全球車用SiC功率組件市場，目前主要由IDM大廠獨霸，根據統計，全球SiC產能由Wolfspeed、羅姆、貳陸三家公司寡占。其中，羅姆計劃在2025年，將SiC功率半導體的營收擴大至1,000億日圓以上，成為全球市占龍頭。為了達成目標，該公司積極擴充SiC功率半導體的產能，并宣布買下日本一家太陽能系統廠的舊工廠，未來將引進SiC功率半導體8吋晶圓產線到工廠內，預計在2024年底啟動，將使羅姆的SiC功率半導體產能，到2030年增加為2021年的35倍。根據日本朝日新聞、日經新聞等報導，羅姆將從日本的石油公
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羅姆 SiC
前面的文章，和大家分享了安森美(onsemi)在襯底和外延的概況，同時也分享了安森美在器件開發的一些特點和進展。到這里大家對于SiC的產業鏈已經有一定的了解了。也就是從襯底到芯片，對于一個SiC功率器件來說只是完成了一半的工作，還有剩下一半就是這次我們要分享的封裝。好的封裝才能把SiC的性能發揮出來，這次我們會從AQG324這個測試標準的角度來看芯片和封裝的開發與驗證。圖一是SSDC模塊的剖面示意圖，圖二是整個SSDC模塊的結構圖，從圖一和圖二我們可以發現這個用在主驅的功率模塊還是比較復雜的，里面包含了許
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SiC Traction模塊 安森美 202311
SiC MOSFET 在功率半導體市場中正迅速普及，因為它最初的一些可靠性問題已得到解決，并且價位已達到非常有吸引力的水平。隨著市場上的器件越來越多，必須了解 SiC MOSFET 與 IGBT 之間的共性和差異，以便用戶充分利用每種器件。本系列文章概述了安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的關鍵特性及驅動條件對它的影響，作為安森美提供的全方位寬禁帶生態系統的一部分，還將提供 NCP51705（用于 SiC MOSFET 的隔離柵極驅動器）的使用指南。本文為第三部分，將重點介紹NCP517
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安森美 SiC MOSFET 隔離柵極驅動器
近年來，汽車、太陽能和電動汽車充電應用及儲能系統等領域對碳化硅半導體產品需求不斷增長，并推動新興半導體材料的發展。在碳化硅襯底上，國內廠商正加速研發步伐，如晶盛機電已完成了6英寸到8英寸的擴徑和質量迭代，實現8英寸拋光片的開發，晶片性能參數與6英寸晶片相當，今年二季度將實現小批量生產；天科合達計劃在2023年實現8英寸襯底產品的小規模量產，同時該公司在5月與半導體大廠英飛凌簽訂碳化硅長期供應協議。近期，科友半導體傳來了新消息。6月22日，科友半導體官微宣布其突破了8英寸SiC量產關鍵技術，在晶體尺寸、厚度
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8英寸 SiC 科友半導體
最近，碳化硅 (SiC) 及其在電力電子領域的潛在應用受到了廣泛關注，但同時也引發了一些誤解。本文旨在澄清這些誤解，讓工程師們在未來放心地使用 SiC器件。應用圍繞SiC 產生的一些疑慮與其應用范圍相關。例如，一些設計人員認為SiC MOSFET 應該用來替代IGBT，而硅MOSFET 的替代品應該是氮化鎵 (GaN) 器件。然而，額定電壓為650 V 的SiC MOSFET 具有出色的性能，其RDS(ON)*Qg 品質因數很有競爭力，反向恢復電荷也非常小。因此，在圖騰柱功率因數校正 (TPPFC) 或同
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202306 SiC
SiC（碳化硅）功率元器件領域的先進企業ROHM Co., Ltd. （以下簡稱“羅姆”）于2023年6月19日與全球先進驅動技術和電動化解決方案大型制造商緯湃科技（以下簡稱“Vitesco”）簽署了SiC功率元器件的長期供貨合作協議。根據該合作協議，雙方在2024年至2030年間的交易額將超過1300億日元。?之所以能達成此次合作，是因為雙方已于2020年建立了“電動汽車電力電子技術開發合作伙伴關系”，并基于合作伙伴關系進行了密切的技術合作，開展了適用于電動汽車的SiC功率元器件和采用SiC芯
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羅姆 緯湃 SiC
在高功率應用中，碳化硅（SiC）的許多方面都優于硅，包括更高的工作溫度以及更高效的高頻開關性能。但是，與硅快速恢復二極管相比，純 SiC 肖特基二極管的一些特性仍有待提高。本博客介紹Nexperia（安世半導體）如何將先進的器件結構與創新工藝技術結合在一起，以進一步提高 SiC 肖特基二極管的性能。在高功率應用中，碳化硅（SiC）的許多方面都優于硅，包括更高的工作溫度以及更高效的高頻開關性能。但是，與硅快速恢復二極管相比，純 SiC 肖特基二極管的一些特性仍有待提高。本博客介紹Nexperia（安世半導體
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SiC 肖特基二極管
