- 臺灣動態隨機存取記憶體(DRAM)制造大廠——南亞科周四表示，個人電腦需求量的日漸升溫將助推高其第三季晶片產出;其稍早公布的第二季虧損已有所縮減。
南亞科正押注未來數月的個人筆記本電腦需求，因這類產品需要新一代效能更高的記憶體晶片;但多數分析師仍表示，南亞科今年料難由虧轉盈。
南亞科副總白培霖向記者表示，“DRAM整體市場正逐步復蘇，我們在接下來的幾個月情況應該比較好。”
白培霖并稱，公司第三季的位元產出將成長最多20%，而第二季成長率
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南亞科 DRAM DDR3
- 8月5日消息，據市場調研公司iSuppli日前發布的報告顯示，由于產品短缺，以及內存芯片市場價格上漲，預計在今年第三季度中，全球電子元器件的定價將比第二季度增長2.3%。
據國外媒體報道，iSuppli公司表示，在2008年第四季度中，全球電子元器件的價格就下降了8.4%;在今年第一季度中，價格繼續下降了9.2%;甚至在接下來的第二季度中仍然下降了5%。不過，預計在第三季度中，電子元器件市場的價格將經歷一段較短的增長期。事實上，大多數元器件的價格在第三季度都可能下跌，但是其平均價格將被DRAM芯
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電子元器件 DRAM DDR3 分立元件 濾波器
- 日本爾必達存儲公司稱，計劃下月將把用于高速計算機和服務器的高級DRAM 芯片產量提高一倍多。此消息一出，周一該公司股價被推高。
爾必達表示，從9月開始，將把DDR3芯片的產量從現在的月產20000-30000片提高到每月75000片。
DDR3 芯片的現貨價格大約在2.10美元，比5月時的價格上漲了約30%，這促使爾必達及其競爭對手三星電子有限公司和海力士半導體公司將重心更多地轉移到這種新型芯片上。今年第二季度期間，韓國包括三星電子和海力士在內的芯片企業在全球半導體市場上占有的份額超過60
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爾必達 DRAM DDR3
- 美光科技股份有限公司近日宣布生產出業內首個DDR3低負載雙列直插內存模塊(LRDIMM)，并將于今年秋季開始推出16GB版本的樣品。通過減少服務器內存總線上的負載，美光的LRDIMM可用以支持更高的數據頻率并顯著增加內存容量。
新的LRDIMM將采用美光先進的1.35v 2Gb 50nm 的DDR3內存芯片制造。由于芯片的高密度和業內領先的小尺寸，使美光能夠輕松并具成本效益地增加服務器模塊的容量。美光的2Gb 50nm DDR3產品目前正在進行客戶認證，將很快進行大量生產。
如今多數中端企
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美光 LRDIMM DDR3 50nm
- DRAM大廠華亞科日前辦理的海外存托憑證案(GDR)原本價格訂為新臺幣14.5元，預期募集資金116億元，然近期股價受惠DRAM產業回春和DRAM價格反彈，因此一路上漲，最后完成定價，訂為每股約16.02元，與日前收盤價相較，則是折價約10%，預計可募得102.5億元資金，加速華亞科下半年將12寸晶圓廠到入50納米制程。
科技大廠法說會起跑，2009年DRAM產業由華亞科和南亞科打頭陣舉辦，將于本周登場，也是華亞科已公布第2季的營運數字，虧損縮小至41億元，南亞科估計虧損也將較第1季大幅減少，約
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DRAM 50納米 DDR3
- 在DDR3內存供應短缺并導致價格上漲之際，iSuppli公司日前把DRAM供應商的近期形勢評級調升到了“正面”。
自從2008年9月以來，iSuppli公司一直維持對DRAM市場的“負面”評級，兩周前才調高至“中性”。
“DRAM市場近三年來一直處於供應過剩狀態，局面改善令人高興，”iSuppli公司的首席分析師Nam Hyung Kim表示，“供應過剩對於全球DRAM產業是一大災難
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內存 DRAM DDR3
- 南亞科努力進行營運轉型，如期在6月底之前達成減資和增資的動作。日前辦理10億股的私募，正式以每股私募價格新臺幣12.22元的定價，取得122.2億元的資金，認購人包括南亞塑料、臺灣化學纖維、臺灣塑料、臺塑石化、麥寮汽電和長庚醫療財團法人，全數由母公司相關企業力挺到底，成為臺灣第1家獲得營運資金的DRAM廠，南亞科表示，三廠(Fab3)要盡快轉入50奈米的堆疊式技術制程，降低成本結構。
臺塑集團對外宣示不加入TMC以來，以實際行動力挺自家DRAM廠進行營運體質強化運動，并挹注新的營運資金，使得旗下
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南亞 DRAM 50納米 DDR3
- 繼韓國海力士十二英寸封裝測試項目落戶無錫，其在無錫的銷售中心日前也正式簽約。海力士無錫工廠新任董事權五哲日前透露，十二英寸后工序項目明年初將建設完畢，屆時，該集團將真正實現在無錫的一體化生產，成為中國最大的半導體生產基地。
