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2023Q4 NAND 閃存行業產值環比增長 24.5%：三星增長 44.8% 居首位

IT之家 3 月 6 日消息，集邦咨詢近日發布市場研究報告，表示 2023 年第 4 季度 NAND 閃存產值 114.9 億美元，環比增長 24.5%，2024 年第 1 季度 NAND 產值將繼續保持上漲，預估環比會繼續增長兩成。三星第四季營收以三星（Samsung）增長幅度最高，主要是服務器、筆記本電腦與智能手機需求均大幅增長。三星該季度出貨量環比增加 35%，平均銷售價格環比增加 12%，帶動營收上升至 42 億美元，環比增加 44.8%。SK 集團SK 集團（SK Group）受惠于價
關鍵字： NAND 閃存存儲市場分析

淺談因電遷移引發的半導體失效

前言半導體產品老化是一個自然現象，在電子應用中，基于環境、自然等因素，半導體在經過一段時間連續工作之后，其功能會逐漸喪失，這被稱為功能失效。半導體功能失效主要包括：腐蝕、載流子注入、電遷移等。其中，電遷移引發的失效機理最為突出。技術型授權代理商Excelpoint世健的工程師Wolfe Yu在此對這一現象進行了分析。?1、?背景從20世紀初期第一個電子管誕生以來，電子產品與人類的聯系越來越緊密，特別是進入21世紀以來，隨著集成電路的飛速發展，人們對電子產品的需求也變得愈加豐富。隨著電子
關鍵字：電遷移半導體失效世健 Microchip Flash FPGA

1年利潤暴跌84.9%！三星樂觀今年業績回暖：存儲漲價是開始

2月1日消息，存儲一哥三星2023年的日子不太好過，全年利潤暴跌84.9%，確實沒辦法，不過他們保持樂觀態度。2023年IT市場整體低迷，尤其是存儲芯片價格暴跌的背景下，三星全年營收為258.94萬億韓元，同比減少14.3%；營業利潤為6.57萬億韓元，同比下滑84.9%。按照三星的說法，2024年上半年業績會回暖，其中以存儲產品價格回暖最為明顯，相關SSD等產品漲價不會停止，只會更猛烈。NAND芯片價格止跌回升后，目前報價仍與三星、鎧俠、SK海力士、美光等供應商達到損益兩平點有一段差距。國內重量級NAN
關鍵字：存儲三星鎂光海力士 NAND

一季度 NAND Flash合約價預計上漲15%-20%

供應商為了盡量減少損失，正在推高 NAND Flash 價格。
關鍵字： NAND Flash

閃存芯片將掀起新一輪漲價潮

2023 下半年，以 DRAM 和 NAND Flash 為代表的存儲器報價逐步止跌回升。近期，NOR Flash 也呈現出明顯的回暖態勢，供應鏈人士透露，2024 年 1 月，預計 NOR Flash 價格將上漲 5%，并保持上漲態勢，到第二季度，漲幅將達到 10%。過去幾年，隨著整個半導體市場的變化，NOR Flash 的供需和價格也是起起落落。2018 年，NOR Flash 市場需求較為疲軟，而供貨商的產能卻在持續提升，導致當年的價格進入下行周期。經過一年的低迷期后，NOR Flash 價格在 2
關鍵字： NOR Flash

NAND Flash和NOR Flash的異同

NAND Flash和NOR Flash是兩種常見的閃存類型NOR Flash是Intel于1988年首先開發出來的存儲技術，改變了原先由EPROM和EEPROM一統天下的局面；NAND Flash是東芝公司于1989年發布的存儲結構，強調降低每比特的成本，更高的性能，并且像磁盤一樣可以通過接口輕松升級。NAND=NOT AND(與非門) &?NOR=NOT OR(或非門)相同點· 兩者都是非易失性存儲器，可以在斷電后保持存儲的數據。· 兩者都可以進行擦寫和再編程。· 兩者在寫之前都要先
關鍵字： NAN Flash NOR 存儲結構

預估2024年第一季NAND Flash合約價平均季漲幅15~20%

據TrendForce集邦咨詢研究顯示，盡管適逢傳統淡季需求呈現下降趨勢，但為避免缺貨，買方持續擴大NAND Flash產品采購以建立安全庫存水位，而供應商為減少虧損，對于推高價格勢在必行，預估2024年第一季NAND Flash合約價季漲幅約15~20%。值得注意的是，NAND Flash原廠為減少虧損而急拉價格漲幅，但由于短期內漲幅過高，需求腳步卻跟不上，后續價格上漲仍需仰賴Enterprise SSD拉貨動能恢復。2024年第一季供應商的投產步伐不一，隨著部份供應商產能利用率提早拉升
關鍵字： NAND Flash TrendForce

SSD 正迎來量價齊升

2023 已近尾聲，跌跌不休的存儲行情終在四季度發生逆轉，尤其以 Flash Wafer 為代表的產品在 9 月、10 月、11 月的價格連續上漲，站在目前的時間節點，雖然從需求端看完全改善還需時日，但在各大原廠積極減產的作用下，供應已經大幅度收緊。根據 CFM 閃存市場數據，自 10 月份以來，現貨市場 NAND Flash 價格指數漲幅已達 40%。近日西部數據更是直接打響了 NAND 大漲價的第一槍。NAND 大漲價！近日，全球第四大 NAND Flash 供應商西部數據對客戶發出漲價通知信。在信中
關鍵字： SSD NAND