如今，碳化硅用于要求苛刻的半導體應用，如火車、渦輪機、電動汽車和智能電網。由于其物理和電氣特性，基于SiC的器件適用于高溫、高功率密度和高工作頻率是常見要求的應用。盡管 SiC 功率器件推動了電動汽車、5G 和物聯網技術等要求苛刻領域的進步，但高質量 SiC 基板的生產給晶圓制造商帶來了多重挑戰。如今，碳化硅用于要求苛刻的半導體應用，如火車、渦輪機、電動汽車和智能電網。由于其物理和電氣特性，基于SiC的器件適用于高溫、高功率密度和高工作頻率是常見要求的應用。盡管 SiC 功率器件推動了電動汽車、5G 和物
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SiC
加利福尼亞州戈萊塔 – 2023 年 6 月 15 日 –新世代電力系統的未來, 氮化鎵（GaN）功率轉換產品的全球領先供應商Transphorm, Inc.（Nasdaq: TGAN）發布了一款高性能、低成本的驅動器解決方案。這款設計方案面向中低功率的應用，適用于LED照明、充電、微型逆變器、UPS和電竟電腦，加強了公司在這個30億美元電力市場客戶的價值主張。 不同于同類競爭的 e-mode GaN 解決方案需要采用定制驅動器或柵極保護器件的電平移位電路，Transphorm 的 SuperG
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Transphorm SuperGaN FET 驅動器
2018 年，特斯拉在 Model 3 中首次將 IGBT 模塊換成了 SiC 模塊，成為第一家在量產汽車中使用 SiC 芯片的電動汽車公司。特斯拉的使用結果表明，在相同功率等級下，SiC 模塊的封裝尺寸明顯小于硅模塊，并且開關損耗降低了 75％。換算下來，采用 SiC 模塊替代 IGBT 模塊，其系統效率可以提高 5％左右。一場特斯拉的大風，引燃了 SiC。然而，就在剛剛過去的 3 月份，特斯拉卻突然宣布，下一代的電動車傳動系統 SiC 用量大減 75%，因借創新技術找到下一代電動車動力系統減少使用 S
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SiC
“現在的新車，只要能用碳化硅的地方，便不會再用傳統功率器件”。功率半導體大廠意法半導體（ST）曾以此言表達碳化硅于新能源汽車市場的重要性。當下，在全球半導體行業的逆流中，第三代半導體正閃爍著獨特的光芒，作為其代表物的碳化硅和氮化鎵順勢成為耀眼的存在。在此賽道上，各方紛紛加大馬力，堅定下注，一部關于第三代半導體的爭奪劇集已經開始上演。一、三代半方興未艾產業進入高速成長期近日，科學技術部黨組成員、副部長相里斌在2023中關村論壇上表示，2022年在全球疫情和需求端疲軟等多重因素影響下，全球半導體產業進入下行周
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第三代半導體 SiC GaN
牽引逆變器是電動汽車 (EV) 中消耗電池電量的主要零部件，功率級別可達 150kW 或更高。牽引逆變器的效率和性能直接影響電動汽車單次充電后的行駛里程。因此，為了構建下一代牽引逆變器系統，業界廣泛采用碳化硅 (SiC) 場效應晶體管 (FET) 來實現更高的可靠性、效率和功率密度。圖 1 所示的隔離式柵極驅動器集成電路 (IC) 提供從低電壓到高電壓（輸入到輸出）的電隔離，驅動逆變器每相的高邊和低邊功率模塊，并監測和保護逆變器免受各種故障的影響。根據汽車安全完整性等級 (ASIL) 功能安全要求，柵極驅
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SiC 牽引逆變器
?·?????? 緯湃科技正在鎖定價值19億美元（17.5億歐元）的碳化硅（SiC）產能·?????? 緯湃科技通過向安森美提供2.5億美元（2.3億歐元）的產能投資，獲得這一關鍵的半導體技術，以實現電氣化的強勁增長·?????? 除了產能投資外，兩家公司還將在進一步優化主驅逆變器系統方面達成合作?2023年
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中國北京，2023年5月31日—— 全球領先的測試測量解決方案提供商泰克科技公司日前宣布，推出最新雙脈沖測試解決方案 (WBG-DPT解決方案)。各種新型寬禁帶開關器件正推動電動汽車、太陽能、工控等領域快速發展，泰克WBG-DPT解決方案能夠對寬禁帶器件（如SiC和GaN MOSFETs）提供自動可重復的、高精度測量功能。下一代功率轉換器設計師現在能夠利用WBG-DPT解決方案，滿懷信心地迅速優化自己的設計。WBG-DPT解決方案能夠在泰克4系、5系、6系MSO示波器上運行，并能夠無縫集成到示波器測量系統
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泰克 示波器 雙脈沖測試 SiC GaN
碳化硅 (SiC) 等寬帶隙器件可實現能夠保持高功率密度的晶體管，但需要使用低熱阻封裝，比如 TO-247。然而，此類封裝的連接往往會導致較高的電感。閱讀本博文，了解如何謹慎使用開爾文連接技術以解決電感問題。這篇博客文章最初由 United Silicon Carbide (UnitedSiC) 發布，該公司于 2021 年 11 月加入 Qorvo 大家庭。UnitedSiC 是一家領先的碳化硅 (SiC) 功率半導體制造商，它的加入促使 Qorvo 將業務擴展到電動汽車 (EV)、工業電源、電路保護、
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Qorvo 開爾文 FET
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