中發揮著核心作用,包括電動汽車、牽引系統、太空探索任務、深層石油開采系統、飛機系統等領域的進步。電力電子轉換器在快速發展的工業格局中發揮著至關重要的作用。它們的應用正在增加,并且在眾多新技術中發揮著核心作用,包括電動汽車、牽引系統、太空探索任務、深層石油開采系統、飛機系統等領域的進步。電力電子電路不斷發展以實現更高的效率,絕緣柵雙極晶體管(IGBT)和金屬氧化物場效應晶體管(MOSFET)等電力電子設備為令人興奮
  • 關鍵字: 國晶微半導體  SIC  

羅姆的第 4 代SiC MOSFET成功應用于日立安斯泰莫的純電動汽車逆變器

  • 全球知名半導體制造商羅姆(總部位于日本京都市)的第4代SiC MOSFET和柵極驅動器IC已被日本先進的汽車零部件制造商日立安斯泰莫株式會社(以下簡稱“日立安斯泰莫”)用于其純電動汽車(以下簡稱“EV”)的逆變器。在全球實現無碳社會的努力中,汽車的電動化進程加速,在這種背景下,開發更高效、更小型、更輕量的電動動力總成系統已經成為必經之路。尤其是在EV領域,為了延長續航里程并減小車載電池的尺寸,提高發揮驅動核心作用的逆變器的效率已成為一個重要課題,業內對碳化硅功率元器件寄予厚望。 羅姆自2010年
  • 關鍵字: 羅姆  SiC MOSFET  日立安斯泰莫  純電動汽車逆變器  

意法半導體第3代SiC碳化硅功率模塊,這品牌用上了?

  • 現代-起亞集團的 E-GMP 純電平臺以 800V 高電壓架構、高功率充電備受肯定,原先 E-GMP 平臺在后馬達 Inverter 逆變器的功率模塊(Power Module)就有采用 SiC 碳化硅半導體,成本與轉換效率比傳統的硅半導體更高,更能提升續航。如今瑞士半導體供應商意法半導體 (STMicroelectronics) 日前推出第 3 代的 SiC 碳化硅功率模塊,并確認 E-GMP 平臺的起亞 EV6 等車款將采用,預計在動力、續航都能再升級。E-GMP 平臺,原先已在后馬達逆變器采用 Si
  • 關鍵字: SiC  碳化硅功率模塊  起亞 EV6  意法半導體  ACEPACK DRIVE  

宇宙輻射對OBC/DCDC中高壓SiC/Si器件的影響及評估

  • 汽車行業發展創新突飛猛進,車載充電器(OBC)與DCDC轉換器(HV-LV DCDC)的應用因此也迅猛發展,同應對大多數工程挑戰一樣,設計人員把目光投向先進技術,以期利用現代超結硅(Super Junction Si)技術以及碳化硅(SiC)技術來提供解決方案。在追求性能的同時,對于車載產品來說,可靠性也是一個重要的話題。在車載OBC/DCDC應用中,高壓功率半導體器件用的越來越多。對于汽車級高壓半導體功率器件來說,門極氧化層的魯棒性和宇宙輻射魯棒性是可靠性非常重要的兩點。宇宙輻射很少被提及,但事實是無論
  • 關鍵字: Infineon  OBC  SiC  

通過轉向1700V SiC MOSFET,無需考慮功率轉換中的權衡問題

  • 高壓功率系統設計人員努力滿足硅MOSFET和IGBT用戶對持續創新的需求?;诠璧慕鉀Q方案在效率和可靠性方面通常無法兼得,也不能滿足如今在尺寸、重量和成本方面極具挑戰性的要求。不過,隨著高壓碳化硅(SiC)MOSFET的推出,設計人員現在有機會在提高性能的同時,應對所有其他挑戰。 在過去20年間,額定電壓介于650V至1200V的SiC功率器件的采用率越來越高,如今的1700V SiC產品便是在其成功的基礎上打造而成。技術的進步推動終端設備取得了極大的發展;如今,隨著額定電壓為1700V的功率器件的推出,
  • 關鍵字: SiC MOSFET  功率轉換  

安森美:聚焦SiC產能擴建,推出最新MOSFET產品

  • 近日,安森美公布了2022年第三季度業績,其三季度業績直線上揚,總營收21.93億美元,同比增長25.86%;毛利10.58億美元,同比增長46.82%。財報數據顯示,其三大業務中,智能電源組營收為11.16億美元,同比增長25.1%;高級解決方案組營收7.34億美元,同比增長19.7%;智能感知組營收為3.42億美元,同比增長44.7%,三大業務全線保持增長。自安森美總裁兼首席執行官Hassane El-Khoury加入安森美后,安森美執行了一系列的戰略轉型,聚焦于智能電源和智能感知兩大領域,從傳統的I
  • 關鍵字: 安森美  SiC  MOSFET  

EEVIA媒體論壇之英飛凌:賦能未來汽車低碳化和數字化發展

  • 在最近召開的EEVIA第十屆年度中國硬科技媒體論壇暨2022產業鏈研創趨勢展望研討會上,來自英飛凌安全互聯系統事業部的汽車級WiFi/BT及安全產品應用市場管理經理楊大穩以“英飛凌賦能未來汽車低碳化和數字化發展“為題,詳細介紹了英飛凌在汽車電子領域的相關產品和未來趨勢。?新能源車是全球汽車市場增長最快也是需求最旺盛的領域,特別是在中國這個全球產銷第一的市場,2022年國有品牌汽車占據近一半的中國汽車市場份額,最大的驅動力是來自于新能源車和電動車。可以預想,隨著政府和車廠的支持,電動車未來幾年會迎
  • 關鍵字: 英飛凌  SiC  電動汽車  無人駕駛  
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