- 在半導體領域，隨著技術的不斷演進，對CMOS（互補金屬氧化物半導體）可靠性的要求日益提高。特別是在人工智能（AI）、5G通信和高性能計算（HPC）等前沿技術的推動下，傳統的可靠性測試方法已難以滿足需求。本文將探討脈沖技術在CMOS可靠性測試中的應用，以及它如何助力這些新興技術的發展。引言對于研究半導體電荷捕獲和退化行為而言，交流或脈沖應力是傳統直流應力測試的有力補充。在NBTI（負偏置溫度不穩定性）和TDDB（隨時間變化的介電擊穿）試驗中，應力/測量循環通常采用直流信號，因其易于映射到器件模型中。然而，結
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CMOS 可靠性測試 脈沖技術 AI 5G HPC 泰克科技
- 攝像頭CMOS傳感器（CMOS Image Sensor, CIS）是成像設備的核心部件，廣泛應用于智能手機、安防監控、汽車電子、工業檢測等領域。以下是國內外主流的CMOS傳感器廠家及其主要特點和代表性型號：從智能手機到自動駕駛，從安防監控到工業檢測，CIS的身影無處不在。隨著技術不斷演進，CIS市場格局也在悄然變化。今天，我們就來一次全景掃描，盤點國內外主流CMOS傳感器廠商，以及那些正在崛起的新興勢力。當年最缺芯片的時候，我別的不擔心，最擔心買不到索尼的Sensor，結果一開始我們用中國臺灣的可以替代
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CMOS 圖像傳感器 ISP
- 當涉及到技術創新時，圖像傳感器的選擇是設計和開發各種設備過程中一個至關重要的環節，這些設備包括專業或家庭安防系統、機器人、條形碼掃描儀、工廠自動化、設備檢測、汽車等。選擇最合適的圖像傳感器需要對眾多標準進行復雜的評估，每個標準都會影響最終產品的性能和功能。從光學格式和、動態范圍到色彩濾波陣列（CFA）、像素類型、功耗和特性集成，這些標準的考慮因素多種多樣，錯綜復雜。在各類半導體器件中，圖像傳感器可以說是最復雜的。這些傳感器將光子轉換為電信號，通過一系列微透鏡、CFA、像素和模數轉換器（ADC）產生數字輸出
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圖像傳感器 CMOS 成像性能
- 3月7日消息，近日，綜合韓聯社、ZDNet Korea、MK等多家韓媒報道，SK海力士在內部宣布將關閉其CIS（CMOS圖像傳感器）部門，該團隊的員工將轉崗至AI存儲器領域。SK海力士稱其CIS團隊擁有僅靠存儲芯片業務無法獲得的邏輯制程技術和定制業務能力。存儲和邏輯半導體高度融合的趨勢下，將CIS團隊和存儲部門聚合為一個整體，才能進一步提升企業的AI存儲器競爭力。
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SK海力士 CIS CMOS AI存儲器
- 異質異構Chiplet正成為后摩爾時代AI海量數據處理的重要技術路線之一，正引起整個半導體行業的廣泛關注，但這種方法要真正實現商業化，仍有賴于通用標準協議、3D建模技術和方法等。然而，以拓展摩爾定律為標注的模擬類比芯片技術，在非尺寸依賴追求應用多樣性、多功能特點的現實需求，正在推動不同半導體材料的異質集成研究。為此，復旦大學微電子學院張衛教授、江南大學集成電路學院黃偉教授合作開展了Si CMOS+GaN單片異質集成的創新研究，并在近期國內重要會議上進行報道。復旦大學微電子學院研究生杜文張、何漢釗、范文琪等
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復旦大學 Si CMOS GaN 單片異質集成
- onsemi
AR0823AT 是一款 1/1.8 英寸的 CMOS 數位影像感測器，擁有 3840 H x 2160 V
的有效像素陣列。這款先進的汽車用感測器能以高動態范圍 (HDR) 并結合 LED 閃爍抑制 (LFM) 捕捉影像。AR0823AT
可在每一幀中同時捕捉低光與極高亮度的場景，其 2.1 μm 超級曝光像素能實現高達 150 dB
的動態范圍，而無需進行自動曝光調整。這顯著降低了場景依賴的汽車關鍵系統的延遲，實現更快速且更安全的數據收集與決策。AR0823AT 的雙輸出
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安森美 AR0823AT Hyperlux CMOS Digital Image Sensor
- 根據相機及影像產品協會（CIPA）公布的數據，2024 年 1 月至 5 月，中國市場相機出貨量全球占比達到 23.4%，躍居繼美洲之后的全球第二大市場。在智能手機沖擊下曾一度遇冷的相機市場，如今因直播電商、短視頻等新興產業的崛起而重新煥發生機。產品創新與流量經濟的交織，正在為傳統行業打開一條全新的消費路徑。日本佳能副社長、執行董事小澤秀樹也表示，2023 年中國數碼相機市場實現了 25% 的增長，其中無反相機更是增長了 31%，預計 2024 年這一增長勢頭將持續，無反相機的增長有望達到 35%。隨著近
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無反相機 CMOS 傳感器
- 8月19日消息，今日，晶合集成宣布與思特威聯合推出業內首顆1.8億像素全畫幅（2.77英寸）CMOS圖像傳感器（以下簡稱CIS），為高端單反相機應用圖像傳感器提供更多選擇。據了解，晶合集成基于自主研發的55納米工藝平臺，與思特威共同開發光刻拼接技術，克服了在像素列中拼接精度管控以及良率提升等困難，成功突破了在單個芯片尺寸上，所能覆蓋一個常規光罩的極限。同時確保在納米級的制造工藝中，拼接后的芯片依然保證電學性能和光學性能的連貫一致。晶合集成表示，首顆1.8億像素全畫幅CIS的成功試產，既標志著光刻拼接技術在
