- 據臺積電公司負責開發的高級副總裁蔣尚義透露，他們計劃于2012年第三季度開始試產22nm HP(高性能)制程的芯片產品，并將于2013年第一季度開始試產22nm LP(低功耗)制程的芯片產品。蔣尚義是在日前于日本橫濱召開的一次半導體產業論壇會議上透露這些信息的。
會上蔣尚義還透露了臺積電28nm制程推進計劃的細節，據他表示，臺積電將于今年6月底前開始試產28nm低功耗制程(LP)產品，基于這種制程產品將采用SiON+多晶硅材料制作管子的柵極絕緣層和柵極;隨后的9月份臺積電計劃啟動首款基于HKMG
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臺積電 40nm 芯片
- 三星電子宣布，該公司已經在業內第一家使用40nm級別工藝批量生產低功耗的4Gb DDR3內存芯片。
這種內存芯片支持1.5V和1.35V兩種工作電壓，可組裝成16/32GB RDIMM服務器內存條或者8GB SO-DIMM筆記本內存條，性能1.6Gbps，功耗相比于上一代產品降低35%，能為數據中心、服務器系統或者高端筆記本節省大量能源。
三星指出，目前服務器系統平均每路處理器搭配六條RDIMM內存條，總容量最大96GB，如果是60nm 1Gb DDR2芯片，內存子系統功耗可達210W，換
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三星電子 40nm DDR3
- 在近日舉辦的Nvidia公司季度財報會議上，公司高管表示Nvidia公司去年第四季度本可售出更多數量的顯卡產品，不過由于代工商方面的40nm制程 產能有限，因此無法及時供應足夠數量的顯卡芯片，公司未能達成預期的銷售目標。Nvidia高管并估計公司因此而遭受的損失在1-1.5億美元左右。
Nvidia公司在會上表示目前全球40nm制程產品的產能仍較為有限，并且這種產能低下的狀態可能會延遲到今年上半年。盡管沒有指明道姓，但作為Nvidia公司第一代工商的臺積電公司顯然難辭其咎;不過，其客戶Nvidi
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臺積電 40nm GPU
- Nvidia公布了強勁的季度數據，但該顯示芯片巨頭稱公司仍然受代工廠商產能限制的困擾。
據報道，Nvidia正在受其代工合作伙伴TSMC 40nm產能短缺的困擾。TSMC 40nm制程遇到了良率問題，但該公司稱主要問題已經得到解決。
Nvida受TSMC產能的影響。在一次電話會議上，Nvidia宣稱本季度公司本可以出貨更多芯片。Nvidia稱因此減少的銷售額約為1億至1.5億美元。
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Nvidia 顯示芯片 40nm
- 華邦電子公司的總裁詹東義近日宣布，華邦公司將于年內開始40nm制程工藝的開發，不過華邦拒絕就其將于爾必達合作進行40nm制程產品制作的傳言進行評論。華邦公司今年的資本支出預算為67億新臺幣(約20.2915億美元)，比去年的42億新臺幣有較大增長，據悉開發40nm制程所需的費用已經包含在今年的預算中。
公司計劃將旗下12英寸芯片廠的月產能由目前的3.2萬片提升到3.4萬片左右，另外公司還計劃將NOR閃存芯片12英寸晶圓的月產能由現有的月產4000片提升至6000片。
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- 據Jon Peddie Research市調公司最近的調查數據顯示，去年四季度Intel公司的集顯產品銷售成績相當不錯，而AMD和Nvidia的相關市場份額則相比前年同 期均有不同程度的下跌。
據JPR的調查數據顯示，AMD公司在筆記本集顯GPU市場上的份額有所增加，不過他們在臺式機以及筆記本平臺上的獨顯市場份額則出現了下降現象--估計是由于臺積電40nm制程良率不佳的影響。于此同時，Nvidia公司臺式機平臺的獨顯市場份額則出現了提升，而在集顯市場上出現了下跌--這種下跌的
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- 全球可編程邏輯解決方案領導廠商賽靈思公司(Xilinx, Inc. )與全球領先的半導體代工廠商聯華電子( UMC (NYSE: UMC; TSE: 2303))今天共同宣布，采用聯華電子高性能40nm工藝的Virtex®-6 FPGA，已經完全通過生產前的驗證。這是雙方工程團隊為進一步提升良率、增強可靠性并縮短生產周期而努力合作的成果。Virtex-6系列通過生產驗證， 意味著聯華電子繼2009年3月發布首批基于40nm工藝的器件后，正式將該工藝轉入量產。
“對于我們長
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Xilinx 40nm Virtex FPGA
- 據臺積電公司高級副總裁劉德音最近在一次公司會議上表示，臺積電40nm制程工藝的良率已經提升至與現有65nm制程相同的水平，他并表示公司已經完美解決了先前造成40nm制程良率不佳的工藝腔匹配(Chamber matching)問題.
