DRAM 8英寸線將逐漸退出

　　隨著半導體工藝制程技術的進步，90納米及以下制程產品的比重增大以及12英寸硅片的優越性逐漸擴大，首先在競爭最激烈的存儲器制造中呈現。

　　臺灣力晶半導體的黃崇仁表示，2006年是轉折點，DRAM中的8英寸芯片性價比已不具有優勢，一批較早的8英寸芯片廠，已無法采用0.11微米工藝來制造512Mb的DDR2存儲器。

　　臺灣拓璞產業研究所最近發表的看法認為，五大集團三星、美光、海力士、英飛凌及爾必達主導了全球的DRAM業，全球DRAM(動態隨機存儲器)應用中，有55%用于PC中。預計2007年臺式機中存儲器用量將增加46%;而筆記本中將增加63%；服務器中將增加47%;而消費電子產品及手機中也分別有56%及69%的增長。所以，2007年DRAM總需求將有57.4%的增長。但在供給方面，2007年中DRAM的8英寸芯片生產線的自然淘汰率將占20%至30%，其中有的8英寸線升級至12英寸或者改成其他用途。

　　不同品種有其相應的特征尺寸及生存周期，完全由市場來決定,目前DRAM已進入80納米量產時代，而模擬電路中0.18微米仍是國際先進水平。所以各種不同的硅片尺寸都有其相應的生存之道，但是大尺寸硅片逐步取代小尺寸是自然規律。如右圖所示。

　　中國芯片制造仍在初級階段

　　自華虹NEC在中國建成第一個8英寸生產線至今，中國芯片產業正在逐步成長壯大。雖然也有中芯國際的12英寸芯片生產線以及全國8英寸硅片的產能規模已達每月30萬片以上，但是從總體看，產業的水平仍處在初級階段，其現狀如下：

 
　　有12英寸及90納米的代工能力，但至少落后于臺積電等世界一流代工企業一年以上。目前在高端產品代工方面仍以標準型存儲器為主。而在邏輯電路代工方面，由于90納米技術進展緩慢，加上缺乏頂級fabless公司的大訂單，造成新建12英寸的產能擴展緩慢。

　　0.18微米及以上的代工，由于同質化，缺乏特長工藝能力，加上臺積電等打壓，致使硅片平均銷售價格下降，毛利率低，而造成企業效益不夠理想。

　　中國芯片制造業，從結構上看大部分6英寸及8英寸舊線的贏利狀況較好，目前可能是全球唯一還在增建8英寸芯片生產線的地區。

　　在12英寸新線建設中，中國仍處在擴張的態勢，中芯國際除了在北京有Fab4之外，上海的Fab8已處于設備安裝階段，另一條武漢的中芯12英寸生產線已加快步伐，預計2007年底可能提前進行設備安裝。但是面臨一個做什么產品的決策問題，可以預計DRAM及NAND閃存是個正確的選擇。

　　目前唯一在中國大肆擴張的是無錫海力士及意法的合資存儲器廠，其進展速度超出業界的預期。至2007年底擴充硅片月產能將為8英寸5萬片及12英寸6萬片，將成為中國最大的芯片制造廠。

　　從全球8英寸芯片廠范圍看，唯有中國內地還在逐年擴張，但是由于種種原因，速度已經減緩，因此可以預計，在未來三年內，臺灣地區半導體廠的西移，是影響內地半導體業增長的主要因素。但是在近時期內中國內地不太可能成為全球最大的8英寸芯片廠基地。 (本文作者為美國應用材料公司顧問)

　　專家觀點

　　中國芯片制造業突圍策略

　　我國半導體產業根本問題是基礎薄弱，盡管近年來我國半導體產業在設計、制造、封裝，包括設備及材料等方面都有長足的進步，產業鏈結構逐年完善，但是缺乏品牌及世界一流的公司來支撐。為了下一步更健康地發展，提出以下一些思路，供業界探討。

　　首先，要明白建成什么樣的芯片制造業。實際上，在發展中國的芯片產業中，以下三點才是根本及生存基礎：集成電路產業涉及國家安全；高科技受西方國家控制；必須要做強，至少有2至3個國際一流品牌，才不致輕易被競爭對手打垮。因此，依此思路許多問題應該能迎刃而解。如發展國產CPU主要為國家安全，不可能完全拿經濟利益來考量。又如12英寸芯片生產線一定要上，但必須以企業為主體，而且國家在政策上要給予支持。在適當時候，要支持中國的芯片產業的兼并壯大。不能滿足于一條芯片生產線有3至5萬片月產能。再如從國家利益出發，扶植1至2家企業搞IDM模式也很有必要。

　　其次，要改善芯片自給率。要把改善芯片自給率作為芯片產業的一個重要目標來考核，同時國家要有相應的政策與措施配合。近年來雖然芯片產業從數量上增加迅速，但是芯片自給率的改善并不能讓人滿意。

　　第三，正確認識來自臺灣地區的影響。中國內地半導體工業己與我國臺灣地區半導體業緊密結合在一起。目前臺灣地區半導體業處于國際先進地位：IC設計業居全球第二，代工和封裝業居全球首位，集成電路總產值己超過韓國居全球第三。但是臺灣島內發展半導體有先天性缺陷阻礙其進一步成長。主要問題有以下四方面：市場小；人才短缺；電力不足；地震多。因此，向外擴展，尤其是西移內地是必然趨勢。