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派恩杰SiC MOSFET批量“上車”，擬建車用SiC模塊封裝產線
- 自2018年特斯拉Model3率先搭載基于全SiC MOSFET模塊的逆變器后，全球車企紛紛加速SiC MOSFET在汽車上的應用落地。但目前全球碳化硅市場基本被國外壟斷，據Yole數據，Cree，英飛凌，羅姆，意法半導體占據了90%的市場份額。國產廠商已有不少推出了碳化硅二極管，但具有SiC MOSFET研發和量產能力的企業鳳毛麟角。近日，據業內人士透露，國產碳化硅功率器件供應商派恩杰半導體（杭州）有限公司（簡稱派恩杰）的SiC MOSFET產品在新能源汽車OBC應用驗證取得了重大突破，獲得了新能源汽車
- 關鍵字： MOSFET
安森美在ASPENCORE全球電子成就獎和EE Awards Asia贏得頭籌
- 領先于智能電源和智能感知技術的安森美(onsemi)近日宣布其NCP51561隔離SiC MOSFET門極驅動器獲ASPENCORE全球電子成就獎（WEAA）的功率半導體/驅動器類獎項。WEAA項目表彰對全球電子行業的創新和發展做出杰出貢獻的企業和個人，由ASPENCORE全球分析師及其用戶社群選出獲獎者。安森美同時宣布其壓鑄模功率集成模塊（TM-PIM）獲EE Awards Asia的功率IC產品類獎項，同時公司以其先進的汽車方案和智能電源產品獲得最孚眾望的電動車(EV)功率半導體供應商獎。EE Awa
- 關鍵字： MOSFET
東芝推出用于IGBT／MOSFET柵極驅動的薄型封裝高峰值輸出電流光耦
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出采用薄型SO6L封裝的兩款光耦---“TLP5705H”和“TLP5702H”，可在小型IGBT／MOSFET中用作絕緣柵極驅動IC。這兩款器件于近日開始支持批量出貨。TLP5705H是東芝首款采用厚度僅有2.3毫米（最大值）的薄性封裝（SO6L）可提供±5.0A峰值輸出電流額定值的產品。傳統采用緩沖電路進行電流放大的中小型逆變器與伺服放大器等設備，現在可直接通過該光耦驅動其IGBT／MOSFET而無需任何緩沖器。這將有助于減少部件數量并實現設計小型
- 關鍵字： MOSFET
非常見問題第191期：負載點DC-DC轉換器解決電壓精度、效率和延遲問題
- 問題：為什么使用DC-DC轉換器應盡可能靠近負載的負載點(POL)電源？答案：效率和精度是兩大優勢，但實現POL轉換需要特別注意穩壓器設計。接近電源。這是提高電源軌的電壓精度、效率和動態響應的最佳方法之一。負載點轉換器是一種電源DC-DC轉換器，放置在盡可能靠近負載的位置，以接近電源。因POL轉換器受益的應用包括高性能CPU、SoC和FPGA——它們對功率級的要求都越來越高。例如，在汽車應用中，高級駕駛員輔助系統(ADAS)——例如雷達、激光雷達和視覺系統——中使用的傳感器數量在穩步倍增，導致需要更快的數
- 關鍵字： MOSFET
Diodes Incorporated 目標電動汽車產品應用推出高電流 TOLL MOSFETs
- Diodes 公司為金屬氧化物半導體場效晶體管 (MOSFET) 近日推出節省空間、高熱效率的 TOLL (PowerDI?1012-8) 封裝，能在 175°C、100 瓦等級的 DMTH10H1M7STLWQ及 DMTH10H2M5STLWQ 下運作，另外，80 瓦等級的 DMTH8001STLWQ 金屬氧化物半導體場效晶體管 (MOSFET) 比 TO263 占據的 PCB 面積少了百分之二十。產品的特色是剖面外的模板只有 2.4 毫米厚。這特色讓產品成為高可靠性電力產品應用的最佳選擇，像是能量熱回
- 關鍵字： MOSFET
SRII重磅亮相CICD 2021，以先進ALD技術賦能第三代半導體產業
- 功率器件作為半導體產業的重要組成部分，擁有非常廣泛的技術分類以及應用場景。例如，傳統的硅基二極管、IGBT和MOSFET等產品經過數十年的發展，占據了絕對領先的市場份額。不過，隨著新能源汽車、數據中心、儲能、手機快充等應用的興起，擁有更高耐壓等級、更高開關頻率、更高性能的新型SiC、GaN等第三代半導體功率器件逐漸嶄露頭角，獲得了業界的持續關注。如今，在生產工藝不斷優化、成本持續降低的情況下，老牌大廠與初創企業紛紛加碼第三代半導體，SiC和GaN功率器件開始投入批量應用，并迎來了關鍵的產能爬坡階段。作為半
