晶體管是一個簡單的組件，可以使用它來構建許多有趣的電路。在本文中，將帶你了解晶體管是如何工作的，以便你可以在后面的電路設計中使用它們。 一旦你了解了晶體管的基本知識，這其實是相當容易的。我們將集中討論兩個最常見的晶體管：BJT和MOSFET。 晶體管的工作原理就像電子開關，它可以打開和關閉電流。一個簡單的思考方法就是把晶體管看作沒有任何動作部件的開關，晶體管類似于繼電器，因為你可以用它來打開或關閉一些東西。當然了晶體管也可以部分打開，這對于放大器的設計很有用。晶體管是一個簡單的組件，可以使用它來構建許多有
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放大器 晶體管 MOS BJT
開關電源（Switch Mode Power Supply，簡稱SMPS），又稱交換式電源、開關變換器，是電源供應器的一種高頻化電能轉換裝置，也是一種以半導體功率器件為開關管，控制其關斷開啟時間比率，來保證穩定輸出直流電壓的電源。開關電源（Switch Mode Power Supply，簡稱SMPS），又稱交換式電源、開關變換器，是電源供應器的一種高頻化電能轉換裝置，也是一種以半導體功率器件為開關管，控制其關斷開啟時間比率，來保證穩定輸出直流電壓的電源。在目前電子產品的飛速增長中，開關電源憑借其70%~
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瑞森半導體 MOS 開關電源
極限TP4057充電模塊TP4057是一款單節鋰電池專用的恒流/恒壓線性充電IC,其內部帶有電池反接保護及防倒充電路。該充電IC的工作電壓范圍為4～6V,靜態工作電流僅有40μA模塊尺寸8x10mm。集成鋰電保護和指示燈。可作為SMT貼片模塊使用貼裝在其他主板上
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充電IC TP4054 TP4056 TP4057 電源管理IC MOS
隨著USB PD產品的廣泛應用與普及化，Infineon推出全新數位共振返馳式PWM電源控制芯片，此一架構除較現行客戶常使用之ACF架構更具競爭力，在電路設計上相對容易，還可減少元件數量，且數位化的設計界面可滿足不同輸出瓦數的產品應用，提高在設計上的靈活度與可靠性。同時搭配Cypress PD控制芯片，借由數位控制與參數設定功能來改變輸出電壓，藉以符合各種不同產品的應用。同時Infineon共振返馳式電源芯片在與Cypress PD控制芯片，可大幅度提高效率與功率密度的表現，更可以減少客戶的產品設計與開發
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Infineon Mos Charger AdapterXDPS2201 CYPD3174
本文對于 MOS 管工作在開關狀態下的 Miller 效應的原因與現象進行了分析。巧妙的應用 Miller 效應可以實現電源的緩啟動。01 Miller效應一、簡介MOS管的米勒效應會在高頻開關電路中，延長開關頻率、增加功耗、降低系統穩定性，可謂是臭名昭著，各大廠商都在不遺余力的減少米勒電容。下面波形是在博文 ZVS振蕩電路工作原理分析[1] 中觀察到振蕩 MOS 管柵極電壓與漏極電壓波形。可以看到柵極電壓在上升階段具有一個平坦的小臺階。這就是彌勒效應所帶來的 MOS 管驅動電壓波
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MOS Miller
1、放大電路場效應管具有輸入阻抗高、低噪聲等特點，因此經常作為多級放大電流的輸入級，與三極管一樣，根據輸入、輸出回路公共端選擇不同，將場效應管放電電路分為共源、公漏、共柵三種狀態，如下圖是場效應管共源放大電路，其中：Rg是柵極電阻，將Rs壓降加至柵極；Rd是漏極電阻，將漏極電流轉換成漏極電壓，并影響放大倍數Au；Rs是源極電阻，為柵極提供偏壓；C3是旁路電容，消除Rs對交流信號的衰減。2、電流源電路恒流源在計量測試應用很廣泛，如下圖是主要是由場效應管組成的恒流源電路，這是可作為磁電式儀表調標尺工序。由于場
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MOSFET MOS 場效應管
