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瑞薩電子推出新型柵極驅動IC 用于驅動EV逆變器的IGBT和SiC MOSFET

  • 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（TSE：6723）近日宣布，推出一款全新柵極驅動IC——RAJ2930004AGM，用于驅動電動汽車（EV）逆變器的IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和SiC（碳化硅）MOSFET等高壓功率器件。柵極驅動IC作為電動汽車逆變器的重要組成部分，在逆變器控制MCU，及向逆變器供電的IGBT和SiC MOSFET間提供接口。它們在低壓域接收來自MCU的控制信號，并將這些信號傳遞至高壓域，快速開啟和關閉功率器件。為適應電動車輛電池的更高電壓，RAJ2930004AGM內置3.75kV
  • 關鍵字： 瑞薩  柵極驅動IC  EV逆變器  IGBT  SiC MOSFET  

碳化硅MOSFET尖峰的抑制

  • SiC MOSFET 作為第三代寬禁帶半導體具有擊穿電場高、熱導率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強等優勢，在各種各樣的電源應用范圍在迅速地擴大。其中一個主要原因是與以前的功率半導體相比，SiC MOSFET 使得高速開關動作成為可能。但是，由于開關的時候電壓和電流的急劇變化，器件的封裝電感和周邊電路的布線電感影響變得無法忽視，導致漏極源極之間會有很大的電壓尖峰。這個尖峰不可以超過使用的MOSFET 的最大規格，那就必須抑制尖峰。MOS_DS電壓尖峰產生的原因在半橋電路中，針對MOS漏極和源極產生的尖峰抑制
  • 關鍵字： Arrow  碳化硅  MOSFET  

基于世平安森美半導體 LV8310 Single-Phase Pre Driver 應用于車內空調循環扇方案

  • 由于現代人對于生活物質的享受要求愈來愈高,汽車駕駛人對于車內空間主觀的價值感要求也是一樣,不管是行駛時可能產生的種種噪音及靜止時冷氣空調循環扇的音量亦是,以空調風扇噪音來說,三相馬達也許是低噪的最佳選擇,但整體成本較高,基于成本及整體效能考量,安森美推出的可優化超前角單相直流無刷馬達驅動方案,可說是性價比最高的選擇。安森美新推出的LV8310 Single phase pre driver 提供可彈性選擇功率晶體以配合不同功率需求的條件及可調整的轉速曲線以優化可控轉速檔次的一致性和可調整超前角功能以優化功
  • 關鍵字： 安森美  ONSemi  LV8310  Single-Phase  Pre Driver  車內空調循環扇  

庫存去化緩 MOSFET上半年市況嚴峻

  • PC、消費性市況在2022年第四季需求持續疲弱，且今年第一季客戶端仍舊處于保守態度，使得MOSFET庫存去化速度將比原先預期更加緩慢，供應鏈預期，最差情況可能要延續到今年第三季才可能逐步結束庫存去化階段。法人預期，尼克松（3317）、杰力（5299）、大中（6435）及富鼎（8261）等MOSFET廠營運可能將維持平淡到今年中。PC、消費性市況在歷經2022年下半年的景氣寒冬，且直到2022年底前都未能有效去化，使得MOSFET市場庫存去化速度緩慢。供應鏈指出，先前晶圓代工產能吃緊，客戶端重復下單情況在2
  • 關鍵字： 庫存  MOSFET  

SiC MOSFET真的有必要使用溝槽柵嗎？

  • 眾所周知，“挖坑”是英飛凌的祖傳手藝。在硅基產品時代，英飛凌的溝槽型IGBT（例如TRENCHSTOP系列）和溝槽型的MOSFET就獨步天下。在碳化硅的時代，市面上大部分的SiC MOSFET都是平面型元胞，而英飛凌依然延續了溝槽路線。難道英飛凌除了“挖坑”，就不會干別的了嗎？非也。因為SiC材料獨有的特性，SiC MOSFET選擇溝槽結構，和IGBT是完全不同的思路。咱們一起來捋一捋。關于IGBT使用溝槽柵的原因及特點，可以參考下面兩篇文章：●   英飛凌芯片簡史●  &n
  • 關鍵字： 英飛凌  MOSFET  