臺積電19日舉辦了一場慶祝Phase5新廠房完工的慶典儀式，這間廠房隸屬于新竹科技園區的臺積電Fab12工廠.據悉新完工的Phase5廠房將于今年第三季度起開始批量投產28nm制程產品。
另據劉德音表示，臺積電正在計劃興建Fab12 Phas
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- 據業者透露，包括臺積電在內的各家芯片生產公司目前的40nm制程良率均無法突破70%大關。這種局面恐將對下一代顯卡和FPGA芯片等產品的市場供貨造成一 定的影響。臺積電不久前在股東會上曾透露40nm制程產線遭遇工藝腔匹配問題，由此造成40nm產品良率不佳，不過目前他們去年底似乎已經解決了這個問 題。
另外，聯電目前也正在其12英寸廠房中實施40nm制程芯片的量產。據業內人士透露，目前提供40nm制程FPGA芯片代工服務的Xilinx公司也出于保險起見開始推行多品種經營策略，以免受到40nm制程良率
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臺積電 40nm FPGA
- 據AMD官方確認，臺積電公司40nm制程工藝的良率已趨于穩定，而盡管AMD/ATI公司的HD5800系列顯卡的價格仍保持在較高的水平，但其供貨量已經恢復到了正常的水平。
今年十月份左右的時段，臺積電公司40nm制程工藝的良率曾一度僅達到40%左右，導致臺積電的兩個主要客戶AMD/ATI以及Nvidia兩家公司的相關顯卡產品出現了較為嚴重的缺貨現象，不過臺積電高層曾承諾稱其40nm制程良率會在年底回復正常水平，看起來他們這次的承諾算是兌現了。
今日新蛋網店上的HD5800系列顯卡上貨率也恢復
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臺積電 40nm HD5800
- 爾必達公司近日宣布其位于廣島的芯片廠已經開始量產40nm制程2Gb DDR3內存芯片產品，爾必達公司今年10月份剛剛完成40nm制程2Gb DDR3內存芯片技術的開發工作，而他們只用了兩個月的時間便將這項技術投入了量產。
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比較現有的50nm制程技術，40nm制程能在每片晶圓上多產出44%的DDR3內存芯片，而且新制程用于生產1.6Gbps規格的DDR3內存芯片時的良率可達100%。芯片工作電壓方面，40nm制程的DDR3芯片也比50nm制程的產品的1.5V降低了2/3左右，達到1
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- Hynix公司近日宣布成功開發出了業內首款面向PC機和游戲機的40nm制程2Gb GDDR5顯存顆粒產品。Hynix稱這款新開發出來的GDDR5顯存運行頻率可達7GHz，在芯片位寬為32位的條件下，芯片的傳輸帶寬可達 28GB/s.這款GDDR5芯片的工作電壓為1.35V，比Hynix公司原有基于50nm制程的GDDR5產品能耗可下降20%左右。
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Hynix公司計劃于明年下半年開始量產這種40nm制程2Gb GDDR5芯片。
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Hynix 40nm GDDR5 顯存芯片
- 據稱，全球第一大半導體代工廠臺積電已經完全取消了下一代32nm工藝，算上一直不順利的40nm工藝真可謂是屋漏偏逢連夜雨了。
臺積電方面尚未就此發表官方評論，不過已經有多個消息來源確認了這一點。
不過這并不意味著臺積電的新工藝研發就走進了死胡同。
事實上，臺積電在今年八月底就已經在全球首家成功使用28nm工藝試制了64Mb SRAM單元，并在三種不同工藝版本上實現了相同的良品率。
按照規劃，臺積電將在明年前三個季度分別開始試產28nm高性能高K金屬柵極(28HP)、28nm低功耗
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臺積電 32nm 40nm 高K金屬柵極
- 韓國Hynix公司宣布其40nm制程2Gb DDR3內存芯片產品通過了Intel的認證，Hynix并稱將開始批量生產這種芯片產品，另外他們還宣稱面向服務器應用的Registered DIMM產品的驗證工作也將于年底前順利完成。
這次通過驗證的Hynix產品有2Gb DDR3 SDRAM內存芯片，4GB DDR3 SO-DIMM(筆記本內存條)以及2GB DDR3 unbuffered DIMM(即普通家用型內存條)，驗證時的運行頻率為1333MHz，芯片電壓為1.5V。
Hynix宣稱
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- 據臺灣內存業者透露，由于越來越多的內存芯片廠商都在積極轉向下一代制程技術，因此這種彼此間的良性制程競賽將令內存芯片的生產成本在明年之內將出現較大幅度的下降。
目前，韓國三星電子的內存芯片產品已經有50%比例在采用56nm制程制作，而第四季度，部分DDR3芯片已經開始小批導入40nm制程。預計到明年下半年，40nm制程將成為三星的主力制程，三星也將由此再一次占據業內領先的地位。
日本爾必達公司則很快會開始啟用其改進版65nm制程，爾必達將這種制程稱為Extra 65nm。并將隨后于明年轉移到
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三星電子 40nm 56nm 內存芯片
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