一、什么是開關電源開關模式電源（SwitchModePowerSupply，簡稱SMPS），又稱交換式電源、開關變換器，是一種高頻化電能轉換裝置，是電源供應器的一種。其功能是將一個位準的電壓，透過不同形式的架構轉換為用戶端所需求的電壓或電流。開關電源的輸入多半是交流電源（例如市電）或是直流電源，而輸出多半是需要直流電源的設備，例如個人電腦，而開關電源就進行兩者之間電壓及電流的轉換。二、開關損耗開關損耗包括導通損耗和截止損耗。1、導通損耗指功率管從截止到導通時,所產生的功率損耗。截止損耗指功率管從導通到截止
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開關電源 MOS MOSFET
模擬電路設計的九個級別，類似下圍棋的段位。請從一段到九段仔細閱讀，看看自己處于什么水平，值得一看哦~
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模電 模擬電路 MOS
寬禁帶?材料實現了較當前硅基技術的飛躍。 它們的大帶隙導致較高的介電擊穿，從而降低了導通電阻(RSP)。 更高的電子飽和速度支持高頻設計和工作，降低的漏電流和更好的導熱性有助于高溫下的工作。安森美半導體提供圍繞寬禁帶方案的獨一無二的生態系統，包含從旨在提高強固性和速度的碳化硅(SiC)二極管、SiC MOSFET到 SiC MOSFET的高端IC門極驅動器。 除了硬件以外，我們還提供spice物理模型，幫助設計人員在仿真中實現其應用性能，縮短昂貴的測試周期。我們的預測性離散建模可以進行系統級仿真
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IC RDS(on) CAD MOSFET SiC MOS
繼分別推出≤5W和5-60W 小功率AC/DC電源控制芯片后，為滿足客戶更廣的應用范圍及更低的價格需求，金升陽推出超低靜態功耗、內置高壓MOS且性價比更高的新產品—SCM1733ASA。一、芯片介紹SCM1733ASA 是應用于中小功率AC/DC反激式開關電源的高性能電流模式PWM控制器，內置高壓功率MOS，最大輸出功率達20W，待機功耗＜75mW，具有極低的啟動電流和工作電流，可在實現低的損耗的同時保證可靠啟動。芯片滿載工作時，PWM開關頻率固定；降低負載后，進入綠色模式，開關頻率降低；在空載和輕載時，
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EMI PWM MOS
一般認為MOSFET是電壓驅動的，不需要驅動電流。然而，在MOS的G、S兩級之間，有結電容存在。這個電容會讓驅動MOS變的不那么簡單......
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MOS MOSFET
發光二極管就是俗稱的LED，由于較容易入門且普及率高，很多新手在進行入門學習時經常會選擇發光二極管來入手。本文將對發光二極管與MOS之間的特定關系
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發光二極管 MOS 電流
在大功率電源當中，MOS器件的消耗至關重要。其很有可能關系到電源的整體效率。在之前的文章中，小編為大家介紹了一些功率耗散的方法，在本文中，小編將
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同步整流器 MOS 功率
如何設計防反接保護電路？-利用MOS管的開關特性，控制電路的導通和斷開來設計防反接保護電路，由于功率MOS管的內阻很小，解決了現有采用二極管電源防反接方案存在的壓降和功耗過大的問題。
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mos
揭秘高效電源如何選擇合適的MOS管-在當今的開關電源設備中，MOS管的特性、寄生參數和散熱條件都會對MOS管的工作性能產生重大影響。因此深入了解功率MOS管的工作原理和關鍵參數對電源設計工程師至關重要。
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MOS 電源
mos介紹
MOS
金屬氧化物半導體
MOS
metal-oxide semiconductor
以襯底材料氧化物為絕緣層的金屬-絕緣層-半導體結構。對于硅襯底來說，絕緣層是二氧化硅(SiO2)。場效應晶體管、電容器、電阻器和其他半導體設備都是用這種結構制造。MOS工藝包括CMOS,DMDS，NMOS，PMOS。
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