這幾年，雖然摩爾定律基本失效或者說越來越遲緩，但是在半導體工藝上，幾大巨頭卻是殺得興起。Intel終于進入10nm工藝時代并將在后年轉入7nm，臺積電、三星則紛紛完成了7nm工藝的布局并奔向5nm、3nm。

現在，臺積電又官方宣布，正式啟動2nm工藝的研發，工廠設置在位于臺灣新竹的南方科技園，預計2024年投入生產，時間節奏上還是相當的快。

按照臺積電給出的指標，2nm工藝是一個重要節點，Metal Track(金屬單元高度)和3nm一樣維持在5x，同時Gate Pitch(晶體管柵極間距)縮小到30nm，Metal Pitch(金屬間距)縮小到20nm，相比于3nm都小了23％。

臺積電沒有透露2nm工藝所需要的技術和材料，看晶體管結構示意圖和目前并沒有明顯變化，能在硅半導體工藝上繼續壓榨到如此地步真是堪稱奇跡，接下來就看能不能做到1nm了。

當然，在那之前，臺積電還要接連經歷7nm+、6nm、5nm、3nm等多個工藝節點。

其中，7nm+首次引入EUV極紫外光刻技術，目前已經投入量產；6nm只是7nm的一個升級版，明年第一季度試產；5nm全面導入極紫外光刻，已經開始風險性試產，明年底之前量產，蘋果A14、AMD五代銳龍(Zen 4都有望采納)；3nm有望在2021年試產、2022年量產。

三星也早就規劃到了3nm，預期2021年量產。