- 伴隨著CPU, GPU等的性能進步和制程發展，主板的供電設計也迎來了更多的挑戰，大電流、高效率、空間占用小、動態響應快、保護更智能的需求使得傳統的采用分立MOS的方案逐漸被取代，SPS/DrMOS的解決方案憑借更好的性能表現成為主流。01 矽力杰 DrMOS 方案SQ29663采用業界標準封裝，芯片內部集成兩個高性能的MOS和驅動及控制單元，通過優化設計的內部結構和驅動控制，能夠實現高效率、高功率密度以及良好的散熱性能。嚴密的控制和保護邏輯使其能輕松兼容主流的前級控制器，適用于CPU，GPU以及POL的電
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矽力杰 DrMOS
- 本文介紹最新的驅動器+ MOSFET（DrMOS）技術及其在穩壓器模塊（VRM）應用中的優勢。單芯片DrMOS組件使電源系統能夠大幅提高功率密度、效率和熱性能，進而增強最終應用的整體性能。隨著技術的進步，多核架構使微處理器在水平尺度上變得更密集、更快速。因此，這些組件需要的功率急劇增加。微處理器所需的此種電源由穩壓器模塊（VRM）提供。在該領域，推動穩壓器發展的主要有兩個參數。首先是穩壓器的功率密度（單位體積的功率），為了在有限空間中滿足系統的高功率要求，必須大幅提高功率密度。另一個參數是功率轉換效率，高
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單芯片 驅動器 MOSFET DrMOS 電源系統設計
- 現階段，多核架構使微處理器在水平尺度上變得更密集、更快速，令這些器件所需功率急劇增加，直接導致向微處理器供電的穩壓器模塊(VRM)的升級需求：一是穩壓器的功率密度（單位體積的功率）升級，為了在有限空間中滿足系統的高功率要求，必須大幅提高功率密度；另一是功率轉換效率提升，高效率可降低功率損耗并改善熱管理。目前電源行業一種公認的解決方案，是將先進的開關MOSFET（穩壓器的主要組成部分）及其相應的驅動器集成到單個芯片中并采用高級封裝，從而實現緊湊高效的功率轉換。這種DrMOS功率級優化了高速功率轉換。隨著對這
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電源系統設計 單片驅動器 MOSFET DrMOS
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出用于功率MOSFET、microBUCK? 功率IC和DrMOS產品的免費在線熱仿真工具ThermaSim 3.0版。為精確分析仿真的溫度曲線，功能強大的最新版本ThermaSim引入了很多關鍵特性，比如裸片溫度對功率耗散的時間縮放功能，定義更多的真實條件以提高仿真精度和設計靈活性，減輕對用戶使用經驗的要求。
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Vishay MOSFET DrMOS
- Ultrabook設備和筆記本等應用的設計人員面臨降低電源設計中電感高度的挑戰，以滿足更薄的低側高終端系統要求。
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飛兆 電源 XS DrMOS
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出具有為PWM優化的高邊和低邊N溝道MOSFET、全功能MOSFET驅動IC、自舉二極管的集成DrMOS解決方案---SiC779CD。
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Vishay DrMOS
- 英飛凌科技股份公司近日宣布，公司將在2010年應用電力電子會議和產品展示會上，推出OptiMOS 25V器件系列，壯大OptiMOS 功率 MOSFET產品陣容。該系列器件經過優化，適合應用于計算機服務器電源的電壓調節電路和電信/數據通信的開關。這種全新的MOSFET還被集成進滿足英特爾DrMOS規范的TDA21220 DrMOS。
通過大幅降低三個關鍵的能效優值(FOM)，這種全新的器件無論在任何負載條件下，都可使MOSFET功耗降低20%，同時達到更高的性能。此外，更高的功率密度還能讓典型電
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英飛凌 OptiMOS MOSFET DrMOS
- 預測到2010年，處理器將工作在1V和100A電流，到2020年希望處理器的電源電壓將是0.7V和更高電流。處理器工作在1V，100A(或更高)和GHz頻率時的高效電源管理成為設計人員面對的困難任務。
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Intel VRD DrMOS 多相PWM
- 飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 宣布推出全面優化的集成式FET加驅動器功率級解決方案FDMF6700，采用超緊湊型6mm x 6mm MLP封裝。對于空間極度受約束的應用，比如小外形尺寸的臺式電腦、媒體中心PC、超密集服務器、刀片服務器、先進的游戲系統、圖形卡、網絡和電信設備，以及其它電路板空間有限的DC-DC應用，FDMF6700為設計人員提供別具吸引力的解決方案。
在個人電腦主板中，典型的降壓轉換器在每個相位可能包含：采用DPAK封裝的三個N溝道MOSFE
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嵌入式系統 單片機 飛兆 DrMOS FET 模塊
- 瑞薩科技發布符合第二階段產品標準的第二代 “集成驅動器MOSFET（DrMOS）” 實現CPU穩壓器應用的業界最高效能 --與瑞薩科技當前的產品相比，在引腳兼容的同樣封裝中可降低超過20%的功率損耗— 瑞薩科技公司（Renesas Technology Corp.）宣布推出采用56引腳QFN封裝。該器件集成了一個驅動器IC和兩個高端/低端（注1）功率MOSFET的R2J20602NP，可用于PC、服務器等產品的CPU穩壓器（VR）。樣品供貨將從2006年12月在日本開始。 R
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單片機 第二代 集成驅動器MOSFET（DrMOS） 嵌入式系統 瑞薩科技
- 瑞薩科技發布符合第二階段產品標準的第二代 “集成驅動器MOSFET（DrMOS）” 實現CPU穩壓器應用的業界最高效能 --與瑞薩科技當前的產品相比，在引腳兼容的同樣封裝中可降低超過20%的功率損耗— 瑞薩科技公司（Renesas Technology Corp.）宣布，推出采用56引腳QFN封裝。該器件集成了一個驅動器IC和兩個高端/低端*1功率MOSFET的R2J20602NP，可用于PC、服務器等產品的CPU穩壓器（VR）。樣品供貨將從2006年12月在日本開始。 R2
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DrMOS MOSFET 單片機 電源技術 集成驅動器 模擬技術 嵌入式系統 瑞薩
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