SK海力士于10月12日通過聲明表示，公司完成與美國商務部進行協商，確保在接下來一年內不獲取個別許可的前提下為中國工廠供應所需的半導體生產設備。借此，SK海力士預期將能夠在接下來一年內不獲取美方個別許可的前提下為中國工廠保障生產設備的供應，進而維持在中國的生產經營。SK海力士表示：“公司與美方圓滿完成了就在中國持續生產半導體產品的協商。SK海力士將繼續與韓國政府及美國商務部緊密合作，在遵循國際原則的前提下為保障中國工廠的運營盡最大的努力。”美國商務部先前于10月7日發布稱，將限制用于在中國生產18納米以下
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SK海力士 DRAM NAND
如何開發出尺寸更小、速度更快、功耗更少、成本更低，同時容量更大的閃存產品，這是美光研發工程師每天都要應對的挑戰。隨著各國對數字化轉型和云遷移的重視，世界對存儲容量和性能的要求越來越大。美光正在迎接這一創新變局。這些變化體現在異構計算、邊緣計算、數據中心、金融系統實時大數據更新，以及移動設備、消費電子、汽車信息娛樂系統帶來智能化沉浸式體驗。美光232層NAND技術為這些高性能存儲應用環境提供了可能。優秀的架構，高效優化存儲顆粒的使用空間和密度 美光推出的全球首款232層NAND基于CuA架構，通過增加NAN
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美光 232層 NAND 存儲技術
根據集邦科技研究顯示，目前NAND Flash正處于供過于求，下半年起買方著重去化庫存而大幅減少采購量，賣方開出破盤價以鞏固訂單，使第三季NAND晶圓（wafer）價格跌幅達30～35％，但各類NAND Flash終端產品仍疲弱，原廠庫存因此急速上升，預期將導致第四季NAND Flash總體平均價格跌幅擴大至15～20％。集邦表示，因為需求低迷導致NAND Flash下半年價格大跌，多數原廠的NAND Flash產品銷售也將自今年底前正式步入虧損，意即部分供貨商在運營陷入虧損的壓力下，對于采取減產以降低虧
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集邦 NAND Flash
市調機構表示，在高通脹影響下，消費性產品需求疲軟且旺季不旺，第三季DRAM位消耗與出貨量持續呈現季減，各終端買方因需求明顯下滑而推遲采購，導致供貨商庫存壓力進一步升高。同時，各DRAM供貨商為求增加市占的策略不變，市場上已有「第三、四季合并議價」或「先談量再議價」的情形，導致第四季DRAM價格續跌13％～18％。標準型DRAM方面，由于筆電需求疲弱，OEM廠仍將著重去化DRAM庫存，而DRAM供應端在營業利益仍佳的前提下，未有實際減產情形，故位產出仍持續升高，供貨商庫存壓力日益明顯。以DDR4與DDR5來
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集邦 DRAM NAND
IT之家 9 月 16 日消息，9 月 8 日，蘋果召開新品發布會，正式發布了 iPhone 14 系列手機，起價 5999 元。在此之前，韓媒消息稱中國廠商長江存儲已經進入蘋果供應鏈，將供貨 iPhone 14 系列 NAND 閃存。后續蘋果也承認正考慮從長江存儲采購 NAND 芯片，但僅會用于在中國銷售的部分 iPhone。在 iPhone 14 系列之前，蘋果高度依賴三星電子、SK 海力士等韓國存儲芯片廠商。因此，市場觀察人士認為，蘋果與長江存儲合作，將使他們 NAND 閃存的供應商進一步
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iPhone 14 NAND 長江存儲
根據市場研究機構TrendForce最近發布的報告顯示，在2022年二季度全球NAND Flash閃存市場中，三星電子與SK海力士拿下了全球52.9%的市場份額。根據數據顯示，2022年二季度三星電子NAND銷售額為59.8億美元，環比下滑5.4%，排名第一。SK海力士因為對英特爾NAND閃存業務收購的完成，2022年二季度銷售額位36.15億美元，環比增長12.1%，超越了鎧俠，成為了全球第二大NAND閃存廠商，兩家韓國廠商已經那拿下了全球NAND市場52.9%的份額。
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NAND 內存
江波龍（股票代碼：301308）近期發布了中國大陸首款FORESEE 512Mb SPI NAND Flash。FORESEE 512Mb SPI NAND Flash由江波龍完全自主研發，能夠極大地幫助客戶降低整機系統成本，并提升終端的產品競爭力。目前，FORESEE 512Mb SPI NAND Flash已全面量產，在智能穿戴、物聯網模塊、安防監控、網絡通訊等領域得到廣泛應用。加量減價，降本與增效兼得替換256Mb以上大容量SPI NOR Flash的上佳選擇根據系統存儲容量需求的不同，客
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江波龍 NAND
業界領先的半導體器件供應商兆易創新GigaDevice（股票代碼 603986）宣布，推出突破性的1.2V超低功耗SPI NOR Flash產品——GD25UF系列。該系列在數據傳輸速度、供電電壓、讀寫功耗等關鍵性能指標上均達到國際領先水平，在針對智能可穿戴設備、健康監測、物聯網設備或其它單電池供電的應用中，能顯著降低運行功耗，有效延長設備的續航時間。 隨著物聯網技術的發展，新一代智能可穿戴設備需要擁有更豐富的功能來滿足消費者的需求，這種空間敏感型產品對系統功耗提出了更嚴苛的要求，希
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兆易創新 1.2V SPI NOR Flash
