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Hynix40nm 2Gb DDR3內存芯片通過Intel驗證

作者: 時間:2009-11-23 來源:digitimes 收藏

  韓國公司宣布其制程2Gb DDR3內存芯片產品通過了Intel的認證,并稱將開始批量生產這種芯片產品,另外他們還宣稱面向服務器應用的Registered DIMM產品的驗證工作也將于年底前順利完成。

本文引用地址:http://www.j9360.com/article/100077.htm

  這次通過驗證的產品有2Gb DDR3 內存芯片,4GB DDR3 SO-DIMM(筆記本內存條)以及2GB DDR3 unbuffered DIMM(即普通家用型內存條),驗證時的運行頻率為1333MHz,芯片電壓為1.5V。

  Hynix宣稱其制程2Gb DDR3內存芯片的產出量比制程技術提升了60%左右。并稱制程的產品耗電量比制程產品可下降40%,比業內通用的耗電標準低兩倍。

  Hynix公司的CMO JB Kim表示:“在高性能服務器市場,目前的主流已經迅速由原來的1Gb密度芯片轉為2Gb密度芯片,我們將為業界提供性能最好的1Gb/2Gb內存產品。”



關鍵詞: Hynix 40nm SDRAM 50nm

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