- 關鍵字： MOSFET
提高遲滯，實現平穩的欠壓和過壓閉鎖
- 電阻分壓器可將高電壓衰減至低壓電路能夠承受的電平，且低壓電路不會出現過載或損壞。在功率路徑控制電路中，電阻分壓器有助于設置電源欠壓和過壓閉鎖閾值。這種電源電壓驗證電路常見于汽車系統、便攜式電池供電儀器儀表以及數據處理和通信板中。欠壓閉鎖(UVLO)可防止下游電子系統在異常低的電源電壓下工作，避免導致系統故障。例如，當電源電壓低于規格要求時，數字系統可能性能不穩定，甚至死機。當電源為可充電電池時，欠壓閉鎖可防止電池因深度放電而受損。過壓閉鎖(OVLO)可保護系統免受破壞性地高電源電壓的影響。由于欠壓和過壓閾
- 關鍵字： MOSFET
基于eGaN FET的2 kW、48V/12V DC/DC轉換器演示板，讓設計師實現用于輕度混合動力汽車的更高效、更小、更快的雙向轉換器
- EPC9163是一款兩相48 V/12 V雙向轉換器，可提供2 kW的功率和實現96.5%的效率，是適用于輕度混合動力汽車和備用電池裝置的小型化解決方案。宜普電源轉換公司（EPC）宣布推出EPC9163，這是一款 2 kW、兩相的48 V /12 V雙向轉換器演示板，可在非常小的占板面積上實現 96.5%的效率。該演示板的設計具有可擴展性 - 并聯兩個轉換器可以實現4 kW的功率，或者并聯三個轉換器以實現6 kW。該板采用8個100 V 的eGaN?FET（EPC2218），并由模塊控制，該模塊采用Mic
- 關鍵字： MOSFET
添加靈活的限流功能
- 問題：我可以根據負載輕松而精確地進行限流嗎？答案：可以使用限流IC進行限流。在一些電源管理應用中，需要精確地限制電流。無論是要保護電源（例如，中間電路電壓需要過載保護以便能夠可靠地為其他系統部件提供電能），還是在故障情況下保護可能由于過流而造成損壞的負載，都需要精確地限制電流。在尋找合適的DC-DC負載點穩壓器來滿足此要求時，我們發現市面上具有可調限流功能的電壓轉換器很少見。可調限流功能在采用外部電源開關的控制器設計中更加常見，而所有的集成解決方案很少提供此類功能。而且，可調限流功能的精度通常不是很高。以
- 關鍵字： MOSFET
使用無損耗過零點檢測功能提高智能家居和智能建筑(HBA)應用中的AC輸入開關效率和可靠性
- 在越來越多的應用中，對導通和關斷AC輸入電源的器件的性能進行優化是一個重要考慮因素，這些應用包括智能家居/智能建筑(HBA)、支持物聯網(IoT)的家電、智能開關和插頭、調光器和人體感應傳感器，特別適用于采用繼電器或可控硅進行功率控制的設計。當AC電源異步導通或關斷而不考慮其所處的電壓時，效率和可靠性會受到不利影響，必須添加電路以保護開關免受高瞬態電流的影響。當AC電源異步導通時，浪涌電流可能超過100A。反復暴露于高浪涌電流會對繼電器和可控硅的可靠性和使用壽命產生負面影響。電觸點的預期壽命因浪涌電流需求
- 關鍵字： MOSFET
在單個封裝中提供完整的有源功率因數校正解決方案
- 源設計者如今面臨兩個主要問題：消除有害的輸入諧波電流和確保功率因數盡可能地接近于1。有害的諧波電流會導致傳輸設備過熱，并帶來后續必須解決的干擾難題；這兩者也會對電路的尺寸和/或效率產生不利影響。如果施加在線路上的負載不是純電阻性的，輸入電壓和電流波形之間將產生相移，從而增加視在功率并降低傳輸效率。如果非線性負載使輸入電流波形失真，則會引起電流諧波，從而進一步降低傳輸效率并將干擾引入市電電網。如果要解決這些問題，需要了解功率變換的基本原理。電源當中通常將來自墻上插座的交流電壓連接至整流電路，整流管將交流電壓
- 關鍵字： MOSFET
利用氮化鎵芯片組實現高效率、超緊湊的反激式電源
- 目前市面上出現了一個新的芯片組，它由具有耐用的750V氮化鎵(GaN)初級側開關的反激式IC方案與創新的高頻有源鉗位方案組合而成，能夠為手機、平板電腦和筆記本電腦設計出額定功率高達110W的新型超緊湊充電器。此芯片組來自Power Integrations，包含內部集成PowiGaN?開關的InnoSwitch?4-CZ零電壓開關(ZVS)反激式控制器和提供有源鉗位解決方案的ClampZero?產品系列。這些新IC可用于設計效率高達95%且在不同輸入電壓條件下保持恒定的反激式電源。這種InnoSwitch
- 關鍵字： MOSFET
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