簡述SiC MOSFET短路保護時間

  • 在本設計解決方案中，我們回顧了在工廠環境中運行的執行器中使用的高邊開關電路的一些具有挑戰性的工作條件和常見故障機制。我們提出了一種控制器IC，該IC集成了各種安全功能，以監控電路運行，并在發生這些情況時采取適當措施防止損壞。IGBT和MOSFET有一定的短路承受能力，也就是說，在一定的短路耐受時間（short circuit withstand time SCWT），只要器件短路時間不超過這個SCWT，器件基本上是安全的（超大電流導致的寄生晶閘管開通latch up除外，本篇不討論）。比如英飛凌這個820
  • 關鍵字： 技術田地  MOSFET  

基于 Richtek RT7083GQW MCU+Gate Driver 54W-BLDC壁掛爐熱風機解決方案

  • 近年來，最吸引人眼球的可能是“5G”、“人工智能”、“自動駕駛”等時髦的詞匯，大家的注意力也都集中在這些領域，但其實，有一個已經真正落地，大部分人都還沒注意到的應用——直流無刷電機（BLDC）市場正在悄然興起，而且成長迅速。根據市場公開的資料，2018年全球無刷直流電機的市場規模為153.6億美元，樂觀的市場研究機構預計未來五年，市場將會以13%的年復合增長率持續增長；當然也有機構認為年復合增長率會在6.5%左右。但不論是6.5%，還是13%的增長率，這個市場都非常值得期待。由于BLDC本身可以節約能源，
  • 關鍵字： Richtek  RT7083GQW  MCU  Gate Driver  壁掛爐熱風機  

簡述功率MOSFET電流額定值和熱設計

  • 電氣設備（如斷路器，電機或變壓器）的電流額定值，是指在某個電流下，器件本身達到的溫度可能損害器件可靠性和功能時的電流值。制造商雖然知道器件材料的溫度限值，但是他并不知道使用器件時的環境溫度。因此，他只能假設環境溫度。1、什么是電流額定值？?電氣設備（如斷路器，電機或變壓器）的電流額定值，是指在某個電流下，器件本身達到的溫度可能損害器件可靠性和功能時的電流值。制造商雖然知道器件材料的溫度限值，但是他并不知道使用器件時的環境溫度。因此，他只能假設環境溫度。這就帶來了兩種后果：?? 每個電流
  • 關鍵字： MOSFET  

小而薄的MOSFET柵極驅動IC更適合小型化應用

  • 電器中配電、上電排序和電源狀態轉換都需要負載開關，它可以減小待機模式下的漏電流，抑制浪涌電流，實現斷電控制。負載開關的作用是開啟和關閉電源軌，大部分負載開關包含四個引腳：輸入電壓引腳、輸出電壓引腳、使能引腳和接地引腳。當通過ON引腳使能器件時，導通FET接通，從而使電流從輸入引腳流向輸出引腳，將電能傳遞到下游電路。東芝面向20V電源線路推出的MOSFET柵極驅動IC（集成電路）TCK421G就是一款負載開關，它是TCK42xG系列中的首款產品。該系列器件專門用于控制外部N溝道MOSFET的柵極電壓（基于輸
  • 關鍵字： TOSHIBA  MOSFET  

羅姆的第 4 代SiC MOSFET成功應用于日立安斯泰莫的純電動汽車逆變器

  • 全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）的第4代SiC MOSFET和柵極驅動器IC已被日本先進的汽車零部件制造商日立安斯泰莫株式會社（以下簡稱“日立安斯泰莫”）用于其純電動汽車（以下簡稱“EV”）的逆變器。在全球實現無碳社會的努力中，汽車的電動化進程加速，在這種背景下，開發更高效、更小型、更輕量的電動動力總成系統已經成為必經之路。尤其是在EV領域，為了延長續航里程并減小車載電池的尺寸，提高發揮驅動核心作用的逆變器的效率已成為一個重要課題，業內對碳化硅功率元器件寄予厚望。 羅姆自2010年
  • 關鍵字： 羅姆  SiC MOSFET  日立安斯泰莫  純電動汽車逆變器  