據國外媒體報道，當前全球最大的存儲芯片制造商三星電子，預計會在年內開始生產236層NAND閃存。此外，它還計劃在本月開設一個新的研發中心，負責更先進NAND閃存產品的開發。韓國媒體在報道中還表示，三星目前量產的NAND閃存，最高是176層，在236層的產品量產之后，三星電子NAND閃存的層數就將創下新高。從韓國媒體的報道來看，三星電子對即將量產的236層NAND閃存寄予了厚望。他們在報道中就表示，在NAND閃存市場，三星電子的市場份額占了35%，為全球最高。將層數增加60層后，他們計劃憑借生產技術、價格及
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三星 NAND 閃存
半導體行業十分有趣，同時也充滿挑戰。俗話說，“打江山難，守江山更難”，這句話形容半導體行業十分貼切。我們需要頂住重重壓力，不斷突破物理、化學、制造和創新的極限，以推動邏輯、內存、存儲等計算器件的發展。如何開發出尺寸更小、速度更快、功耗更少、成本更低，同時容量更大的閃存技術是我們每天都要應對的挑戰。美光憑借3D NAND新技術與率先推出的新產品再攀高峰，借此機會讓我們回顧美光取得的輝煌成就。 美光一直以來被公認為3D NAND技術的領導廠商，之前我們推出了業內首款176層替換柵極NAND技術，再次
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美光 232層 NAND
根據集邦科技指出，2023年DRAM市場需求位成長僅8.3％，是歷年來首度低于10％，遠低于供給位成長約14.1％，分析至少2023年的DRAM市況在供過于求的情勢下仍相當嚴峻，價格恐將持續下滑。至于NAND Flash仍是供過于求，但價格下跌應有助于搭載容量提升。從各類應用來看，高通膨持續沖擊消費市場需求，故優先修正庫存是品牌的首要目標，尤其前兩年面對疫情造成的上游零組件缺料問題，品牌超額下訂，加上通路銷售遲緩，使得目前筆電整機庫存去化緩慢，造成2023年筆電需求將進一步走弱。標準型PC DRAM方面，
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集邦 DRAM NAND
Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）今日宣布已量產全球首款 232 層 NAND。它采用了業界領先的創新技術，從而為存儲解決方案帶來前所未有的性能。與前幾代 NAND 相比，該產品擁有業界最高的面密度和更高的容量及能效，能為客戶端及云端等數據密集型應用提供卓越支持。???美光技術與產品執行副總裁 Scott DeBoer 表示：“美光 232 層 NAND 率先在生產中將 3D NAND堆疊層數擴展到超過 200 層，
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美光 232層 NAND
芯研所7月22日消息，TrendForce集邦咨詢表示，需求未見好轉，NAND Flash產出及制程轉進持續，下半年市場供過于求加劇，包含筆記本、電視與智能手機等消費性電子下半年旺季不旺已成市場共識，物料庫存水位持續攀升成為供應鏈風險。因渠道庫存去化緩慢，客戶拉貨態度保守，造成庫存問題漫溢至上游供應端，賣方承受的拋貨壓力與日俱增。芯研所采編TrendForce集邦咨詢預估，由于供需失衡急速惡化，第三季NAND Flash價格跌幅將擴大至8~13%，且跌勢恐將延續至第四季。按照供應鏈的說法，雖然仍
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NAND SSD 存儲
業界領先的半導體器件供應商兆易創新GigaDevice（股票代碼 603986）宣布推出GD25WDxxK6 SPI NOR Flash產品系列，采用1.2mm×1.2mm USON6超小型塑封封裝，最大厚度僅為0.4mm，在如此緊湊、輕薄的空間內，其功耗、電壓范圍等方面均實現了進一步提升，為消費電子、可穿戴設備、物聯網以及便攜式健康監測設備等對電池壽命和緊湊型設計有著嚴苛需求的應用提供了理想選擇。 如今，隨著5G、物聯網、AI等技術的不斷迭代，在筆記本攝像頭、智能遙控器、智能健康手環等采用電池
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兆易創新 SPI NOR Flash
在國產化Flash閃存領域，NAND閃存的領軍當屬長江存儲，NOR閃存的代表則是兆易創新。 5月30日，兆易創新官方宣布，旗下Flash閃存產品累計出貨量已經超過190億顆，其中NOR閃存的市場份額更是排名全球前三。 兆易創新還透露，正在在超低功耗、超小封裝等技術工藝上持續打磨產品，比如采用WLCSP超小封裝的NOR閃存產品已經上市，可大大縮減系統PCB面積；比如主打超低功耗的1.2V NOR產品即將面世，可顯著延長電池壽命。 NOR閃存可廣泛用于智能手表、智能手環、無線耳機、XR眼鏡/頭顯等智能穿
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兆易創新 NOR Flash
nand flash介紹
Nand-flash內存是flash內存的-種，其內部采用非線性宏單元模式，為固態大容量內存的實現提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數據的存儲，因而在業界得到了越來越廣泛的應用，如嵌入式產品中包括數碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。
NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區域進行，如果目標區域已經有數 [
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