存儲器在半導體行業就是一塊萬能膏藥，或者嵌入到SoC里或者當做單獨的存儲元件，有數據計算和程序存儲的要求就有它的用武之地。當前的主流半導體存儲器可以簡單的分成易失性和非易失性兩部分，它們各有所長，應用領域也因這一特性而是涇渭分明。
易失性的存儲器包括靜態存儲器SRAM和動態存儲器DRAM，SRAM和DRAM在掉電的時候均會失去保存的數據，但是RAM 類型的存儲器易于使用、性能好。非易失性存儲器在掉電的情況下并不會丟失所存儲的數據。然而所有的主流的非易失性存儲器均源自于ROM（只讀存儲器）技術，包
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29年前,美國愛達荷州,三個年輕人在一間牙醫診所的倉庫里,無意中開始了一個名叫DRAM的芯片設計生意。發展到今天,便是年銷售額高達52.6億美金的半導體企業——美光公司。 3月21日,美光正式啟動了其在中國投資的第一家制造工廠。這座位于西安高新技術開發區的封裝測試廠,總投資2.5億美金。 美光公司總裁兼首席執行官史蒂夫•阿普爾頓(Steve R. Appleton)在該項目啟動典禮間隙,接受了本報記者專訪。這位年輕的CEO是個典型的冒險家,擁有多架私人表演式飛機,喜歡在空中做俯沖動作。
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2007年3月21日, 中國西安 - 美光科技公司今天正式宣布在西安啟動一家新的制造工廠。這家工廠是美光公司在中國的第一家制造工廠，它將主要負責生產DRAM、NAND閃存和CMOS圖像傳感器在內的半導體產品的封裝測試。 為此，美光公司舉行了西安工廠的落成儀式，參加儀式的有政府官員和行業代表。這家工廠預計將于2008年底全部建成，總投資將達到2.5億美元，所需員工超過2000名。該工廠是美光公司在亞洲的第二家封裝測試工廠，其第一家封裝測試工廠于1998年在新
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DRAM 8英寸線將逐漸退出 隨著半導體工藝制程技術的進步，90納米及以下制程產品的比重增大以及12英寸硅片的優越性逐漸擴大，首先在競爭最激烈的存儲器制造中呈現。 臺灣力晶半導體的黃崇仁表示，2006年是轉折點，DRAM中的8英寸芯片性價比已不具有優勢，一批較早的8英寸芯片廠，已無法采用0.11微米工藝來制造512Mb的DDR2存儲器。 臺灣拓璞產業研究所最近發表的看法認為，五大集團三星、美光、海力士、英飛凌及爾必達主導了全球的DRAM業，全球DRAM(動態隨機存儲器)應用中，有
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推動全球半導體工業進步的兩個輪子，一個是縮小特征尺寸，另一個是增大硅片直徑，通常總是以不斷地縮小特征尺寸為先。如今，全球正進入12英寸，65納米芯片生產線的興建高潮，業界正在為何時進入18英寸硅片生產展開可行性討論。在此前提下，業界關心全球8英寸芯片生產線的現狀，以及何時將退出歷史舞臺。縱觀全球半導體業發展的歷史過程，進入8英寸硅片時代約于1997年。通常每種硅片的生存周期在20年左右，所以8英寸硅片目前仍處于平穩發展時段，顯然90納米及65納米產品已開始上升。 &
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奇夢達公司和南亞科技公司宣布已成功獲得75納米 DRAM 溝槽式(Trench)技術之驗證，最小之制程尺寸為70納米, 第一個75納米之產品將為512Mb DDR2 內存芯片。此項新的技術平臺和產品是雙方共同在德國德累斯頓(Dresden) 和慕尼黑(Munich)的奇夢達開發中心所開發的。目前已經在奇夢達的德累斯頓十二吋廠生產線開始此項新一代 DRAM技術之試產。 負責奇夢達的市場和運作，也是管理委員會的委員之一的賽佛(Thomas&
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iSuppli表示， DRAM芯片生產商的庫存量已下降至20個月來最低水準，因開學季帶動個人電腦銷售增長。 這家美國研究機構預期本月庫存量將持續下降，并在報告中調升短期DRAM市況評等，由原先的“中性”升至“正向”。 iSuppli在9月5日發表的報告中指出，8月初時，DRAM庫存為1.92周，較7月的平均水準下降18%，因新學年開始前，PC銷售大幅增加。 由于微處理器
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據著名市場調研機構 Gartner 公司最新公布的調查數據顯示，2005年全球DRAM儲存芯片的銷售收入比上年下滑了5%為250億美元，2004年全球DRAM儲存芯片的銷售收入為263億美元。在全球DRAM 儲存芯片行業銷售收入比2004年下滑5%的不利環境下，中國臺灣南亞科技公司（Nanya）和日本最大的DRAM儲存芯片制造商爾必達公司（Elpida）是全球最高前六個公司中銷售收入實現了增長的公司。 調研公司表示，盡管這是自2001年以后DRAM儲存芯片
