一、MOS管輸入電阻很高，為什么一遇到靜電就不行了？MOS管一個ESD敏感器件，它本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場或靜電的感應而帶電，又因在靜電較強的場合難于泄放電荷，容易引起靜電擊穿。靜電擊穿一般分為兩種類型：一是電壓型，即柵極的薄氧化層發生擊穿，形成針孔，使柵極和源極間短路，或者使柵極和漏極間短路；二是功率型，即金屬化薄膜鋁條被熔斷，造成柵極開路或者是源極開路。二、MOS管被擊穿的原因及解決方案？第一、MOS管本身的輸入電阻很高，而柵源極間電容又非常小，所以極易受外界
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MOS管 電路設計 ESD
近日，南芯科技宣布推出全集成同步雙向升降壓充電芯片 SC8911，該芯片配備 I2C 接口，專為常見的 2 串電池 30W 充電寶應用進行了效率優化，可有效降低外殼溫升，為用戶提供更安全、更高效的充電體驗。SC8911 可支持 OTG 反向升壓功能，兼容涓流充電、預充電、恒流充電、恒壓充電、自動終止等多種模式，助力客戶實現更高的效率、更低的 BOM 成本和更小的 BOM 尺寸。集成MOS方案，兼具三大亮點在傳統升降壓控制器搭配外置 MOS 的方案中，由于布板限制，PCB 走線往往過長，導致功率管驅動速率受
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南芯科技 MOS管 升降壓充電芯片
功率MOS管自身擁有眾多優點，但是MOS管具有較脆弱的承受短時過載能力，特別是在高頻的應用場合，所以在應用功率MOS管對必須為其設計合理的保護電路來提高器件的可靠性。功率MOS管保護電路主要有以下幾個方面：1）防止柵極 di/dt過高：由于采用驅動芯片，其輸出阻抗較低，直接驅動功率管會引起驅動的功率管快速的開通和關斷，有可能造成功率管漏源極間的電壓震蕩，或者有可能造成功率管遭受過高的di/dt而引起誤導通。為避免上述現象的發生，通常在MOS驅動器的輸出與MOS管的柵極之間串聯一個電阻(R509)，電阻的大
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MOS管 電路設計
MOS管具有三個內在的寄生電容：Cgs、Cgd、Cds。這一點在MOS管的規格書中可以體現（規格書常用Ciss、Coss、Crss這三個參數代替）。MOS管之所以存在米勒效應，以及ＧＳ之間要并電阻，其源頭都在于這三個寄生電容。MOS管內部寄生電容示意IRF3205寄生電容參數1.MOS管的米勒效應MOS管驅動之理想與現實理想的MOS管驅動波形應是方波，當Cgs達到門檻電壓之后， MOS管就會進入飽和導通狀態。而實際上在MOS管的柵極驅動過程中，會存在一個米勒平臺。米勒平臺實際上就是MOS管處于“放大區”的
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MOS管 電路設計 模擬電路
MOS管可能會遭受與其他功率器件相同的故障，例如過電壓（半導體的雪崩擊穿）、過電流（鍵合線或者襯底熔化）、過熱（半導體材料由于高溫而分解）。更具體的故障包括柵極和管芯其余部分之前的極薄氧化物擊穿，這可能發生在相對于漏極或者源極的任何過量柵極電壓中，可能是在低至10V-15V 時發生，電路設計必須將其限制在安全水平；還有可能是功率過載，超過絕對最大額定值和散熱不足，都會導致MOS管發生故障。接下來就來看看所有可能導致失效的原因。01. 過電壓MOS管對過壓的耐受性非常小，即使超出額定電壓僅幾納秒，也可能導致
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MOS管
先看一下這個電路：USB外接電源與鋰電池自動切換電路設計如果主副輸入電壓相等，同時要求輸出也是同樣的電壓，不能有太大的壓降，怎么設計？這個電路巧妙的利用了MOS管導通的時候低Rds的特性，相比二極管的方式，在成本控制較低的情況下，極大的提高了效率。本電路實現了，當Vin1 = 3.3V時，不管Vin2有沒有電壓，都由Vin1通過Q3輸出電壓，當Vin1斷開的時候，由Vin通過Q2輸出電壓。因為選用MOS管的Rds非常小，產生的壓降差不多為數十mV，所以Vout基本等于Vin。原理分析1、如果Vin1 =
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電源 MOS管 電路設計
曾經的我呢還一個單純的小攻城獅，當自己設計完的電路板通過了功能測試、性能測試、環境實驗后，我就可以開開心心的玩耍了，但是永遠也想想不到用戶會把你的產品用在什么地方（客戶你們考慮過產品的感受嗎）。具體是這樣的一個很簡單的串口RS485電路，具體電路如下圖所示，用了這個電路后就不要單獨信號去管理485芯片的收發分時了（是不是很方便，我也這么想的）。問題就是出現這這個電路上，我們做環境實驗的時候是在55度做的一點點問題都木有，該收收該發發，但是一到了用戶那里工作一小會就掛了，啥也木的了，經過本人的現場排查（踩點
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開關電路 MOS管
一、開關和放大器MOS管最常見的電路可能就是開關和放大器。1. 開關電路G極作為普通開關控制MOS管。2. 放大電路讓MOS管工作在放大區，具體仿真結果可在上節文章看到。二、時序電路中作為反相器使用下圖示例電路中，芯片1正常工作時，PG端口高電平。如果芯片1、芯片2有時序要求，在芯片1正常工作后，使能芯片2。可以看到芯片2的使能端初始連接VCC為高電平，當芯片1輸出高電平后，(關注公眾號：硬件筆記本）MOS管導通，芯片2的使能端被拉低為低電平，芯片2開始正常工作。這時MOS管起到的就是反相的作用。三、雙向
