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小改變大不同 揭秘DDR4內存與DDR3區別

  • DDR3內存自從2007年服役以來,至今已經走過了8個年頭。相比Intel的更新換代步伐來說,內存發展可謂相當緩慢。不過好在2014年底,各大廠商紛紛上架DDR4內存產品,起跳頻率達到2133MHz,標志著DDR3時代的終結。
  • 關鍵字: DDR4  DDR3  

美高森美與 New Wave DV合作開發用于以太網和光纖通道解決方案的創新網絡產品和IP內核

  •   致力于在電源、安全、可靠和性能方面提供差異化半導體技術方案的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation) 宣布與New Wave Design & Verification (New Wave DV)合作開發網絡硬件和光纖通道IP內核。現在,PMC/XMC 卡和IP內核均可用于美高森美的SmartFusion2® SoC FPGA和IGLOO2® FPGA器件,能夠為用以太網和/或光纖通道的新型國防、航空航天、企業網絡和存儲應用加快開發周期。   美高
  • 關鍵字: 美高森美  FPGA  DDR3  

Intel絕妙創意:同時兼容DDR3/DDR4規格

  •   以往每次內存更新換代的時候,Intel總是同時提供支持,主板廠商也會推出一些同時有兩種插槽的板子,給大家更多選擇,但是這一次的Haswell-E,Intel狠心只支持DDR4(據說其實也支持DDR3但屏蔽了),實在有點激進。   不過,Intel其實還有一個鬼點子“UniDIMM”(Universal DIMM),可以讓DDR3、DDR4、LPDDR3甚至是未來的LPDDR4共享一種接口規格,隨便更換、升級。        Universal DIMM(U
  • 關鍵字: Intel  DDR3  DDR4  

關于數Gpbs高速存儲器接口設計的分析

  •   游戲機、數字電視(DTV)和個人電腦等流行的消費類電子產品的功能越來越多,性能也越來越高。這些產品數據處理能力的增強使它們的DRAM存儲器接口功能與產品本身的功能緊密聯系在一起,以支持更多功能和更高性能。數據速率達數Gbps的存儲器接口架構可以幫助這些產品實現所需的功能和性能,但是存儲器接口設計必須克服艱巨的挑戰才能達到想要的產品性能和質量。   更新一代的DDR3DRAM和XDR DRAM物理層接口(PHY)具有一些特殊的性能,完全可以克服數Gbps存儲器接口架構帶來的挑戰。但是,DDR3 SDR
  • 關鍵字: 存儲器  DRAM  DDR3  

第一季度DRAM營業收入增長 市場保持上行走勢

  •   據IHS公司的DRAM市場動態簡報,在平均銷售價格上升的推動下,DRAM市場繼續上行,第一季度營業收入連續第二個月環比增長。   今年1-3月DRAM營業收入從2012年第四季度的67億美元增長到71億美元,而且高于第三季度的64億美元。第一季度營業收入創出了將近兩年來的最高水平,僅低于2011年第二季度的81億美元,如圖2所示。   圖2:全球DRAM營業收入概況(單位是10億美元)    ?   DRAM市場的強勁表現主要源于商品型DRAM領域的增長,此前由于出貨量未能跟上
  • 關鍵字: DRAM  DDR3  

針對DDR2-800和DDR3的PCB信號完整性設計

  • 摘要   本文章主要涉及到對DDR2和DDR3在設計印制線路板(PCB)時,考慮信號完整性和電源完整性的設計事項,這些是具有相當大的挑戰性的。文章重點是討論在盡可能少的PCB層數,特別是4層板的情況下的相關技術,其中
  • 關鍵字: DDR3  DDR  800  PCB    

IDT推出業界最低功率DDR3-1866內存緩沖芯片

  • 擁有模擬和數字領域的優勢技術、提供領先的混合信號半導體解決方案的供應商 IDT?公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI) 日前推出業界首款低功率DDR3 內存緩沖芯片,可在高達 1866 兆/秒 (MT/s) 的傳輸速率下運行。
  • 關鍵字: IDT  DDR3  LRDIMM  

IDT公司推出業界首款低功率內存緩沖芯片

  •   擁有模擬和數字領域的優勢技術、提供領先的混合信號半導體解決方案的供應商 IDT?公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI) 今天推出業界首款低功率DDR3 內存緩沖芯片,可在高達 1866 兆/秒 (MT/s) 的傳輸速率下運行。通過提升 DDR3 減少負載雙列直插內存模塊 (LRDIMM) 的最高數據傳輸速率,并使系統制造商獲益于更高速度的內存容量,新器件彰顯了IDT在內存接口解決方案領域的領導者地位。IDT 的內存緩沖芯片是用
  • 關鍵字: IDT  DDR3  模擬芯片  