DRAM / NAND 巨頭明年加碼半導體投資：三星增加 25%、SK 海力士增加 100%

IT之家 12 月 21 日消息，根據韓媒 ETNews 報道，三星和 SK 海力士都計劃 2024 年增加半導體設備投資。三星計劃投資 27 萬億韓元（IT之家備注：當前約 1482.3 億元人民幣），比 2023 年投資預算增加 25%；而 SK 海力士計劃投資 5.3 萬億韓元（當前約 290.97 億元人民幣），比今年的投資額增長 100%。報道中指出，三星和 SK 海力士在增加半導體設備投資之外，還提高了 2024 年的產能目標。報道稱三星將 DRAM 和 NAND
關鍵字：存儲 DRAM NAND Flash

日本東芝正式退市

據日媒報道，12月20日，日本東芝公司正式退市，結束其作為一家上市公司74年的歷史。今年8月起，以日本國內基金“日本產業合作伙伴”（JIP）為主的財團正式開始向東芝發起總額約2萬億日元的要約收購。東芝在官網發布的文件中稱，該財團將從普通股東收購剩余股份，將東芝收購為全資子公司。公開資料顯示，東芝創立于1875年，距今已有140多年的歷史。東芝是日本制造業的代表之一，在家電、電氣、能源、基建等領域都有巨大影響力。此外，東芝還是日本最大的半導體制造商，曾發明NAND閃存芯片。
關鍵字：東芝家電 NAND 閃存退市

集邦咨詢稱 2024Q1 手機 DRAM、eMMC / UFS 均價環比增長 18-23%

IT之家 12 月 20 日消息，集邦咨詢近日發布報告，預估 2024 年第 1 季度 Mobile DRAM 及 NAND Flash（eMMC / UFS）環比增長 18-23%，而且不排除進一步拉高的情況。集邦咨詢表示 2024 年第 1 季中國智能手機 OEM 的生產規劃依然穩健，由于存儲器價格漲勢明確，帶動買方積極擴大購貨需求，以建設安全且相對低價的庫存水位。集邦咨詢認為買賣雙方庫存降低，加上原廠減產效應作用，這兩大因素促成這一波智能手機存儲器價格的強勁漲勢。集邦咨詢認為明年第 1 季
關鍵字：存儲 DRAM NAND Flash

明年半導體暴增20%，哪些賽道市場回暖？

今年的半導體可謂寒風瑟瑟，市場下滑的消息從年頭傳到年尾，半導體企業也疲于應對蕭瑟的市場環境，不斷傳出減產、虧損的消息。熬過冬就是春，最近的半導體市場總算是迎來了一些好消息。IDC 最新的預測，認為半導體市場已經觸底，明年開始半導體將會加速恢復增長。在它的預測中，2023 年全球半導體市場收入從 5188 億美元上調至 5265 億美元，2024 年收入預期也從 6259 億美元上調至 6328 億美元。到明年，全球半導體收入將同比增長 20.2%。IDC 全球半導體供應鏈技術情報研究經理 Rudy Tor
關鍵字： NAND flash 射頻前端 CPU 模擬芯片

300層之后，3D NAND的技術路線圖

開發下一代 3D NAND 閃存就像攀登永無止境的山峰。
關鍵字： 3D NAND

存儲市場前瞻：DDR5 需求顯著增長、AI 崛起讓手機內存邁入 20GB 時代

IT之家?11 月 24 日消息，由于廠商減產的效果逐漸顯現，以及特定應用市場的持續強勁需求，DRAM 和 NAND 閃存價格在 2023 年第 4 季度呈現全面上漲，并有望持續到明年第 1 季度。集邦咨詢分析預估，2023 年第 4 季度移動 DRAM 合約價格預計上漲 13-18%，而 eMMC 和 UFS NAND Flash 合約預計上漲約 10-15%，上漲趨勢會持續到 2024 年第 1 季度。移動 DRAM：根據國外科技媒體 WccFtech 報道，2024 年手機的一個明顯變化是
關鍵字：閃存 DRAM NAND

越便宜越沒人買！全球SSD出貨量暴跌10% 用戶買漲不買跌

11月22日消息，據TrendForce最新報告，2022年全球SSD出貨量為1.14億塊，同比下降10.7%。報告中指出，2021年上半年受到主控IC短缺的影響，SSD出貨量不高；但在2022年下半年供應情況已經極大緩解，渠道SSD市場恢復正常供需狀態。隨著個人電腦和計算機硬件市場的萎縮，固態硬盤的需求依然疲軟，而更多的用戶也是買漲不買跌（便宜了還能更便宜，便宜反而買單的人銳減）。TrendForce稱，由于NAND閃存供應商積極減產，導致整個行業價格上漲，市場情緒在2022年第三季度末"迅速
關鍵字： SSD 固態硬盤閃存 NAND

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nand flash介紹

　Nand-flash內存是flash內存的-種，其內部采用非線性宏單元模式，為固態大容量內存的實現提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數據的存儲，因而在業界得到了越來越廣泛的應用，如嵌入式產品中包括數碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。　　NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區域進行，如果目標區域已經有數 [ 查看詳細 ]