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CMOS 晶合 圖像傳感器 索尼
- 8 月 19 日消息，晶合集成今日官宣，該公司與思特威聯合推出業內首顆 1.8 億像素全畫幅（2.77 英寸）CIS（CMOS 圖像傳感器），為高端單反相機應用圖像傳感器提供更多選擇。▲ 產品圖，圖源晶合集成，下同據介紹，為滿足 8K 高清化的產業要求，高性能 CIS 的需求與日俱增。晶合集成基于自主研發的 55 納米工藝平臺，攜手思特威共同開發光刻拼接技術，克服了在像素列中拼接精度管控以及良率提升等困難，成功突破了在單個芯片尺寸上，所能覆蓋一個常規光罩的極限，同時確保在納米級的制造工藝中，拼接后的芯片依
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CMOS 圖像傳感器 CIS
- 為特定CMOS工藝節點設計的SPICE模型可以增強集成電路晶體管的模擬。了解在哪里可以找到這些模型以及如何使用它們。我最近寫了一系列關于CMOS反相器功耗的文章。該系列中的模擬采用了LTspice庫中預加載的nmos4和pmos4模型。雖然這種方法完全適合這些文章，但如果我們的主要目標是準確模擬集成電路MOSFET的電學行為，那么結合一些外部SPICE模型是有意義的。在本文中，我將介紹下載用于IC設計的高級SPICE模型并在LTspice原理圖中使用它們的過程。然后，我們將使用下載的模型對NMOS晶體管進
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CMOS，MOSFET 晶體管，Spice模型
- 當CMOS反相器切換邏輯狀態時，由于其充電和放電電流而消耗功率。了解如何在LTspice中模擬這些電流。本系列的第一篇文章解釋了CMOS反相器中兩大類功耗：動態，當反相器從一種邏輯狀態變為另一種時發生。靜態，由穩態運行期間流動的泄漏電流引起。我們不再進一步討論靜態功耗。相反，本文和下一篇文章將介紹SPICE仿真，以幫助您更徹底地了解逆變器的不同類型的動態功耗。本文關注的是開關功率——當輸出電壓變化時，由于電容充電和放電而消耗的功率。LTspice逆變器的實現圖1顯示了我們將要使用的基本LTspice逆變器
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CMOS，反相器，功耗 仿真，LTspice
- 本文解釋了CMOS反相器電路中的動態和靜態功耗。為集成電路提供基本功能的CMOS反相器的發展是技術史上的一個轉折點。這種邏輯電路突出了使CMOS特別適合高密度、高性能數字系統的電氣特性。CMOS的一個優點是它的效率。CMOS邏輯只有在改變狀態時才需要電流——簡單地保持邏輯高或邏輯低電壓的CMOS電路消耗的功率非常小。一般來說，低功耗是一個理想的功能，當你試圖將盡可能多的晶體管功能封裝在一個小空間中時，這尤其有益。正如計算機CPU愛好者提醒我們的那樣，充分去除集成電路中的熱量可能很困難。如果沒有CMOS反相
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CMOS，反相器，功耗
- Teledyne Technologies[紐交所代碼：TDY]旗下公司、全球成像解決方案創新者Teledyne e2v宣布擴展其Flash? CMOS圖像傳感器系列，推出Flash 2K LSA，該產品專門適用于需要使用大沙姆角（LSA）的激光輪廓應用。Teledyne
e2v的Flash系列CMOS圖像傳感器專為三維激光輪廓/位移應用和高速/高分辨率檢測量身定制。Flash 2K LSA是Flash
2K傳感器的衍生產品，適用于需要大沙伊姆弗勒角度的應用，其角度響應在30°角度下為四倍以上，在
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CMOS 圖像傳感器 Flash
- 問題引入在工作中，會遇到OC門與OD門的稱謂。而感性的認識一般為：OD門是采用MOS管搭建的電路，壓（電壓）控元器件。OC門是采用晶體管搭建的電路，流（電流）控元器件。而OD門的功率損耗一般是小于OC門，為什么？電平TTL電平：輸出電平：高電平Uoh >=2.4v 低電平Uol <= 0.4v輸入電平：高電平Uih >= 2.0v 低電平 Uil <= 0.8vCMOS電平：輸出電平：高電平Uoh ≈ VCC Uol ≈ GND輸入電平：高電平Uih >= 0.7*VCC U
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TTL電路 CMOS
- 用機器視覺代替人眼來判別顏色之間的差異，實現在線檢測，大大提高了檢測效率，同時對產品進行全檢，檢測結果更為客觀、更準確。無論是分撿水果和蔬菜還是檢查運動鞋，在保證可靠性的前提下高速捕獲準確的色彩和豐富的細節都要求相機具備某些特征。那么，相機廠商該如何應對這些需求提出的挑戰呢？Blackfly S和Oryx將新的CMOS傳感器及高級色彩算法完美結合，并具備：色彩校正矩陣，用于實現在任一照明條件下的精確色彩再現；高質量圖像，卓越的靈敏度和動態范圍，能夠較大限度提升圖像對比度；靈活多變的自定義觸發設置，準確觸發
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傳感器 色彩 CMOS
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