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如何選擇合適的電路保護

  • 問題：有什么有源電路保護方案可以取代TVS二極管和保險絲？答案：可以試試浪涌抑制器。摘要所有行業的制造商都在不斷推動提升高端性能，同時試圖在此類創新與成熟可靠的解決方案之間達成平衡。設計人員面臨著平衡設計復雜性、可靠性和成本這一困難任務。以一個電子保護子系統為例，受其特性限制，無法進行創新。這些系統保護敏感且成本高昂的下游電子器件（FPGA、ASIC和微處理器），這些器件都要求保證零故障。許多傳統的可靠保護解決方案（例如二極管、保險絲和TVS器件）能夠保持待保護狀態，但它們通常低效、體積龐大且需要維護。為
  • 關鍵字： MOSFET  

碳化硅在新能源汽車中的應用現狀與導入路徑

  • 碳化硅具有高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率等特點，可以很好地滿足新能源汽車電動化發展趨勢，引領和加速了汽車電動化進程，對新能源汽車發展具有重要意義。我國新能源汽車正處于市場導入期到產業成長期過渡的關鍵階段，汽車產銷量、保有量連續6年居世界首位，在全球產業體系當中占了舉足輕重的地位。新能源汽車產業的飛速發展，極大地推動了碳化硅產業發展與技術創新，為碳化硅產品的技術驗證和更新迭代提供了大量數據樣本。
  • 關鍵字： 碳化硅  新能源汽車  功率半導體  202110  MOSFET  SiC  

東芝支持功能安全的車載無刷電機預驅IC的樣品出貨即將開始

  • 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，已開始供應“TB9083FTG”的測試樣品，這是一種面向汽車應用的預驅IC（其中包括電動轉向助力系統和電氣制動器使用的無刷電機）。東芝將在2022年1月提供最終樣品，并將在2022年12月開始量產。TB9083FTG是一種3相預驅IC，能夠控制和驅動用于驅動3相直流無刷電機的外置N溝道功率MOSFET。該產品支持ASIL-D[1]功能安全規范[2]且符合ISO 26262標準第二版的要求，適用于高安全級別的汽車系統。這種新型IC內置三通道預驅，用于控制和
  • 關鍵字： MOSFET  

Vishay SiC45x系列microBUCK同步降壓穩壓器榮獲21IC 2021年度Top 10電源產品獎

  • 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其Vishay Siliconix SiC45x系列microBUCK?同步降壓穩壓器被《21IC中國電子網》評為2021年度Top 10電源產品獎獲獎產品。這款穩壓器采用PowerPAK? 5 mm x 7 mm小型封裝，以其高達40 A的額定輸出電流，優于前代穩壓器的功率密度和瞬變響應能力受到表彰。Top 10電源產品獎已連續舉辦十九屆，成為業內創新電源產品的標志性獎項。獲獎產品由工程師投票，經21IC編委會綜合技術創新、能效、應用開
  • 關鍵字： MOSFET  

雙脈沖測試基礎系列：基本原理和應用

  • 編者按雙脈沖是分析功率開關器件動態特性的基礎實驗方法，貫穿器件的研發，應用和驅動保護電路的設計。合理采用雙脈沖測試平臺，你可以在系統設計中從容的調試驅動電路，優化動態過程，驗證短路保護。雙脈沖測試基礎系列文章包括基本原理和應用，對電壓電流探頭要求和影響測試結果的因素等。為什么要進行雙脈沖測試？在以前甚至是今天，許多使用IGBT或者MOSFET做逆變器的工程師是不做雙脈沖實驗的，而是直接在標定的工況下跑看能否達到設計的功率。這樣的測試確實很必要，但是往往這樣看不出具體的開關損耗，電壓或者電流的尖峰情況，以及
  • 關鍵字： MOSFET  

基于NCL35076或NCL30076的高能效、高精度、高可靠性的可調光LED照明降壓方案

  • 本文主要介紹安森美 (onsemi)的基于NCL35076連續導通模式 (CCM) DC-DC 降壓控制器的75 W方案和基于NCL30076準諧振(QR)降壓控制器的100 W及240 W方案。兩款方案的典型應用是LED照明系統、模擬/PWM可調光LED驅動器，模擬調光范圍寬，從1%到100%。安森美專有的LED電流計算技術和內部檢測及反饋放大器的零輸入電壓偏移，在整個模擬調光范圍內進行精確的穩流，穩流精度在滿載時<±2%，在1%的負載時<±20%。卓越的調光特性可根據負載情況在CCM (N
  • 關鍵字： MOSFET  

Microchip首款碳化硅MOSFET 可降低50%開關損耗

  • 隨著對電動公共汽車和其他電氣化重型運輸車輛的需求增加，以滿足更低的碳排放目標，基于碳化硅的電源管理解決方案正在為此類運輸系統提供更高效率。為了進一步擴充其廣泛的碳化硅MOSFET分離式和模塊產品組合，Microchip推出一款全新 ”生產就緒”的1200V數字柵極驅動器，為系統開發人員提供多層級的控制和保護，以實現安全、可靠的運輸并滿足嚴格的行業要求。 Microchip推出首款碳化硅MOSFET數字柵極驅動器，可降低50%開關損耗對于碳化硅電源轉換設備的設計人員來說，Microchip的Agi
  • 關鍵字： Microchip  碳化硅  MOSFET  

