據報道，三星芯片部總裁Oh-Hyun Kwon近日在臺北舉行的三星年度移動解決方案論壇上表示，三星正在提高DDR3芯片產量，以緩解目前市場上DDR3芯片供應短缺現狀。
Oh-Hyun Kwon指出，DDR3芯片的需求增長量超過了先前的預計，導致了DDR3供應短缺。不過三星目前已經加大了DDR3芯片生產量，以滿足市場的增長需求，40nm工藝將成為他們明年芯片生產的主要處理技術。
Oh-Hyun Kwon認為，提高產量的方法并不只是多建幾家工廠，技術升級將是三星以后提高芯片產量的主要途徑。
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三星 40nm DRAM DDR3
Globalfoundries位于歐洲的晶圓代工廠已經開始承接40nm芯片代工，劍指22nm制程的晶圓廠也在紐約破土動工。臺積電作為芯片代工領域的帶頭大哥，它將怎樣接招迎敵
只要是在摩爾定律行之有效的地方，企業就必須跟上它的步伐，為此才能在市場上占有一席之地。
8月11日，臺積電董事會宣布，決定投資11.17億美元，以擴充旗下12英寸晶圓廠的45/40nm制程產能，并新上馬32/28nm相關制程。據此間觀察人士分析，臺積電如此大興土木，完全是因應歐洲新競爭對手表現出來的咄咄逼人之勢。
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Globalfoundries 40nm 晶圓代工
Nvidia公司CEO 黃仁勛將在10月中下旬赴臺會見主板和顯卡合作伙伴。黃仁勛預計還將和臺積電主席張忠謀會面，討論40nm制程的合約價。
黃仁勛預計還將查看臺積電的40nm工藝，臺積電宣稱7月該公司40nm工藝良率已從30%升至60%，到10月缺陷密度將降至0.2。黃仁勛還將查看Nvidia即將在12月上市的GT300 GPU的進展。
同時，張忠謀準備和黃仁勛討論雙方在28nm工藝上的合作，臺積電28nm工藝將在2010第一季度試產，并在2011年對外銷售。
黃仁勛還將拜訪VIA
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Nvidia 40nm 28nm
全球能源問題的集中爆發，讓半導體產品的發展不再僅僅追求性能的提升，而是要綜合考慮性能、功耗與成本的平衡點。與眾多先進電源管理方案實現降低系統功耗相比，制程工藝的進步才是提升性能和降低功耗最根本的辦法，轉向更高制程無疑是提升半導體產品性能功耗比和市場競爭力最直接有效的辦法。
市場研究機構Gartner Dataquest產業分析師Kay-Yang Tan表示，過去數十年來，集成器件制造商(IDM)在工藝技術及服務的創新方面扮演領航者的角色，未來也將繼續在新一代產品的開發上扮演重要的角色。同時，專業
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臺積電 DRAM 40nm 45nm 200909
雖然PLD公司之間的競爭一直非常激烈，但ASIC仍然是我們主要的競爭對手。而競爭的結果是客戶趨向于使用可編程解決方案。相信PLD產業會持續擴大市場份額，加速替代ASIC。
在過去幾年中，半導體產業整體上經歷了明顯的衰退。而這一衰退對于可編程邏輯器件(PLD)行業來講實際上卻是很好的發展機會。雖然PLD公司之間的競爭一直非常激烈，但ASIC(專用集成電路)仍然是我們主要的競爭對手。而競爭的結果是客戶趨向于使用可編程解決方案。
相對于10年前，目前采用前沿技術實現一個ASIC設計的成本幾乎翻了
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PLD ASIC FPGA 40nm
國外的消息報道，Globalfoundries的Jensen表示，由于目前臺積電已經擁有了200多家客戶廠商，因此NVIDIA很難在其中立足為中心客戶，而這樣的現象也存在于其他的晶圓生產廠商，包括Globalfoundies在內。
不過目前來看，NVIDIA確實需要從中選擇一家工廠，以便他們開展最新的28nm GPU的研發。并且NVIDIA需要從現在就馬上開始，才會在兩年后完成，甚至需要更久。而Globalfoundies工廠則很有可能會是NVIDIA的被選之一，不過目前來看，可能性較小。
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Globalfoundries GPU 40nm 28nm
全球可編程邏輯解決方案領導廠商賽靈思公司(Xilinx, Inc. ) 今天宣布在IDG集團下屬權威電子雜志《電子設計技術》(EDN China)正在舉辦的2009年度創新獎評選中，其40nm 高性能Virtex?-6 FPGA 系列與目標設計平臺從數百項報名產品中脫穎而出，雙雙獲得提名進入最后入圍產品。
“賽靈思目標設計平臺獲得這一電子業界著名獎項的提名，再一次充分證明電子業界越來越重視推動FPGA進入主流系統開發的新方法的需求。” 賽靈思公司產品與解決方案管理
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Xilinx Virtex 40nm 目標設計平臺