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北美市場 經銷商們在星期三透露，本周DRAM的銷售比較緩慢，這段時間也是傳統的銷售淡季。整個周三都沒有一筆生意，因而市價也沒什么變化。這一天只有芯片市場PC133材質有唯一一筆現貨交易，價格在每芯片$3.30 到$4之間。 亞太市場 &
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歐洲芯片廠商英飛凌表示，DRAM內存平均銷售價格的下降影響了該公司2006財年第一季度的財報結果。 據reed-electronics.com網站報道，英飛凌截止到去年12月份的2006財年第一季度的銷售收入是大約20億美元（16.7億歐元），利息和稅項之前的利潤為虧損1.477億美元（1.22億歐元）。英飛凌的凈虧損為2.216億美元（1
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意法半導體（ST）日前公布了一款針對無線基礎設施設備開發的多用途微控制器的細節。這個代號為"GreenFIELD"、產品編號為STW21000的新芯片整合了ARM926EJ-S 330 MIPS RISC處理器核心、16Mbit片上eDRAM內存、eFPGA（嵌入式現場可編程邏輯門陣列）模塊以及各種模擬和數字外設。GreenFIELD-STW21000是ST無線基礎設施產品部發布的第二款先進的系統芯片產品。 GreenFI
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DDR（雙數據速率）DRAM應用于工作站和服務器的高速存儲系統中。存儲器IC采用1.8V或2.5V電源電壓，并需要等于電源電壓一半的基準電壓（VREF＝VDD/2）。此外，各邏輯輸出端都接一只電阻器，等于并跟蹤VREF的終端電壓VTT。在保持VTT=VREF+0.04V的同時，必須提供源流或吸收電流。圖1所示電路可為1.8V和2.5V兩種存儲器系統提供終端電壓，并可輸出高達6A的電流。IC1有一個降壓控制器和2個線性穩壓控制器。IC1在輸入電壓為4.5～28V下工作。
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來自市場研究機構DRAMeXchange的最新數據，6月份全球DRAM出貨量(折合為256M比特DRAM內存)增長了4%，達到了5.54億件，其中DDR內存的比例從5月份的63%下滑到了61%，DDR2的比例為30%。 DRAMeXchange預測，隨著DDR內存出貨量的削減，其供應緊缺狀況貫穿整個第三季度，而DDR2內存市場，就出貨量而言，Powerchip半導體公司和ProMOS 科技公司在我國臺灣廠商中處于領先地位。該研究機構還預測
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國際DRAM廠供應貨源不足因應旺季需求 OEM廠轉向臺廠尋求產能支應。由于OEM計算機大廠擔心進入下半年產業旺季后，目前庫存貨源可能不敷使用，近期紛紛開始增加對DRAM廠下單，惟國際DRAM廠已陸續轉移產能生產標準型DRAM顆粒以外的產品，因此供貨情況未能滿足國際OEM計算機廠需求，為此，OEM計算機廠也轉向臺灣DRAM廠尋求產能支應，且以過去主力供應現貨市場的DRAM廠為主，據傳訂單數量相當驚人。 TRI觀點：以產業鏈各廠商的動態來觀察DRAM產業目前上下游市況如下：
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DRAM廠商第2季財報恐多出現赤字，早盤股價紛紛拉回修正，盤中力晶、南科、茂德跌幅均超過1%以上，茂硅一度跌停。 據港臺媒體報道，DRAM 價格第 2 季處于低檔，在美光(Micron)上周公布年度第 3 季(4 月至 6 月)會計盈轉虧，稅后虧損 1.28 億美元、每股虧損 0.2&nbs
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dram介紹
DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動態隨機存儲器最為常見的系統內存。DRAM 只能將數據保持很短的時間。為了保持數據，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的數據就會丟失。 它的存取速度不快，在386、486時期被普遍應用。
動態RAM的工作原理 動態RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [
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