雙極結型晶體管——MOSFET的挑戰者

  • 0? ?引言數字開關通常使用MOSFET 來創建，但是對于低飽和電壓的開關模型，雙極結型晶體管已成為不容忽視的替代方案。對于低電壓和低電流的應用，它們不僅可以提供出色的電流放大效果，還具有成本優勢（圖1）。圖1 雙極結型晶體管可為移動設備提供更長的使用壽命 圖源：IB Photography/Shutterstock在負載開關應用中，晶體管需要精確地放大基極電流，使輸出電壓接近零，以便僅測量晶體管的飽和電壓。MOSFET 通常用于這項用途，因為它們不需要任何底層控制器作為電壓控制組件。
  • 關鍵字： MOSFET  202109  

使用無刷直流電機加速設計周期的3種方法

  • 全球都在致力降低功耗，且勢頭愈來愈烈。許多國家/地區都要求家用電器（如圖 1 所示）滿足相關組織（如中國標準化研究院 (CNIS)、美國能源之星和德國藍天使）制定的效率標準。為了滿足這些標準，越來越多的系統設計人員在設計中放棄了簡單且易用的單相交流感應電機，轉而采用更節能的低壓無刷直流 (BLDC) 電機。為了實現更長的使用壽命和更低的運行噪音，掃地機器人等小型家電的設計人員也轉而在他們的許多系統中使用更先進的 BLDC 電機。同時，永磁技術的進步正不斷簡化 BLDC 電機的制造，在提供相同扭矩（負載）的
  • 關鍵字： MOSFET  BLDC  

面向工業環境的大功率無線電力傳輸技術

  • 1.?? 簡介隨著無線電力傳輸技術在消費類電子產品中的日益普及，工業和醫療行業也把關注焦點轉移至這項技術及其固有優勢。在如 WLAN 和藍牙（Bluetooth）等各項無線技術的推動下，通信接口日益向無線化發展，無線電力傳輸技術也成為一種相應的選擇。采用一些全新的方案，不僅能帶來明顯的技術優勢，還能為新的工業設計開辟更多可能性。這項技術提供了許多新的概念，特別是在需要對抗腐蝕性清潔劑、嚴重污染和高機械應力等惡劣環境的工業領域，例如 ATEX、醫藥、建筑機械等。比如，它可以替代昂貴且易損
  • 關鍵字： MOSFET  

仿真看世界之SiC MOSFET單管的并聯均流特性

  • 開篇前言關于SiC MOSFET的并聯問題，英飛凌已陸續推出了很多技術資料，幫助大家更好的理解與應用。此文章將借助器件SPICE模型與Simetrix仿真環境，分析SiC MOSFET單管在并聯條件下的均流特性。特別提醒仿真無法替代實驗，僅供參考。1、選取仿真研究對象SiC MOSFETIMZ120R045M1(1200V/45mΩ)、TO247-4pin、兩并聯Driver IC1EDI40I12AF、單通道、磁隔離、驅動電流±4A(min)2、仿真電路Setup如圖1所示，基于雙脈沖的思路，搭建雙管并
  • 關鍵字： MOSFET  

功率半導體IGBT失效分析與可靠性研究

  • 高端變頻空調在實際應用中出現大量外機不工作，經過大量失效主板分析確認是主動式PFC電路中IGBT擊穿失效，本文結合大量失效品分析與電路設計分析，對IGBT失效原因及失效機理分析，分析結果表明：經過對IGBT失效分析及IGBT工作電路失效分析及整機相關波形檢測、熱設計分析、IGBT極限參數檢測對比發現IGBT失效由多種原因導致，IGBT在器件選型、器件可靠性、閂鎖效應、驅動控制、ESD能力等方面存在不足，逐一分析論證后從IGBT本身及電路設計方面全部提升IGBT工作可靠性。
  • 關鍵字： 主動式PFC升壓電路  IGBT  SOA  閂鎖效應  ESD  熱擊穿失效  202108  MOSFET  

羅姆即將亮相2021 PCIM Asia深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會

  • 全球知名半導體制造商羅姆將于2021年9月9日~11日參加在深圳國際會展中心舉辦的PCIM Asia 2021深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會(展位號:11號館B39),屆時將展示面向工業設備和汽車領域的、以世界先進的SiC(碳化硅)元器件為核心的產品及電源解決方案。同時,羅姆工程師還將在現場舉辦的“SiC/GaN功率器件技術與應用分析大會”以及“電動交通論壇”等同期論壇上發表演講,分享羅姆最新的碳化硅技術成果。展位效果圖羅姆擁有世界先進的SiC為核心的功率元器件技術,以及充分發揮其性能的控制IC和
  • 關鍵字： MOSFET  

了解熱阻在系統層級的影響

  • 在電阻方面，電流流動的原理可以比作熱從熱物體流向冷物體時遇到的阻力。每種材料及其接口都有一個熱阻，可以用這些數字來計算從源頭帶走熱的速率。在整合式裝置中，半導體接面是產生熱的來源，允許接面超過其最大操作溫度將導致嚴重故障。整合式裝置制造商雖使用一些技術來設計保護措施，以避免發生過熱關機等情況，但不可避免的是仍會造成損壞。一個更好的解決方案，就是在設計上選擇抑制 (或至少限制) 會造成接面溫度超過其操作最大值的情況。由于無法直接強制冷卻接面溫度，透過傳導來進行散熱是確保不會超過溫度的唯一方法。工程師需要在這
  • 關鍵字： MOSFET  

BUCK轉換器的PCB布局設計

  • 討論了BUCK轉換器的開通回路、關斷回路的電流特性，具有高電流變化率di/dt的輸入回路，以及具有高的電壓變化率dV/dt的開關節點是其關鍵回路和關鍵 節點，使用盡可能小的環路，短粗布線，優先對其進行PCB布局。給出了多層板的信號分配原則，也給出了分立和集成的BUCK轉換器的PCB布局技巧和一些實例，分析了它們的優缺點。
  • 關鍵字： PCB布局  磁場干擾  電場干擾  MOSFET  202108  
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