海力士半導體是世界第二大DRAM制造商，也在全球半導體公司中名列前茅。無錫工廠是其在海外唯一的生產基地，承擔了韓國總部百分之五十的DRAM生產量，占全世界DRAM市場的百分之十。
權五哲稱，金融危機下，國際內存需求量逆勢上升，該公司目前內存價格較年初已上漲二倍。明年實現
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海力士 DRAM 封裝測試 DDR3
- 三星近日宣布，將全力推動DDR3的普及。由于2GB容量DDR3與DDR2模組差價模已拉近至1美元，近期三星鎖定部分一線大客戶，利用DDR3與DDR2的差價策略，鼓勵PC用戶積極采購DDR3平臺。
三星力推DDR3與DDR2無價差策略
DRAM廠表示，三星規劃DDR3交替腳步相當積極，多次出面力挺DDR3時代將來臨，使得其他DRAM廠包括海力士(Hynix)、美光(Micron)、爾必達(Elpida)等，對于加快腳步導入DDR3，亦顯得興致高昂。不過，近期三星對于DDR3價格殺傷力極大，恐
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三星 DRAM DDR3
- 為了配合英特爾不久前剛宣布的Xeon 5500系列處理器的需求問題，三星電子準備開始50納米的DDR3量產。
DDR3是第3代的同步雙速率存儲器。三星及業界都相信今年底將成為全球存儲器的主流技術。但也有些分析師，包括Needham的Edwin Mok認為DDR3今年可能不會有實質性的太多進展。
三星表示DDR3能使設計servers的OEM與DDR2相比較，每個系統提升到192Gb，并在功能提高一倍時功耗降低60%(速度提高到每秒133Mb時)。
未來Xeon 5500處理器結合DD
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三星 DDR3 存儲器
- 近日，安捷倫科技公司推出目標應用為板級或嵌入式存儲器應用的DDR3協議調試和測試套件，由硬件和軟件的組成。據說該套件是業界首個功能最齊全的DDR3測試工具，包含業界最快的（2.0-Gtransfer/s）全通道16962A邏輯分析模塊，用于DDR3 BGA和DIMM器件的探針，以及一個DDR3兼容性和高性能軟件環境。
該套件具有2GHz觸發序列速度，邏輯模塊
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安捷倫 DDR3
- 據臺灣地區的主板廠商稱，雖然英特爾和AMD原來預計其所有產品都要在2009年全面向DDR3內存過渡，但是，這兩家廠商現在要推遲僅支持DDR3內存的芯片組。DDR3這代內存預計要在2010年之后才能廣泛應用。
由于DDR3內存價格的下降沒有英特爾預期的那樣快，同時英特爾Corei7CPU和X58芯片組還沒有達到預期，英特爾決定將僅支持DDR3內存的5系列芯片組推遲到今年9月。
同時，AMD仍在努力解決技術難題，以便實現建在基于AM3的處理器中的DDR3控制器的穩定性和兼容性。因此，AMD在它
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AMD DDR3
- 內存是PC機重要的部件之一，一般而言，每代內存規格的生命周期為3-5年，如今DDR2規格在經歷了4年左右的發展后，已經進入了其生命的最后歷程。
隨著電腦技術以及應用軟件的不斷進步，在各種應用當中， DDR2內存無論在性能還是功耗上對現今以及未來的需求都顯的有些捉襟見肘。作為IT行業的領跑者，在Intel現階段以及今后的發展藍圖中，我們可以看見DDR3內存正逐漸取代DDR2。
作為即將取代DDR2規格內存的DDR3，相比DDR2頻率上限更高且電壓更低，這些改進能為我們帶來什么好處呢？
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DDR3 Windows Vista 功耗 內存 DDR2
- 引言
DDR3 SDRAM存儲器體系結構提高了帶寬，總線速率達到了600 Mbps至1.6 Gbps (300至800 MHz)，它采用1.5V工作，降低了功耗，90-nm工藝密度提高到2 Gbits。這一體系結構的確速率更快，容量更大，單位比特的功耗更低，但是怎樣才能實現DDR3 SDRAM DIMM和FPGA的接口呢?調平技術是關鍵。如果FPGA I/O結構中沒有直接內置調平功能，和DDR3 SDRAM DIMM的接口會非常復雜，成本也高，需要采用大量的外部元件。那么，什么是調平技術，這一技
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FPGA 存儲器 DDR3 SDRAM
ddr3介紹
目錄概述
設計
發展
DDR3內存的技術改進
概述
針對Intel新型芯片的一代內存技術（但目前主要用于顯卡內存），頻率在800M以上，和DDR2相比優勢如下：
(1)功耗和發熱量較?。何×薉DR2的教訓，在控制成本的基礎上減小了能耗和發熱量，使得DDR3更易于被用戶和廠家接受。
(2)工作頻率更高：由于能耗降低，DDR3可實現更高的工作頻率，在一定程度 [
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