一文讀懂功率半導體

  • 功率半導體是電子裝置中電能轉換與電路控制的核心，主要用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉換等。凡是在擁有電流電壓以及相位轉換的電路系統中，都會用到功率器件，MOSFET、IGBT主要作用在于將發電設備產生的電壓和頻率雜亂不一的“粗電”通過一系列的轉換調制變成擁有特定電能參數的“精電”、供給需求不一的用電終端，為電子電力變化裝置的核心器件之一。在分立器件發展過程中，20世紀50年代，功率二極管、功率三極管面世并應用于工業和電力系統。20世紀60至70年代，晶閘管等半導體功率器件快速發展。20世紀70年代
  • 關鍵字： 功率半導體  MOSFET  IGBT  

國星光電 NS62m 碳化硅功率模塊上線：可用于傳統工控、儲能逆變、充電樁等

  • IT之家 12 月 12 日消息，國星光電研究院基于寬禁帶半導體碳化硅技術，全新推出“NS62m SiC MOSFET 功率模塊新品”，可應用于傳統工控、儲能逆變、UPS、充電樁、軌道交通和其他功率變換領域。面向儲能逆變器市場，國星光電 NS62m 功率模塊新品依托 SiC MOSFET 芯片的性能，提高了功率模塊的電流密度以及開關頻率，降低了開關損耗和導通損耗，減少了無源器件的使用和冷卻裝置的尺寸，最終達到降低系統成本、提升系統效率的目的。國星光電 NS62m 功率模塊采用標準型封裝，半橋拓撲
  • 關鍵字： 國星光電  碳化硅  NS62m  MOSFET  

世平基于安森美半導體 NCP51820 650V Hi-Low Side GaN MOS Driver 應用于小型化工業電源供應器方案

  • 安森美GAN_Fet驅動方案(NCP51820)。 數十年來，硅來料一直統治著電晶體世界。但這個狀況在發現了砷化鎵（GaAs）和砷化鎵、磷（GaAsP）等不同特性的材料后,已經逐漸開始改變。由開發了由兩種或三種材料制成的化合物半導體，它們具有獨特的優勢和優越的特性。但問題在于化合物半導體更難制造且更昂貴。雖然它們比硅具有明顯的優勢。作為解決方案出現的兩個化合物半導體器件是氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）功率電晶體。這些器件可與壽命長的硅功率LDMOS MOSFET和超結MOSFET競爭。GaN和SiC器
  • 關鍵字： NCP51820  安森美  半導體  電源供應器  GaN MOS Driver  

OBC DC/DC SiC MOSFET驅動選型及供電設計要點

  • 新能源汽車動力域高壓化、小型化、輕型化是大勢所趨。更高的電池電壓如800V系統要求功率器件具有更高的耐壓小型化要求功率拓撲具有更高的開關頻率。碳化硅（SiC）作為第三代半導體代表，具有高頻率、高效率、小體積等優點，更適合車載充電機OBC、直流變換器 DC/DC、電機控制器等應用場景高頻驅動和高壓化的技術發展趨勢。本文主要針對SiC MOSFET的應用特點，介紹了車載充電機OBC和直流變換器DC/DC應用中的SiC MOSFET的典型使用場景，并針對SiC MOSFET的特性推薦了驅動芯片方案。最后，本文根
  • 關鍵字： TI  MOSFET  OBC  

Si對比SiC MOSFET 改變技術—是正確的做法

  • 相比基于硅(Si)的MOSFET，基于碳化硅(SiC)的MOSFET器件可實現更高的效率水平，但有時難以輕易決定這項技術是否更好的選擇。本文將闡述需要考慮哪些標準因素。超過 1000 V 電壓的應用通常使用IGBT解決方案。但現在的SiC 器件性能卓越，能夠實現快速開關的單極組件，可替代雙極 IGBT。這些SiC器件可以在較高的電壓下實施先前僅僅在較低電壓 (<600 V) 下才可行的應用。與雙極 IGBT 相比，這些基于 SiC 的 MOSFET 可將功率損耗降低多達 80%。英飛凌進一步優化了
  • 關鍵字： 儒卓力  MOSFET  
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