有關AMD Fusion APU融合加速處理器的消息最近相當多，其中用于超薄本和上網本的40nm Ontario更是將在今年年底正式發布，AMD路線圖上也出現了新的代號Zacate，那么Ontario APU的性能到底如何呢?Ontario將由臺積電采用40nm工藝制造，處理器部分包括兩個或一個核心，基于Bobcat新架構，圖形部分則基于DX11架構。顯然，后者擊敗Atom平臺毫無懸念，關鍵就是前者能否做到性能和功耗的平衡。
有趣的是，BOINC(伯克利開放式網絡計算平臺)近日無意中透露了Ont
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AMD 處理器 40nm
日本內存芯片廠商爾必達公司最近宣稱公司已經開發出了世界尺寸最小的LPDDR2內存芯片，這種芯片的容量密度達2Gb，采用40nm制程技術制作，芯片 的型號為ECB240ABBCN，芯片數據傳輸率達1066Mbps，工作電壓為1.2V，可在-30-85℃條件下工作。LPDDR2是JEDEC組織 認可的低功耗DDR2內存標準，支持這種標準的芯片產品專門面向智能手機，平板電腦等移動設備。
爾必達稱該內存芯片產品將于今年8月份開始量產，產品將以Pop型FBGA封裝和134腳FBGA兩種封裝形式供貨，并可以
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爾必達 40nm LPDDR2
沉寂了一段時間后，中國半導體業又重新開始沖剌，表現為上海華力12英寸項目啟動及中芯國際擴充北京12英寸生產線產能至4.5萬片，包括可能在北京再建一條12英寸生產線等。
然而，從國外媒體來的訊息表示的觀點有些不同。如美國Information Network認為中國半導體業在政府資金支持下，在未來的5年內將投資250億美元，可能再次掀起高潮。但也不排除，有的市場分析公司對于投資的回報率存有質疑，其實這一切才是正常的。因為中國半導體業是屬于戰略產業，不是完全可用市場機制，單一的經濟規律來解釋得通。
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半導體 28nm 40nm
有人說現在是大公司時代，強者更強，因此電子業內兼并重組現象時有發生。有人卻說，未來給中小企業帶來了機會，只要你的技術或產品在專注的領域里能排在前三，因為發達的媒體業鏟平了信息阻隔，為更多的中小企業創造了貿易機會。
最近，筆者參加了美國Globalpress公司在硅谷周邊——Santa Cruz舉辦的Electronic Summit2010(電子高峰會議)，有約30家公司參與，大部分是中小企業。從中感慨到：摩爾定律揭示了半導體業正向40/32/28nm制程推進的必然過
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摩爾定律 40nm 32nm 28nm 201006
Altera公司今天宣布，開始量產發售40-nm Stratix? IV FPGA系列密度最大的器件。Stratix IV E EP4SE820具有820K邏輯單元(LE)，非常適合需要高密度、高性能和低功耗FPGA的各類高端應用，包括ASIC原型開發和仿真、無線、固網、軍事、計算機和存儲應用等。此次發布后，Altera高端40-nm Stratix IV FPGA系列全部面市，所有器件都已量產發售。
Stratix IV E器件作為Stratix IV FPGA系列的型號之一，同時實現
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Altera 40nm Stratix
東芝在“2010 Symposium on VLSI Technology”(2010年6月15～17日，美國夏威夷州檀香山)上，發布了采用09年開始量產的40nm工藝SoC的低電壓SRAM技術。該技術為主要用于便攜產品及消費類產品的低功耗工藝技術。通過控制晶體管閾值電壓的經時變化，可抑制SRAM的最小驅動電壓上升。東芝此次證實，單元面積僅為0.24μm2的32Mbit SRAM的驅動電壓可在確保95%以上成品率的情況下降至0.9V。因此，低功耗SoC的驅動電壓可從65n
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東芝 40nm SoC SRAM
全球領先的納電子研究中心imec和全球領先的半導體代工廠商TSMC日前宣布拓展imec歐洲基于TSMC 40nm工藝的IC服務。通過緊密的合作，imec和TSMC將同時為歐洲公司和研究機構開放Cybershuttle MPW平臺。
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TSMC 40nm
據主板業者透露，AMD公司為了緩解旗下GPU市場供貨緊缺的問題，曾授意其顯卡/芯片組代工廠商臺積電公司將原先用于生產AMD55nm制程芯片組產 品的產線改為生產GPU芯片，業者預計此舉有可能導致AMD的芯片組產品出現供貨緊缺現象。
2009年下半年，由于臺積電公司40nm制程良率出現問題，AMD公司的40nm制程HD5000系列顯卡曾一度出現嚴重缺貨，結果導致顯卡廠商饑不擇食改下55nm Radeon HD4000系列顯卡GPU訂單，不過由于AMD公司此前對55nm GPU芯片的市場需求估計過低
