杭州中天微系統有限公司，一家來自中國杭州的32位嵌入式CPU內核的領先供應商，今日成為電子系統設計(ESD)聯盟的成員，享有表決權。電子系統設計(ESD)聯盟是一家旨在為全球半導體設計生態系統提供商品和服務的國際企業協會。
作為首家加入ESD聯盟的中國知識產權公司，中天微系統將成為半導體知識產權工作組的正式成員，協助開發知識產權保護的通用架構和最佳方案。中天微系統有意向的其他項目還包括多模工作組和市場統計服務(MSS)。
杭州中天微系統有限公司董事長嚴曉浪指出：“ESD聯盟國際
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嵌入式 ESD
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新的雙向對稱(BiSy)兩線ESD保護二極管---VBUS05M2-HT1。器件采用超小尺寸的LLP1006-3L封裝，可用于便攜式電子產品。Vishay Semiconductors VBUS05M2-HT1比SOT32封裝的產品節省空間，具有超低電容和漏電流，可保護高速數據線免受瞬變瞬態電壓信號的干擾。
今天推出的器件高度不到0.4mm，典型負載電容為0.35pF。VBUS05M2-HT
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Vishay ESD
對ESD進行防護的最好方法，是敏感器件進行靜電屏蔽和磁場屏蔽，靜電屏蔽可用導電良好的金屬屏蔽片來阻擋電場力線的傳輸。 一般有了靜電屏蔽，磁場屏蔽就不再是十分需要的了，因為當高頻磁力線穿過金屬屏蔽片時，會在金屬屏蔽片中感應產生回路電流(渦流)，此電流產生磁場方向正好與干擾磁場的方向相反，兩者雖然不能完全抵消，但可以互相抵消大部分，從而同樣可以降低磁場產生的干擾。圖10 是對ESD 進行靜電屏蔽防護的原理圖。
圖10 這里需要特別說明的
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ESD 靜電屏蔽
電磁兼容是指“一種器件、設備或系統的性能，它可以使其在自身環境下正常工作并且同時不會對此環境中任何其他設備產生強烈電磁干擾。”對于無線收發設備來說，采用非連續頻譜可部分實現 EMC 性能，但是很多有關的例子也表明 EMC 并不總是能夠做到。例如在筆記本電腦和測試設備之間、打印機和臺式電腦之間以及蜂窩電話和醫療儀器之間等都具有高頻干擾，我們把這種干擾稱為電磁干擾(EMI)。 1、EMC 問題來源 所有電器和電子設備工作時都會有間歇或連續性電壓電流變化
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ESD EMI EMC
MOS管一個ESD敏感器件，它本身的輸入電阻很高，而柵源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場或靜電的感應而帶電(少量電荷就可能在極間電容上形成相當高的電壓(想想U=Q/C)將管子損壞，又因在靜電較強的場合難于泄放電荷，容易引起靜電擊穿。靜電擊穿有兩種方式：一是電壓型，即柵極的薄氧化層發生擊穿，形成針孔，使柵極和源極間短路，或者使柵極和漏極間短路;二是功率型，即金屬化薄膜鋁條被熔斷，造成柵極開路或者是源極開路。JFET管和MOS管一樣，有很高的輸入電阻，只是MOS管的輸入電阻更高。
靜電放電形成
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MOS管 ESD
電路保護主要是保護電子電路中的元器件在受到過壓、過流、浪涌、電磁干擾等情況下不受損壞，電路保護器件則是為產品的電路及芯片提供防護的，確保在電路出現異常的情況下，被保護電路的精密芯片、元器件不受損壞。過壓、過流、浪涌、電磁干擾、靜電放電等一直是電路保護的重點，因此，市場中的主流電路保護器件也是以防雷/過壓/過流/防靜電等為主，常見的保護器件有氣體放電管、固體放電管、瞬態抑制二極管、壓敏電阻、自恢復保險絲以及ESD靜電二極管等。工程師在選型的時候如何才能選擇最佳的電路保護器件呢? 1.你要知道你想要防止
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電路保護器 ESD
本文蔣介紹ESD引起集成電路損壞原理模式及實例 一.ESD引起集成電路損傷的三種途徑(1)人體活動引起的摩擦起電是重要的靜電來源，帶靜電的操作者與器件接觸并通過器件放電。(2)器件與用絕緣材料制作的包裝袋、傳遞盒和傳送帶等摩擦，使器件本身帶靜電，它與人體或地接觸時發生的靜電放電。(3)當器件處在很強的靜電場中時，因靜電感應在器件內部的芯片上將感應出很高的電位差，從而引起芯片內部薄氧化層的擊穿。或者某一管腳與地相碰也會發生靜電放電。根據上述三種ESD的損傷途徑，建立了三種ESD損傷模型：人體帶電模型、
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ESD 集成電路
隨著電子產品迅速走向隨身使用化、功能強大化與低功耗化，半導體技術的持續微縮就沒有停止的可能性。然而，這樣的演變趨勢造就了電子產品‘使用可靠性的設計工作’重要性和電子產品‘功能的設計工作’本身一樣重要。