相當重口味!獨家華碩ROG主板暴力拆解

  •   泡泡網主板頻道3月7日 一提到華碩的高端主板,我們首先都會想到華碩的ROG些列主板產品,其定位頂級發燒用戶,其極致的超頻性能以及相當奢華且精致的做工用料一直是廣大DIY愛好者做夢都想得到的頂級裝備。   不過,對于大多數DIYer來說ROG主板還是比較陌生的產物,筆者今日有幸拿到了一款高貴的ROG系列主板,為了讓更多的DIY愛好者能夠對ROG主板有一個感性的認識,忍痛對此主板進行了完全的拆解,包括每一個很小很小的MOS管元器件都要從PCB板上完全地拆除掉,總共拆成了2百多塊零件并把它們整齊地擺放好給
  • 關鍵字: 華碩  主板  DDR3   

DDR3測試的挑戰及解決方法

  • 前言作為DDR2的繼任者,根據JEDEC標準, 目前DDR3的數據速率跨度從800Mbps開始直至1.6Gbps。在帶給用戶更快性能體驗的同時, DDR3卻能保持較低的功耗,相比DDR2減少約20%。雖然2008年整個DRAM市場低迷,DDR3的出貨量遠
  • 關鍵字: DDR3  測試  方法    

DRAM價格十一月繼續走低

  •   根據集邦科技旗下研究部門DRAMeXchange的調查,受到泰國水患影響硬盤供應鏈,以及正逢PC步入淡季,DRAM 11月下旬合約價再跌,DDR3 4GB跌幅約7.9%,2GB跌幅近7.3%,雖然南科與爾必達宣布減產,但投片到產出需2個月的時間,因此效果要到明年第1季才有機會浮現。   集邦科技指出,由于11月份PC-OEM買貨意愿不高,甚至傳出部分訂單被取消,DRAM廠在出貨壓力下,只好再降價銷售,DRAM 11月下旬合約價公布,DDR3 4GB均價來到17.5美元,跌幅約7.9%,DDR3 2G
  • 關鍵字: DRAM  DDR3  

爾必達25nm制程4Gbit內存顆粒開發完成

  •   爾必達曾宣布采用25nm工藝制造的2Gbit內存顆粒正式開始出貨。今日該公司正式發表公告稱,采用25nm新工藝制造的4Gbit DDR3 SDRAM顆粒研發完成,芯片面積在同類產品(4Gbit DRAM顆粒)中屬世界最小。  
  • 關鍵字: 爾必達  DDR3  25nm  

是好是壞 全球內存現貨價格近日大漲

  •   內存現貨價格近日持續大漲,DDR32GB有效測試顆粒(eTT)現貨價19日大漲6.91%,順利站上1美元大關,漲勢從而引發市況好轉的聯想。   南亞科技副總經理白培霖表示,返校需求沒有預期差,加上內地十一長假的備料需求,預計通路庫存大約剩下2至3周,比起7月中旬1個月以上的庫存來看,價格壓力可望寬緩一些。  
  • 關鍵字: 內存  DDR3  

第三季度及下半年 DRAM價格預計下挫

  •   據IHS iSuppli公司的DRAM市場報告,第三季度DRAM市場將面臨供應嚴重過剩和價格下滑的局面,導致下半年DRAM供應商陷入困境。   主流DRAM產品——2Gb DDR3的平均銷售價格預計第三季度將降到1.60美元,比第二季度的2.10美元下降24%。這將是今年的最大降幅,此前在第二季度表現異常堅挺,價格只比第一季度下降5%,如圖4所示。第四季度價格可能進一步下降22%至1.25美元,接近許多生產商的現金成本。一年前的第三季度,價格還保持在4.70美元。
  • 關鍵字: iSuppli  DRAM  DDR3  

第3季度DRAM展望

  •   第2季DRAM報價下跌幅度相當大,主要是日本311地震后,下游客戶擔心斷鏈危機擴大,因此提前拉貨,但最后發現PC終端需求低于預期,導致整個第2季記憶體市場都處于消化庫存情況,且一直到第3季庫存水位仍是偏高,因此DRAM市場持續陷入供過于求情況。
  • 關鍵字: DRAM  DDR3  
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ddr3介紹

目錄概述 設計 發展 DDR3內存的技術改進 概述   針對Intel新型芯片的一代內存技術(但目前主要用于顯卡內存),頻率在800M以上,和DDR2相比優勢如下:   (1)功耗和發熱量較小:吸取了DDR2的教訓,在控制成本的基礎上減小了能耗和發熱量,使得DDR3更易于被用戶和廠家接受。   (2)工作頻率更高:由于能耗降低,DDR3可實現更高的工作頻率,在一定程度 [ 查看詳細 ]

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