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AMD 40nm GPU
據報道，日本DRAM大廠爾必達今天宣布已經研發出40nm 2Gb移動(Mobile RAM)內存顆粒。該顆粒大小不到50平方毫米，號稱目前能夠使用40nm工藝實現量產的最小顆粒。該2Gb移動內存顆粒基于40nm CMOS工藝，支持x16-bit、x32-bit位寬，采用60/90-ball FBGA或PoP式FBGA封裝。除JEDEC標準的1.8V電壓外，該顆粒還可支持1.2V的低電壓工作，數據傳輸率400Mbps，工作溫度-25到85度。
爾必達稱，新40nm顆粒在使用了爾必達獨家設計工藝以及
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爾必達 40nm 內存
據Digitimes網站報道，AMD公司計劃將其集顯處理器產品Fusion外包給臺積電公司代工生產，而臺積電公司則將使用40nm體硅制程技術來生 產這款產品，另外這款處理器的后端封裝等則將外包給矽品願景( Siliconware Precision Industries：(SPIL)公司。而與AMD關系緊密的Globalfoundries也將獲得Fusion集顯處理器的一部分訂單，據 TechEye網站最近的一篇報道顯示， Globalfoundries公司目前正在使用32nm SOI制程技術為AMD
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AMD 40nm 集顯處理器
頂級內存/閃存芯片廠商三星公司近日宣布由于Intel至強5600系列新處理器的出爐，刺激服務器廠商對DDR3內存的需求量大增，因此公司將增加 40nm制程DDR3內存芯片的產能。三星表示其40nm制程DDR3內存芯片產品的耗電量將比60nm制程產品低40%左右，目前其40nm制程 DDR3內存芯片產品的型號主要有1Gb/2Gb/4Gb幾種，可用于制作1GB/2GB/4GB/8GB/16GB以及32GB registed內存條。
三星半導體公司的副總裁Jim Elliott表示：“當與
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三星 內存芯片 40nm DDR3
Altera公司今天發布宣布，第一季度銷售額達到4.023億美元，比2009年第四季度增長10%，比2009年第一季度增長52%。新產品銷售持續增長29%。今年第一季度凈收入達到1.532億美元，每股攤薄后收益為0.5美元，而2009年第四季度凈收入為1.03億美元，每股攤薄后收益0.34美元，2009年第一季度凈收入為0.44億美元，每股攤薄后收益0.15美元。
運營現金流為1.327億美元。Altera本季度末流動資金和短期投入達到17億美元。
Altera董事會宣布，每股0.05美元
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Altera FPGA 65nm 40nm
日本DRAM大廠爾必達今天宣布，已經成功開發出4Gbit容量DDR3內存顆粒。這是目前市場上DDR3顆粒的最大容量，只需單面8顆即可組成 4GB容量內存條，雙面16顆即可構成單條8GB內存。該顆粒使用40nm CMOS工藝制造，相比同工藝的2Gb顆粒可節能30%。支持x4、x8、x16 bit位寬，其中x4/x8位寬版本采用78-ball FBGA封裝，x16bit產品采用96-ball FBGA封裝。除DDR3標準的1.5V電壓外，還可支持1.35V低壓標準。
爾必達計劃將該顆粒使用在單條32
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爾必達 40nm CMOS DDR3
根據DRAMeXchange的預測，從今年到2012年，DRAM產業供給方面在產能擴充、資本支出、浸潤式機臺供給有限，以及40nm以下制程轉進難度高影響下，位成長有限。而DRAM需求在全球景氣復蘇，帶動消費者及企業換機潮，以及智能型手機帶動行動內存需求大幅成長下則將動力強勁，預期未來三年DRAM產業有機會連續獲利。
DRAMeXchange指出，DRAM產業過去十幾年來，幾乎每三年為一景氣循環周期，以DRAM廠的營業獲利率分析，2001至2003年DRAM產業連續三年虧損，2004至2006年轉
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智能手機 DRAM 40nm
在2010年2月10日召開的國際固態電子電路大會上，IMEC、株式會社瑞薩科技(以下簡稱瑞薩)、M4S聯手推出了利用40nm低功耗CMOS工藝制造而成、帶有RF、基帶和數據轉換器電路的完整收發器。這款完全可重配置的收發器符合各種無線標準和應用要求，并且符合即將推出的移動寬帶3GPP-LTE標準。
可隨時隨地為用戶提供大量服務的無線通信終端發展趨勢，推動了利用深亞微米CMOS工藝制造而成的可重配置無線電的發展。就3GPP-LTE標準自身非常靈活的特性而言，可重配置無線電就成為其最經濟的實現方式。并
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瑞薩 40nm CMOS 無線收發器
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