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板子上的MOSFET莫名炸機，多半是這個原因！

  • MOSFET、IGBT是開關電源最核心也是最容易燒壞的器件！其原因大多是過壓或過流導致功耗大增，從而使器件損壞，甚至可能會伴隨爆炸。而SOA安全工作區測試，就是保障其安全工作的重要測試項目！
  • 關鍵字： MOSFET  ZLG  

瑞森 SGT MOSFET 介紹及應用

  • 最近，瑞森研發部對功率MOSFET的技術進行了更新換代，這種技術改變了MOSFET內部電場的形態，將傳統的三角形電場進一步的變更為類似壓縮的梯形電場，可以進一步減小EPI層的厚度，降低導通電阻Rds(on)。
  • 關鍵字： MOSFET  瑞森  

如何避免功率MOSFET發生寄生導通?

  • 該文描述了引起功率MOSFET發生寄生導通的機制，并進一步指出為了避免寄生導通，在選取MOSFET時應遵循什么準則。
  • 關鍵字： MOSFET  英飛凌  

你的MOSFET為什么發熱那么嚴重？

  • 在開關電源電路中，MOSFET作為最核心的器件，卻也是最容易發熱燒毀的，那么MOSFET到底承受了什么導致發熱呢？本文來帶你具體分析。MOSFET工作原理什么是MOSFET？MOSFET是全稱為Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，即金屬氧化物半導體場效應晶體管的半導體。它可分為NPN型和PNP型。NPN型通常稱為N溝道型，PNP型通常稱P溝道型。如圖1所示，對于N溝道型的場效應管其源極和漏極接在N型半導體上，同樣對于P溝道的場效應管，如圖2所
  • 關鍵字： MOSFET  ZLG  

最全！20V到1700V全覆蓋的國產MOSFET功率器件，工溫最高175℃

  • 中國半導體功率器件十強企業：揚杰科技(YANGJIE)· 主要產品：中低壓MOSFET（VDSS：20V-150V）和高壓MOSFET（VDSS：500V-900V）· 廠牌優勢：專注于功率半導體芯片及器件制造、集成電路封裝測試等領域的產業發展，，通過了ISO9001，ISO14001，IATF16949等認證，連續數年評為中國半導體功率器件十強企業。國內領先的的分立器件研發企業：長晶科技（JSCJ）· 主要產品：覆蓋了12V~700V的功率型MOSFET· 廠牌優勢：專注于功率器件、分立器件、頻率器件、
  • 關鍵字： MOSFET  楊杰科技  長晶科技  

聞達精芯之安，泰然創新于世

  • 安世半導體（Nexperia）是全球半導體行業公認的基礎半導體器件生產專家，持續穩定地大批量生產超越業界質量標準的高效產品。
  • 關鍵字： 202204  MOSFET  

同時實現業界超快反向恢復時間和超低導通電阻的600V耐壓超級結 MOSFET “R60xxVNx系列”

  • 全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）的600V耐壓超級結 MOSFET“PrestoMOS?”產品陣容中又新增了“R60xxVNx系列”的7款機型，新產品非常適用于電動汽車充電樁、服務器、基站等需要大功率的工業設備的電源電路、以及空調等因節能趨勢而采用變頻技術的白色家電的電機驅動。近年來，隨著全球電力消耗量的增加，如何有效利用電力已成為亟待解決的課題，在這種背景下，電動汽車充電樁、服務器和基站等工業設備以及空調等白色家電的效率不斷提升，因此也就要求其中所用的功率半導體進一步降低功率損耗。針對這種
  • 關鍵字： MOSFET  

英飛凌推出采用D2PAK封裝的650 V CoolSiCTM MOSFET，進一步降低應用損耗并提高可靠性

  • 在數字化、城市化和電動汽車等大趨勢的推動下，電力消耗日益增加。與此同時，提升能源效率的重要性也在與日俱增。為了順應當下全球發展大勢并滿足相關市場需求，英飛凌科技股份公司近日推出了650 V CoolSiCTM MOSFET系列新產品。該產品具有高可靠性、易用性和經濟實用等特點，能夠提供卓越的性能。這些SiC器件采用了英飛凌先進的SiC溝槽工藝、緊湊的D2PAK 表面貼裝7引腳封裝和.XT互連技術，廣泛適用于大功率應用，包括服務器、電信設備、工業SMPS、電動汽車快速充電、電機驅動、太陽能系統、儲能系統和電
  • 關鍵字： MOSFET  

東芝推出采用最新一代工藝的150V N溝道功率MOSFET，可大幅提高電源效率

  • 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出150V N溝道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。該器件采用最新一代[1]“U-MOSX-H”工藝，適用于工業設備開關電源，其中包括數據中心電源和通信基站電源。該產品于今日開始支持批量出貨。與使用當前一代“U-MOSⅧ-H”工藝的150V產品TPH1500CNH相比，TPH9R00CQH的漏源導通電阻下降約42%。對新型MOSFET的結構優化促進實現源漏導通電阻和兩項電荷特性[2]之間的平衡[3]，從而實現了優異的低損耗特性。此外，開關
  • 關鍵字： MOSFET  