這是因為外在的暫態雜訊干擾能量變得很容易進入電子產品內部，加上電子產品內部的晶片零組件因半導體微縮而變得十分孱弱，從而導致電子產品本身的正常運作就變得易于受到干擾與破壞。
Silicon Labs執行長Tyson T
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ESD EOS
近二十年來，電子工業以驚人的速度發展。新技術的進步在減小設備尺寸的同時，也加大了分立元件制造商開發理想性能器件的壓力。 在這些器件中，晶片電阻當前始終保持很高的需求，并且是許多電路的基礎構件。它們的空間利用率優于分立式封裝電阻，減少了組裝前期準備的工作量。隨著應用的普及，晶片電阻具有越來越重要的作用。主要參數包括 ESD 保護、熱電動勢 (EMF)、電阻熱系數 (TCR)、自熱性、長期穩定性、功率系數和噪聲等。 以下技術對比中將討論線繞電阻在精密電路中的應用
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電阻 ESD
讓我們從幾個示例開始。在這些示例中，我們試著保護系統不受以下情況的影響：
在靜電放電 (ESD) 不安全的環境中安裝或校準某些系統，這樣做會導致ESD損壞。 工業控制系統往往跨越很遠距離并且有可能暴露在自然危險下，諸如雷擊，的大型系統。 與環境寄生效應耦合在一起的開關瞬變會生成高頻輻射和耦合射線。
你在保護模擬輸出時所需要應對的瞬變情況與其生成的低壓 (<24V) 和低頻 (<10kHz) 信號十分不同。工業瞬變是高電壓
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TIPD153 ESD
ESD試驗作為EMC測試標準的一項基本測試項目，如果產品的前期設計考慮不足，加上經驗不夠的話，往往會讓人焦頭爛額。一般中小型企業，如果沒有專門的EMC工程師，往往這項工作就必須由硬件工程師來承擔。對于整機來說，ESD抗擾能力不僅僅來自芯片的ESD耐壓，PCB的布局布線，甚至與工藝結構也有密切關系。
常見的ESD試驗等級為接觸放電：1級——2KV;2級——4KV;3級——6KV;4級—&
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EMC ESD
ESD：Electrostatic Discharge，即是靜電放電，每個從事硬件設計和生產的工程師都必須掌握 ESD 的相關知識。為了定量表征 ESD 特性，一般將 ESD 轉化成模型表達方式，ESD 的模型有很多種，下面介紹最常用的三種。
1.HBM：Human Body Model，人體模型：
該模型表征人體帶電接觸器件放電，Rb 為等效人體電阻，Cb 為等效人體電容。等效電路如下圖。圖中同時給出了器件 HBM 模型的 ESD 等級。
ESD人體模型
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ESD 靜電放電
簡介：大部分的ESD電流來自電路外部，因此ESD保護電路一般設計在PAD旁，I/O電路內部。典型的I/O電路由輸出驅動和輸入接收器兩部分組成。ESD 通過PAD導入芯片內部，因此I/O里所有與PAD直接相連的器件都需要建立與之平行的ESD低阻旁路，將ESD電流引入電壓線，再由電壓線分布到芯片各個管腳，降低ESD的影響。
引言
靜電放電會給電子器件帶來破壞性的后果，它是造成集成電路失效的主要原因之一。隨著集成電路工藝不斷發展，CMOS電路的特征尺寸不斷縮小，管子的柵氧 厚度越來越薄，芯片的面
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CMOS ESD
簡介：本人是做手機硬件的，實際上是打雜的。日常的工作都是一些比較瑣碎雜亂的事情，比如焊接、測試、校準、維修、打靜電等等。工作差不多兩年了，雖然經驗豐富不多，但在不斷地重復工作中也有些自己的總結，希望與大家分享一下。因為我們做的是國內的客戶，客戶入網的比較多。所以對靜電的要求比較高。而不入網的客戶的機子的外殼也大多是鋅合金的，ESD問題也讓人頭痛。這里主要是想分享一下自己對靜電方面的一些經驗。
在必要的IO口加上TVS管如TP線、側鍵的IO線、開關鍵。不推薦用壓敏電阻。因為現在的壓敏電阻太水了，根
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ESD Vbat
自適應電纜均衡器是串行數字視頻(SDV)廣播和串行電信設備接收器前端的基本組成部分，它們還可以用于其它類型的有線通信系統。均衡器直接與傳輸線接口，恢復由電纜造成信號幅度及帶寬的損耗。由于均衡器直接連接到電纜，因此它很容易受ESD、EMI/RFI和器件所產生的噪聲影響，均衡器的工作特性也傾向于增大設計中噪聲的影響。一個采用抗干擾自適應電纜均衡器的魯棒系統也必須保持均衡器的一些良好工作特性，如寬輸入動態范圍、寬信號帶寬、低殘留輸出噪聲、高輸入回波損耗，以及最大均衡電纜長度等。
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SDV ESD
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