據IHS iSuppli公司的研究，DDR3的市場份額穩定在85-90%，2011年以及至少未來三年仍將是DRAM市場的主流技術，隨后才會逐漸讓位給速度更快的下一代技術。
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DDR3 DRAM
市場調研公司集邦科技日前發布的全球一季度DRAM內存芯片市場統計報告顯示，DRAM內存芯片市場該季度營收83億美元，相比去年第四季度的86億美元下降4%。
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DRAM DDR3 WiMAX
據《蘋果日報》援引匿名消息提供者的說法稱，由于PC OEM廠商正在積極囤積庫存，內存芯片廠商南亞公司計劃四月份將其產品的價格提價5%。報道還稱三星公司已經知會其客戶稱4月上半月將對旗下內存芯片產品漲價5-6%，2Gb密度DDR3內存芯片的合約價格有望爬升到2美元以上。
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內存芯片 DDR3
日本爾必達與臺灣瑞晶公司近日發表聯合聲明稱兩家公司已經成功完成了4F2架構設計1Gbit密度DDR3 DRAM芯片的試產，這次試產是由瑞晶的研發中心主導的。瑞晶的研發中心自去年開始正式運作，他們一直在和爾必達公司一起研發4F2 DRAM芯片產品。兩家公司目前已經合力成功制造出了基于65nm設計準則的4F2 1Gbit密度DDR3 DRAM芯片產品。
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爾必達 DDR3
DDR3存儲器接口控制器IP核在視頻數據處理中的應用,DDR3存儲器系統可以大大提升各種數據處理應用的性能。然而，和過去幾代（DDR和DDR2）器件相比，DDR3存儲器器件有了一些新的要求。為了充分利用和發揮DDR3存儲器的優點，使用一個高效且易于使用的DDR3存儲器接口控制器
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采用90nm工藝制造的DDR3 SDRAM存儲器架構支持總線速率為600 Mbps-1.6 Gbps (300-800 MHz)的高帶寬，工作電壓低至1.5V，因此功耗小，存儲密度更可高達2Gbits。該架構無疑速度更快，容量更大，單位比特的功耗更低，但問
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SDRAM FPGA DDR3 存儲器
最近，內存顆粒的工藝進步速度非常快，最先進的30nm工藝甚至已經超過了處理器。在功耗與散熱方面也有了長足的進步。
今天我們得到最新消息，繼三星之后，爾必達也成功開發出采用30nm工藝的2Gb容量DDR3 SDRAM內存顆粒，并且核心面積和功耗都創下業界新紀錄。
據了解，爾必達這種顆粒最高支持DDR3-1866頻率，可以在1.35V低電壓下實現1600MHz頻率。同時，其工作電流相比同廠40nm產品工作電流降低15%，待機電流下降10%。
爾必達聲稱該內存顆粒是目前世界上體積最小的產品
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爾必達 DDR3 30nm
三星剛剛公布其量產8GB DDR3筆記本內存模組的消息，根據計劃，三星將為筆記本和移動工作站生產SODIMM接口內存模塊，該模塊基于40納米制程，1333MHz頻率，1.5V電壓，比上一代4GB DDR3模組節電53%，比1.8V DDR2節電67%。
這種模組最早將被提供到戴爾Precision M6500移動工作站上，如將插槽插滿，共可容下32GB內存。
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三星 DDR3 40納米
韓國電子時報報導，DRAM價格在15天內暴跌10%，1Gb DDR3價格恐將跌至2美元線。價格跌落幅度超過預測值，不只三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)，設備業者也感到相當緊張。據市調機構DRAMeXange統計，1Gb DDR3 9月初固定交易價格較15天前跌落10.60%至2.09美元，這是DDR3自2009年1月上市以來，固定交易價格最大跌幅。甫推出DDR3時，價格僅 在1美元在線，其后持續上升，至2009年11月，以2.25美元首度突破2美元線。
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海力士 DRAM DDR3
韓國電子時報報導，DRAM價格在15天內暴跌10%，1Gb DDR3價格恐將跌至2美元線。價格跌落幅度超過預測值，不只三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)，設備業者也感到相當緊張。
據市調機構DRAMeXange統計，1Gb DDR3 9月初固定交易價格較15天前跌落10.60%至2.09美元，這是DDR3自2009年1月上市以來，固定交易價格最大跌幅。甫推出DDR3時，價格僅在1美元在線，其后持續上升，至2009年11月，以2.25美元首度突破2美元線。DD
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海力士 DRAM DDR3
今年早些時候，三星公司曾宣布完成了30nm制程2Gb密度 DDR3內存芯片的開發工作，而最近他們則宣布這款芯片產品已經進入批量生產階段。這款 30nm制程DDR3芯片可以在1.35V電壓條件下工作在1866MHz數據傳輸率下，加壓到1.5V之后數據傳輸率則可提升至2133MHz，適用于 臺式機，筆記本，服務器，上網本，移動設備的各種應用。
三星表示目前他們正在開發4Gb密度的30nm制程DDR3內存芯片產品，預計這款產品今年才會投入使用。
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三星 30nm DDR3
DDR3存儲器系統可以大大提升各種數據處理應用的性能。然而，和過去幾代（DDR和DDR2）器件相比，DDR3存儲器器件...
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FPGA IP核 DDR3 數據處理
臺灣媒體報道，茂德今天宣布，他們已在其臺灣科技園中部的12寸晶圓廠使用爾必達 63nm(65nm-XS、Super-shrink)工藝成功試產出了1Gb DDR3內存顆粒。首批測試結果顯示，顆粒規格符合業界規范，并全面兼容PC、數碼移動電子品應用。茂德今年三月份開始使用爾必達的63nm堆疊制程工藝試產DDR3顆粒，計劃在今年三季度實現量產。到年底時，茂德每月為DDR3芯片生產提供的晶圓產量 將達到3.5萬片。
茂德表示，他們預計將在明年下半年開始使用爾必達的45nm工藝進行生產，并計劃在明年年底
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茂德 DDR3 內存
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DRAM價格走揚，帶動全球第一季DRAM產值持續攀高至92.77億美元，較去年第4季再成長6.9%;其中，南韓三星市占率達32.3%，穩居全球DRAM龍頭寶座。
集邦科技表示，盡管第一季為DRAM產業傳統淡季，不過，在電腦系統廠商擔心下半年恐將缺貨、積極儲備安全庫存下，帶動第 1季DRAM市場需求淡季不淡，價格也持續走揚。
根據統計，第一季DDR3合約季均價上漲16%，現貨季均價也上漲14%;DDR2產品方面，第1季合約季均價上漲5%，現貨季均價則持平表現。
而在產品價格走揚，加上各
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三星 DRAM DDR3
ddr3介紹
目錄概述
設計
發展
DDR3內存的技術改進
概述
針對Intel新型芯片的一代內存技術（但目前主要用于顯卡內存），頻率在800M以上，和DDR2相比優勢如下：
(1)功耗和發熱量較小：吸取了DDR2的教訓，在控制成本的基礎上減小了能耗和發熱量，使得DDR3更易于被用戶和廠家接受。
(2)工作頻率更高：由于能耗降低，DDR3可實現更高的工作頻率，在一定程度 [
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