a一级爱做片免费观看欧美,久久国产一区二区,日本一二三区免费,久草视频手机在线观看

首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> nand flash

nand flash 文章 進入nand flash技術社區

TrendForce：今年 Q2 NAND 閃存出貨增長放緩，AI SSD 推動營收環比增長 14%

  • IT之家 9 月 9 日消息，TrendForce 集邦咨詢今天下午發布報告指出，由于服務器終端庫存調整接近尾聲，加上 AI 推動了大容量存儲產品需求，今年第二季度 NAND Flash（閃存）價格持續上漲。但由于 PC 和智能手機廠商庫存偏高，導致 Q2 NAND Flash 位元出貨量環比下降 1%，平均銷售單價上漲了 15%，總營收達 167.96 億美元（IT之家備注：當前約 1193.37 億元人民幣），較前一季實現環比增長 14.2%。各廠商營收情況如下：三星：第二季時積極回應客戶對
  • 關鍵字： 內存  NAND Flash  

第八代BiCS FLASH厲害在哪里？

  • 第八代BiCS FLASH已然投入量產，意味著基于BiCS FLASH的產品也將得到新一輪升級。全新的BiCS FLASH無論在存儲密度、性能都有了顯著提升，特別是2Tb QLC NAND是當下業界內最大容量的存儲器。為了讓第八代BiCS FLASH突破存儲限制，鎧俠通過專有工藝和創新架構，實現了存儲芯片的縱向和橫向縮放平衡，所開發的CBA（CMOS directly Bonded to Array，外圍電路直接鍵合到存儲陣列）和3.6Gbps接口速度，給AI應用、數據中心、移動設備提供了更多潛在可能。技
  • 關鍵字： BiCS FLASH  閃存  flash  鎧俠  

消息稱三星電子確認平澤 P4 工廠 1c nm DRAM 內存產線投資，目標明年 6 月投運

  • IT之家 8 月 12 日消息，韓媒 ETNews 報道稱，三星電子內部已確認在平澤 P4 工廠建設 1c nm DRAM 內存產線的投資計劃，該產線目標明年 6 月投入運營。平澤 P4 是一座綜合性半導體生產中心，分為四期。在早前規劃中，一期為 NAND 閃存，二期為邏輯代工，三期、四期為 DRAM 內存。三星已在 P4 一期導入 DRAM 生產設備，但擱置了二期建設。而 1c nm DRAM 是第六代 20~10 nm 級內存工藝，各家的 1c nm（或對應的 1γ nm）產品目前均尚未正式
  • 關鍵字： NAND  閃存  三星電子  

1000層3D NAND Flash時代即將到來

  • Lam Research 推出低溫蝕刻新技術，為 1000 層 3D NAND 鋪平道路。
  • 關鍵字： NAND Flash  

存儲亮劍！NAND技術多點突破

  • 人工智能（AI）市場持續火熱，新興應用對存儲芯片DRAM和NAND需求飆升的同時，也提出了新的要求。近日恰逢全球存儲會議FMS 2024（the Future of Memory and Storage）舉行，諸多存儲領域議題與前沿技術悉數亮相。其中TrendForce集邦咨詢四位資深分析師針對HBM、NAND、服務器等議題展開了深度討論，廓清存儲行業未來發展方向。此外，大會現場，NVM Express組織在會中發布了 NVMe 2.1 規范，進一步統一存儲架構、簡化開發流程。另外包括Kioxia
  • 關鍵字： 存儲  NAND  TrendForce  

為 1000 層 NAND 閃存制造鋪平道路，泛林推出新一代低溫介質蝕刻技術 Lam Cyro 3.0

  • IT之家 8 月 1 日消息，泛林集團 Lam Research 當地時間昨日宣布推出面向 3D NAND 閃存制造的第三代低溫介質蝕刻技術 Lam Cyro 3.0。泛林集團全球產品部高級副總裁 Sesha Varadarajan 表示：Lam Cryo 3.0 為（我們的）客戶實現 1000 層 3D NAND 鋪平了道路。泛林低溫蝕刻已被用于 500 萬片晶圓的生產，而我們的最新技術是 3D NAND 生產領域的一項突破。它能以埃米級精度創建高深寬比（IT之家注：High Aspect R
  • 關鍵字： NAND  閃存  泛林集團  

消息指 SK 海力士加速 NAND 研發，400+ 層閃存明年末量產就緒

  • IT之家 8 月 1 日消息，韓媒 ETNews 報道稱，SK 海力士將加速下一代 NAND 閃存的開發，計劃 2025 年末完成 400+ 層堆疊 NAND 的量產準備，2026 年二季度正式啟動大規模生產。SK 海力士此前在 2023 年展示了 321 層堆疊 NAND 閃存的樣品，并稱這一顆粒計劃于 2025 上半年實現量產。▲ SK 海力士 321 層 NAND 閃存按照韓媒的說法，SK 海力士未來兩代 NAND 的間隔將縮短至約 1 年，明顯短于業界平均水平。IT之家注：從代際發布間隔
  • 關鍵字： SK海力士  內存  NAND  

消息稱 SK 海力士考慮推動 NAND 業務子公司 Solidigm 在美 IPO

  • IT之家 7 月 29 日消息，綜合外媒《韓國經濟日報》（Hankyung）與 Blocks & Files 報道，SK 海力士考慮推動 NAND 閃存與固態硬盤子公司 Solidigm 在美 IPO。SK 海力士于 2020 年 10 月宣布收購英特爾 NAND 與 SSD 業務，而 Solidigm 是 SK 海力士于 2021 年底完成收購第一階段后成立的獨立美國子公司。▲ Solidigm D5-P5336，E1.L 規格，61.44TB由于內外部因素的共同影響，Sol
  • 關鍵字： SK海力士  內存  NAND  