恩智浦與日立能源合作開發電源模塊，加快碳化硅在電動交通領域的采用

  • 恩智浦半導體（NXP Semiconductors N.V.）近日宣布與日立能源合作，加快碳化硅（SiC）電源半導體模塊在電動交通領域的采用。此次合作項目為動力逆變器提供基于SiC MOSFET的解決方案，更高效可靠且功能安全，該解決方案由恩智浦先進的高性能GD3160隔離式高壓柵極驅動器和日立能源RoadPak汽車SiC MOSFET功率模塊組成。產品重要性電動汽車廠商采用SiC MOSFET動力器件，可比采用傳統硅IGBT獲得更高的續航里程，提高系統整體效率。SiC MOSFET功率器件帶有高性能功率
  • 關鍵字： MOSFET  

如何為開關電源選擇合適的MOSFET？

  • DC/DC開關控制器的MOSFET選擇是一個復雜的過程。僅僅考慮MOSFET的額定電壓和電流并不足以選擇到合適的MOSFET。要想讓MOSFET維持在規定范圍以內，必須在低柵極電荷和低導通電阻之間取得平衡。在多負載電源系統中，這種情況會變得更加復雜。圖1：降壓同步開關穩壓器原理圖。DC/DC開關電源因其高效率而廣泛應用于現代許多電子系統中。例如，同時擁有一個高側FET和低側FET的降壓同步開關穩壓器，如圖1所示。這兩個FET會根據控制器設置的占空比進行開關操作，旨在達到理想的輸出電壓。降壓穩壓器的占空比方
  • 關鍵字： 開關電源  MOSFET  

Nexperia先進電熱模型可覆蓋整個MOSFET工作溫度范圍

  • 基礎半導體元器件領域的高產能生產專家Nexperia（安世半導體）近日宣布MOSFET器件推出全新增強型電熱模型。半導體制造商通常會為MOSFET提供仿真模型，但一般僅限于在典型工作溫度下建模的少量器件參數。Nexperia的全新先進模型可捕獲-55℃至175℃的整個工作溫度范圍的一系列完整器件參數。這些先進模型中加入了反向二極管恢復時間和電磁兼容性(EMC)，大大提升了器件整體精度。參數可幫助工程師建立精確的電路和系統級仿真，并在原型設計前對電熱及EMC性能進行評估。模型還有助于節省時間和資源，工程師此
  • 關鍵字： Nexperia  電熱模型  MOSFET  

羅姆SiC評估板測評：快充測試

  • 一、測試工裝準備1、P02SCT3040KR-EVK-001測試板2、電壓源3、示波器4、負載儀二、測試項目進行1、安裝 SIC后的空載波形SiC安裝空載波形空板，空載GS 為100hz 25V 信號2、DCDC 在線測試1）空載測試驅動空載輸出12V，gs驅動為200hz總寬度3.6uS的錐形信號2）加載  24轉55V  2A dcdc驅動信號波形如下：帶載 6.6k 15V驅動信號單脈沖寬度，3uS左右總結由于輕負載，溫度始終未超過50度。開關速度方面優于硅基產品，以后有對應設備
  • 關鍵字： SiC  碳化硅  MOSFET  ROHM  

羅姆SiC評估板測評：射頻熱凝控制儀測試

  • 測試設備①直流電源由于手上沒有高電壓的直流電源，只能使用一般的電源，且手上只有一個低壓直流穩壓源，所以這穩壓電源既用于給開發板電源供電，又用于半橋母線電源。②電子負載半橋電源電源的輸出負載，可恒流或者恒壓或者恒負載，測試電源的帶載能力非常好用。③信號發生器產生不同頻率的可調制的方波信號，用于MOS管的驅動④示波器觀察驅動信號、輸出信號、MOS管的波形⑤萬用表測量各測試點的電壓⑥溫度巡檢儀測量帶載后MOS管的溫度測試拓撲將說明書中電路按照上述描述修改：兩個直流電源換成CBB電容，在Hvdc母線上加上12V電
  • 關鍵字： SiC  碳化硅  MOSFET  ROHM  

羅姆SiC評估板測評：基于碲化鎘弱光發電玻璃的高效功率變換技術研究

  • 感謝ROHM公司提供的P02SCT3040KR-EVK-001評估板，有幸參與評估板的測試。拿到評估板的第一感覺就是扎實，評估板四層PCB的板子厚度達到了30mm；高壓區域也有明顯的標識。
  • 關鍵字： SiC  碳化硅  MOSFET  ROHM  
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