存儲器在半導體行業就是一塊萬能膏藥，或者嵌入到SoC里或者當做單獨的存儲元件，有數據計算和程序存儲的要求就有它的用武之地。當前的主流半導體存儲器可以簡單的分成易失性和非易失性兩部分，它們各有所長，應用領域也因這一特性而是涇渭分明。

　　易失性的存儲器包括靜態存儲器SRAM和動態存儲器DRAM，SRAM和DRAM在掉電的時候均會失去保存的數據，但是RAM 類型的存儲器易于使用、性能好。非易失性存儲器在掉電的情況下并不會丟失所存儲的數據。然而所有的主流的非易失性存儲器均源自于ROM（只讀存儲器）技術，包括已經幾乎不再使用的EPROM、EEPROM和正當紅的FLASH，它們寫入速度慢，擦寫的次數明顯少于易失性的存儲器。

　　業界期望下一代的存儲技術能夠取長補短實現“通用”的特性，市場調研公司iSuppli也曾預計，到2019年，兼具SRAM的速度、DRAM的密度與FLASH的非易失性特點的“通用”存儲芯片市場可能達到763億美元。當然這只是對存儲技術的美好愿景，雖然目前已經出現多種讓人振奮的新存儲技術，FeRAM、MRAM和OUM等等，但是還沒有哪一種技術趨于完美。

　　FeRAM是被給予厚望的技術之一，它以鐵電物質為原材料，將微小的鐵電晶體集成進電容內，通過施加電場，鐵電晶體的電極在兩個穩定的狀態之間轉換，實現數據的寫入與讀取。每個方向都是穩定的，即使在電場撤除后仍然保持不變，因此能將數據保存在存儲扇區而無需定期更新。FeRAM的寫入次數可以高達1014次和10年的數據保存能力。在重寫某個存儲單元之前，FeRAM不必擦拭整個扇區，因此數據讀寫速度也略勝一籌。此外，FeRAM的低工作電壓能夠降低功耗，這對移動設備來說具有非常大的吸引力。

　　從Ramtron 1993年就已經推出了第一個商用的FeRAM到現在，FeRAM的市場依然相對局限計量儀器、電表、轉速記錄器這些領域。FeRAM在信息讀取過程中伴隨著大量的擦除/重寫的操作，也就是不斷的極化反轉，這讓FeRAM會發生疲勞失效等可靠性問題。據Ramtron亞太區銷售經理徐夢嵐介紹，Ramtron的FM25H20已經將寫入壽命提高到1012次，在很大程度上提高了FeRAM的應用壽命。此外，FeRAM還亟需進一步提高存儲密度，徐夢嵐透露目前較高的工藝是130nm，Ramtron最近和TI達成商用協議利用TI的130nm FeRAM制造工藝生產4Mb的FM25H20。而目前最高的存儲密度富士通利用65nm工藝技術生產出的256Mb 的FeRAM。這和以Gb為單位的FLASH還有不小的差距。

　　FeRAM技術優勢明顯，也是下一代存儲技術中走在商用化最前端的，但是依然擺脫不了來自FLASH的壓力。并且FLASH在制造工藝上還有一定的提高空間，有人甚至認為“NAND FLASH至少還能發展三代”。FeRAM的發展之道應該是揚長補短，利用快速讀寫、低功耗的特性應用到對數據讀寫速度要求更高的領域，同時聯合高密度的RAM彌補存儲容量有限的缺點。