長江存儲再度“亮劍”，在美國起訴美光侵犯其 11 項專利

  • IT之家 7 月 22 日消息，據外媒 Tomshardware 報道，中國 3D NAND 閃存制造商長江存儲，日前再次將美光告上法院，在美國加州北區指控美光侵犯了長江存儲的 11 項專利，涉及 3D NAND Flash 和 DRAM 產品。長江存儲還要求法院命令美光停止在美國銷售侵權的存儲產品，并支付專利使用費。長江存儲指控稱，美光的 96 層（B27A）、128 層（B37R）、176 層（B47R）和 232 層（B58R）3D NAND Flash，以及美光的一些 DDR5 SDRA
  • 關鍵字： 長江存儲  NAND  美光  內存  

為什么QLC可能是NAND閃存的絕唱？

  • NAND 閃存已經達到了一定的密度極限，無法再進一步擴展。
  • 關鍵字： NAND  

三星發布了其首款60TB固態硬盤，能否搶占先機？

  • 內存和存儲芯片制造商三星發布了其首款容量高達60TB的企業級固態硬盤（SSD），專為滿足企業用戶的需求而設計。得益于全新主控，三星表示未來甚至可以制造120TB的固態硬盤。對比2020年發布的上一代BM1733，BM1733采用了第5代V-NAND技術的QLC閃存、堆疊層數為96層、最大容量為15.36TB，顯然BM1743的存儲密度有了大幅度提升。三星以往的固態硬盤容量上限為32TB，此次推出的BM1743固態硬盤則將容量提升至了驚人的60TB。值得注意的是，目前三星在該細分市場將面臨的競爭相對較少，因
  • 關鍵字： 三星  固態硬盤  V-NAND  

鎧俠產能滿載 傳7月量產最先進NAND Flash產品

  • 《科創板日報》4日訊，鎧俠產線稼動率據悉已在6月回升至100%水準、且將在7月內量產最先進存儲芯片(NAND Flash)產品，借此開拓因生成式AI普及而急增的數據存儲需求。據悉，鎧俠將開始量產的NAND Flash產品堆疊218層數據存儲元件，和現行產品相比，存儲容量提高約50%，寫入數據時所需的電力縮減約30%。 (MoneyDJ）
  • 關鍵字： 鎧俠  NAND Flash  

NAND市場，激戰打響

  • 隨著人工智能（AI）相關半導體對高帶寬存儲（HBM）需求的推動，NAND 閃存市場也感受到了這一趨勢的影響。目前，NAND 閃存市場的競爭正在加劇，存儲巨頭三星和 SK 海力士正加緊努力，以提升 NAND 產品的性能和容量。兩大巨頭輪番出手三星投產第九代 V-NAND 閃存今年 4 月，三星宣布其第九代 V-NAND 1Tb TLC 產品開始量產，這將有助于鞏固其在 NAND 閃存市場的卓越地位。那么 V-NAND 閃存是什么呢？眾所周知，平面 NAND 閃存不僅有 SLC、MLC 和 TLC 類型之分，
  • 關鍵字： 三星  第九代 V-NAND  

鎧俠結束減產？兩座NAND工廠開工率提高至100%

  • 據日經新聞報道，鑒于市場正在復蘇，日本存儲芯片廠商鎧俠已結束持續20個月的減產行動，且貸方同意提供新的信貸額度。報道稱，鎧俠于6月份將位于三重縣四日市和巖手縣北上市的兩座NAND工廠的生產線開工率提高至100%。而隨著業務好轉，債權銀行已同意為6月份到期的5,400億日元（34.3億美元）貸款進行再融資。他們還將設立總額為2,100億日元的新信貸額度。2022年10月，為應對需求低迷的市場環境，鎧俠發布聲明稱，將調整四日市和北上市NAND Flash晶圓廠的生產，將晶圓生產量減少約30%，并表示會繼續根據
  • 關鍵字： 鎧俠  NAND  

Omdia：2027 年 QLC 市場規模將占整體 NAND 閃存 46.4%，為去年 3.6 倍

  • IT之家 6 月 14 日消息，韓媒 Sedaily 轉述市場分析機構 Omdia 的話稱，2027 年 QLC 市場規模將占到整體 NAND 閃存的 46.4%，僅略低于 TLC 的 51%。作為對比，Omdia 認為 2023 年 QLC 閃存市場份額占比僅有 12.9%，今年這一比例將大幅增至 20.7%。換句話說，未來三年 QLC 在 NAND 市場整體中的占比將在今年的基礎上繼續提升 1.24 倍，達 2023 年的 3.6 倍。在 2023 年及以前，QLC 的市場滲透主要
  • 關鍵字： QLC  NAND 閃存  
共1475條 3/99 « 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 » ›|

nand flash介紹

　Nand-flash內存是flash內存的-種，其內部采用非線性宏單元模式，為固態大容量內存的實現提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數據的存儲，因而在業界得到了越來越廣泛的應用，如嵌入式產品中包括數碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。 　　NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區域進行，如果目標區域已經有數 [ 查看詳細 ]

熱門主題

樹莓派    linux   
關于我們 - 廣告服務 - 企業會員服務 - 網站地圖 - 聯系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網安備11010802012473