摘要：本文研究了基于MOS固態開關的高頻高壓脈沖源中的電磁兼容問題，通過分析其干擾信號頻譜分布及傳播路徑，制定了以屏蔽和濾波為主的電磁兼容方案，最終實現了重復頻率80kHz，4kV脈沖源，實驗驗證了電磁兼容措施的
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電磁兼容 問題 研究 脈沖 高壓 MOS 開關 高頻 基于
相對通用的電路電路圖如下：圖1用于NMOS的驅動電路圖2用于PMOS的驅動電路這里只針對NMOS...
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MOS 驅動電路
現在的MOS驅動，有幾個特別的應用1、低壓應用當使用5V電源，這時候如果使用傳統的圖騰柱結構，由于...
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MOS
在使用MOS管設計開關電源或者馬達驅動電路的時候，大部分人都會考慮MOS的導通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很...
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MOS
前不久，能源之星發布了2.0版外部電源能效規范。新規范大幅提高了工作頻率要求，同時進一步降低待機功耗要求。...
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mos
本文詳細分析計算開關損耗，并論述實際狀態下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關斷的過程，從而使電子工程師知...
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mos/開關損耗
對于一位開關電源工程師來說，在一對或多對相互對立的條件面前做出選擇，那是常有的事。而我們今天討論的這個話題就是一對相互對立的條件。（即要限制主MOS管最大反峰，又要RCD吸收回路功耗最小） 在討論前我們先做
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吸收 回路 RCD 管反峰 設計 MOS 開關電源
MOS-FET雖然與JFET結構不同，但特性極為相似，N溝道和P溝道各分增強型和耗盡型，可在許多電路中代替J-FET，如圖5.4-97所示，電路用MOS-FET代替J-FET更簡單，如釁5.4-100所示短路開關對應圖5.4-96中的A、C、D三個電路
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MOS-FET 開關電路
電路的功能如使用發光二極管直流發光，正向偏流只能在數10MA以下，允以獲得大的發光輸出，若采用縮小導通時的占空比，則可獲得大的峰值電流。本電路發光頻率為1KHZ，脈沖載頻為38KHZ，受發光電路很容易分辯外來光。電
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驅動 電路 脈沖 發光二極管 C-MOS 與非門 采用
電路的功能近來出現了把TTL器件換成C-MOS器件的趨勢，而且74HC系列產品也得到了進一步的充實。用2級TTL構成的時鐘振蕩電路已可用C-MOS IC構成的振蕩電路替代，因為TTL IC如果置偏電阻等元件參數選擇不當，容易停振或
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C-MOS 轉換器 石英晶體 振蕩電路
電路的功能若要用555芯片組成長時間定時電路，R用高阻值，便可加長CR時間常數，但是，由于內部比較器的輸入偏流較大，難以充電到門限電壓，比較器無法驅動，為此，本電路采用了偏流非常小的C-MOS定時器芯片，選用高阻
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電路 定時 C-MOS 時間 設定
2008年，受到全球半導體市場衰退的影響，中國集成電路產業由前幾年的較快增長轉變為下滑。盡管中國以內需市場為主的集成電路設計業仍實現了一定增長，但嚴重依賴出口的芯片制造和封測行業下滑嚴重。市場的變化和利潤的減少迫使企業不斷創新，知識產權問題將變得更加重要。作為集成電路行業特殊的知識產權保護形式，集成電路布圖設計登記應得到更多的關注。
最近，中國半導體行業協會知識產權工作部和上海硅知識產權交易中心聯合推出中國集成電路布圖設計登記2008年度報告，本期刊登部分節選，供業界研究參考。
本報告數據
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NEC MOS 集成電路布圖設計
mos介紹
MOS
金屬氧化物半導體
MOS
metal-oxide semiconductor
以襯底材料氧化物為絕緣層的金屬-絕緣層-半導體結構。對于硅襯底來說，絕緣層是二氧化硅(SiO2)。場效應晶體管、電容器、電阻器和其他半導體設備都是用這種結構制造。MOS工藝包括CMOS,DMDS，NMOS，PMOS。
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