據透露，為了防止在與韓國對手的競爭中落在后面，日本爾必達內存公司計劃明年內轉向使用40nm制程技術，而在40nm制程技術完全成熟之前，爾必達將采 用50nm制程技術作為過渡性的制程技術。目前，爾必達公司剛剛在65nm制程技術基礎上開發出了60nm制程技術。不過爾必達曾計劃直接 跳過50nm制程進入40nm階段，但由于受到經濟危機的影響未能成行。
目前韓國三星電子已經在使用40nm 6F2技術生產內存芯片，而到40nm制程技術成熟時，三星還將推出4F2技術。
美國鎂光公司則已經在110nm制
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爾必達 40nm 內存芯片 50nm
爾必達和Numonyx已經推遲它們的代工計劃達6個月。NOR閃存大廠Numonyx原本與爾必達簽約的第一個代工訂單，計劃在2009年中期開始量產，如今要推遲到2010年的上半年。
盡管近期DRAM價格回升及日本政府為爾必達注資，可是對于存儲器制造商爾必達最大的問題是如何生存下來。顯然爾必達還不可能如奇夢達同樣的命運，退出存儲器。但是日本存儲器制造商需要經濟剌激，因為從長遠看能生存下來可能是個奇跡。
前些時候爾必達CEO己經把爾必達的生存問題提高到日本國家的利益上。但是仍有人質疑為什么要支持
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爾必達 DRAM 50nm 40nm
8月7日消息 據透露，為了防止在與韓國對手的競爭中落在后面，日本爾必達內存公司計劃明年內轉向使用40nm制程技術，而在40nm制程技術完全成熟之前，爾必達將采 用50nm制程技術作為過渡性的制程技術。目前，爾必達公司剛剛在65nm制程技術基礎上開發出了60nm制程技術。不過爾必達曾計劃直接 跳過50nm制程進入40nm階段，但由于受到經濟危機的影響未能成行。
目前韓國三星電子已經在使用40nm 6F2技術生產內存芯片，而到40nm制程技術成熟時，三星還將推出4F2技術。
美國鎂光公司則已經
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爾必達 DRAM 40nm 50nm 60nm
日前，LSI 公司宣布推出業界首款 40nm 讀取信道芯片 TrueStore? RC9500，旨在支持各種尺寸和容量的從筆記本到企業級的 HDD。RC9500 現已開始向硬盤驅動器 (HDD) 制造商提供樣片。RC9500 采用新一代低密度校驗碼(LDPC) 迭代解碼技術，不僅使 HDD 的數據存儲容量提高了 10% 以上，降低了讀取信道的功耗，同時還實現了業界領先的性能，數據傳輸速率超過4.0Gb/s。
IDC 的 HDD 研究部主管 John Rydning 指出：“H
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LSI 40nm TrueStore RC9500 HDD
AMD 首次公開承認 Radeon HD 4770 無法大量供貨與臺積電40nm良品率不足有關，據AMD歐洲區技術公關經理 Antel Tungler 于公開場合表示，AMD只能無奈地以Radeon HD 4850降價及推出基于55nmRV770 的Radeon HD 4730填補RV740的空缺。他并表示，以目前臺積電40nm制程技術的良品率狀況，的確無法滿足目前市場對Radeon HD 4770 的需求，因此目前AMD正與臺積電緊密合作試圖解決問題。
為了減低 Radeon HD 4770
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臺積電 40nm GPU 筆記本顯卡
在全球經濟萎縮引發的半導體產業惡化的新環境、突破更高性能采納的更低節點的新工藝、以及來自競爭對手和客...
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40nm FPGA
??????? “我們新的管理團隊大部分人來自ASIC公司。”在Xilinx二十五周年慶典之時，Xilinx全球副總裁湯立人風趣的說道，“他們也是因為看到了ASIC已達到局限性，因此決定‘棄暗投明’了。”
????????繼Altera于2008年底發布了首款基于40-nm技術的FPG
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FPGA 40nm ASIC
Avago在40nm CMOS工藝技術上取得20 Gbps的SerDes性能表現。延續嵌入式SerDes應用長久以來的領導地位，Avago的40nm內核為公司第七代高性能SerDes IP，而SerDes的出貨總通道數也已經超過了六千萬。Avago在提供高可靠度且高性能的ASIC產品上擁有輝煌的紀錄，目前又在TSMC的40nm CMOS工藝上取得達成高達20 Gbps的SerDes設計，進一步邁入新的里程碑。安華高是為通信、工業和消費類等應用領域提供模擬接口零組件的領導廠商。
非
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Avago 安華高 40nm CMOS
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