- 全球市場研究機構TrendForce旗下內存儲存事業處DRAMeXchange表示，雖然三星與SK海力士的新工廠仍將于2015年陸續完工，但明年度的投片計劃正仍在進行調整，如三星Line17工廠原本預定第二季大量投片的計劃已經遞延，自明年第二季從每月10K開始增加，采隨市場狀況的漸進式增產，此舉不光可以穩定獲利結構，亦可隨時調整產品類別與比重，預計明年年末投片暫定為40K。但此同時隨著20nm制程的比重提升，該制程由于復雜度高，舊工廠在空間不足亦無法增添新設備下，投片會有減少的可能性，整體來看，三星即
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DRAM 25nm
- 爾必達曾宣布采用25nm工藝制造的2Gbit內存顆粒正式開始出貨。今日該公司正式發表公告稱，采用25nm新工藝制造的4Gbit DDR3 SDRAM顆粒研發完成，芯片面積在同類產品(4Gbit DRAM顆粒)中屬世界最小。
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爾必達 DDR3 25nm
- 日本爾必達公司宣布開發出25nm制程2Gb密度DDR3內存芯片產品，這款產品可支持DDR3-1866規格，并兼容1.35V工作電壓條件下的DDR3L-1600工作模式。預計芯片樣品將于今年7月份開始向外出售，芯片的量產則也將在同一時期啟動。
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爾必達 25nm
- Intel與美光合資公司出品的25nm工藝NAND閃存在今年5月就已經實現了量產。原本我們認為，Intel計劃中在今年四季度推出采用該閃存的第三代固態硬盤產品已經足夠穩健了。但根據歐洲媒體近日得到的消息，Intel近期又修改計劃，將該系列固態硬盤的發布時間推遲到了明年2月。根據之前泄露的路線圖，Intel 計劃在今年四季度推出代號Postville Refresh的第三代X25-M以及X25-V。憑借25nm工藝MLC NAND閃存的優勢，實現容量翻倍，性能提升，更重要的是價格大幅下降。而到了明年一季
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Intel 固態硬盤 25nm
- Intel與鎂光公司已經成功生產出基于25nm制程技術的3位元型NAND閃存芯片產品，目前他們已經將有關的產品樣品送往部分客戶手中進行評估，預計這款NAND閃存芯片將于今年年底前開始量產。這款25nm NAND閃存芯片的存儲密度為64Gb，為三位元型閃存。
這款閃存芯片是由Intel與鎂光合資的IM Flash公司研制，芯片采用了3位元(TLC)型設計，一個存儲單元可存儲3位數據，比一般的單位元(SLC)/雙位元(MLC)閃存的存儲量更大。
這款產品的面積要比現有Intel與鎂光公司推
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Intel 25nm NAND
- 英特爾今天宣布和鎂光一起發布25nm TLC閃存的第一款樣品，TLC(Trinary-Level Cell;TLC)，即3bit/cell，也就是1個內存儲存單元可存放3位元。TLC速度慢，壽命短，但成本低，價格也較便宜，有2000-5000次擦寫壽命，非常適合U盤、SD卡和消費電子產品。新發布的芯片擁有8GB容量，芯片面積131平方毫米，比25納米制程MLC還小20%，以下是圖像：
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英特爾 25nm TLC
- 繼今年二月份宣布成功試制出25nm制程NAND閃存芯片產品之后，Intel與鎂光的合資公司IMFT( Intel-Micron Flash Technologies)近日宣布開始正式對外銷售量產的25nm制程NAND閃存芯片，這種新制程的芯片產品容量將比34nm制程產品提升一倍。
這次采用25nm制程技術制作的NAND閃存芯片產品主要是8GB容量的芯片產品，這種8GB芯片的面積僅為167平方毫米，其容量可容納2000首歌曲，7000張照片或8小時時長的視頻片段。
目前還不清楚首款配置這
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Intel 25nm NAND
- Intel、美光合資公司Intel-Micron Flash Technologies(IMFT)宣布，25nm新工藝 NAND閃存芯片將從第二季度起開始銷售，預計今年晚些時候就可以看到相關U盤、記憶卡、固態硬盤等各種產品。
IMFT 25nm NAND閃存于今年初宣布投產，這也是該領域的制造工藝首次進軍到30nm之下，并應用了沉浸式光刻技術。新閃存內核面積167平方毫米，每單位容量 2bit，總容量8GB，相比現有的34nm工藝閃存容量翻了一番，內核面積卻小了十分之一。
Intel NA
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Intel NAND 25nm
- 鎂光公司NAND閃存市場開發部門的經理Kevin Kilbuck近日透露鎂光計劃明年將其NAND閃存芯片制程轉向25nm以下級別，他表示鎂光今年年中將開始批量生產25nm制程NAND閃存芯片，并將于明年轉向更高級別的制程。他并表示鎂光也計劃開發自己的電荷捕獲型(charge trap flash (CTF))閃存技術，以取代現有的浮柵型( floating-gate)NAND閃存技術。
Killbuck還向Digitimes網站表示，鎂光的新款NAND閃存芯片將遵循新的EZ-NAND規范。目
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鎂光 NAND 25nm
- 由Intel、美光合資組建的IM Flash Technologies, LLC(IMFT)公司今天宣布，已經開始使用25nm工藝晶體管試產MLC NAND閃存芯片，并相信足以領先其他競爭對手長達一年之久。IMFT公司在閃存工藝上一向非常激進，每12-15個月便升級一次：成立之初是72nm，2008年是50nm，去年則率先達到了34nm，在業內領先六個月左右，也讓Intel提前搶先發布了34nm第二代X25-M固態硬盤，美光也即將推出RealSSD C300系列。IMFT生產的閃存芯片有49%供給In
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