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MOS管 電路設計
MOSFET 的工作損耗基本可分為如下幾部分：1、導通損耗Pon導通損耗,指在 MOSFET 完全開啟后負載電流（即漏源電流） IDS(on)(t) 在導通電阻 RDS(on) 上產生之壓降造成的損耗。導通損耗計算：先通過計算得到 IDS(on)(t) 函數表達式并算出其有效值 IDS(on)rms ，再通過如下電阻損耗計算式計算：Pon=IDS(on)rms2 × RDS(on) × K × Don說明：計算 IDS(on)rms 時使用的時期僅是導通時間 Ton ，而不是整個工作周期 Ts ；RDS(
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MOS管 電路設計
三極管有NPN型和PNP型，同理MOS管也有N溝道和P溝道的，三極管的三個引腳分別是基極B、集電極C和發射極E，而MOS管的三個引腳分別是柵極G、漏極D和源極S。對于MOS管，我們在電路設計中都會遇到，那么應該如何設計一個MOS管的開關電路呢？MOS管開關電路我們一般會用一個三極管去控制，如下圖！MOS管開關電路但是這個電路的缺點也是顯而易見，由于MOS管有一個寄生的二極管，如果CD5V的濾波電容過大，或者后端有別的電壓串進來，會把前端給燒壞！電流路徑如下：后端電流路徑如何改善這個問題呢？有兩個方式，一種
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三極管 MOS管 電路設計
三極管有NPN型和PNP型，同理MOS管也有N溝道和P溝道的，三極管的三個引腳分別是基極B、集電極C和發射極E，而MOS管的三個引腳分別是柵極G、漏極D和源極S。對于MOS管，我們在電路設計中都會遇到，那么應該如何設計一個MOS管的開關電路呢？MOS管開關電路我們一般會用一個三極管去控制，如下圖！MOS管開關電路但是這個電路的缺點也是顯而易見，由于MOS管有一個寄生的二極管，如果CD5V的濾波電容過大，或者后端有別的電壓串進來，會把前端給燒壞！電流路徑如下：后端電流路徑如何改善這個問題呢？有兩個方式，一種
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MOS管 開關電路設計 三極管
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MOS管 電路設計
今天可以大家分享的是：使用 MOS 管構建一個簡單的雙向邏輯電平轉換器電路邏輯電壓電平的變化范圍很大，從1.8V-5V。標準邏輯電壓為5V、3.3V、1.8V等。但是，使用 5V邏輯電平的系統/控制器（如Arduino）如何與使用3.3V邏輯電平的另一個系統（如ESP8266）通信呢？這個時候就需要用到邏輯電平轉換器，這里還將介紹 MOS管構建一個簡單的雙向邏輯電平轉換器電路。一、高電平和低電平輸入電壓從微處理器/微控制器方面來看，邏輯電平的值不是固定的，對此有一定的耐受性，例如，5V邏輯電平微控制器可以
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MOS管 邏輯電平轉換器 電路設計
BMS確保電池高效安全運行，MOS管檢測過充、過放、過流等。電池電壓高低與MOS管選型相關，選擇時需注意熱設計、RDS(ON)和雪崩能量。微碧專注MOS產品20余年，適用于高性能BMS場景。BMS（電池管理系統）負責監控、控制和保護電池，以確保電池的高效運行和安全性。MOS管在其中起到了檢測過充電，過放電，充放電過流等作用。在充電狀態時，當電池充電后過壓時，充電控制端會由高電平轉為低電平，從而使MOS管Q1關斷，充電回路被切斷，進入過電壓保護。當電池通過負載放電，電池電壓低于設定值時，放電控制端由高電平轉
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MOS管 BMS
MOS管在LED非隔離電源中調節亮度和電流，確保LED穩定工作并延長壽命。它作為開關元件、電流驅動器和保護器，提高電源穩定性和安全性。選型時需注意額定電壓、電流、導通電阻和耐壓能力。推薦微碧半導體的MOS管產品，具有穩定性和可靠性，適用于LED非隔離電源等場景。MOS管（金屬氧化物半導體場效應晶體管）被廣泛應用于LED中，主要用于調節LED的亮度和電流，實現對LED的高效控制。在LED非隔離電源的應用方案中，MOS管（絕緣柵場效應管）扮演著關鍵性角色，提升LED非隔離電源的穩定性和安全性。LED非隔離設計
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MOS管 LED 非隔離器
mos管介紹
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導體(semiconductor)場效應晶體管。或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。
雙極型晶體管把輸入端電流的微小變化放大后，在輸出端輸出一個大的電流變化。雙極型晶體管的增益就定義為輸出輸入電流之比（beta）。另一種晶體管，叫做場效應管（FET），把輸入電壓的變化轉化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的transc [
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