去年末有報道稱，小米即將迎來了自己的SoC，已完成了其首款3nm自研芯片的流片工作，剩下唯一的步驟就是與代工合作伙伴確定訂單，批量生產自己設計的芯片。小米曾在2017年推出了澎湃S1，搭載于小米5c，對SoC并不陌生。據Wccftech報道，雖然中國大陸的芯片設計公司或許不能采用臺積電（TSMC）最新的制造工藝，但最新消息指出，相關的管制措施暫時沒有影響到小米，該款SoC有望在今年晚些時候推出。不過與之前的消息有些不同，小米的自研芯片采用的并非3nm工藝，而是4nm工藝，具體來說是N4P。小米的SoC在C
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3月31日消息，據媒體報道，位于新竹和高雄的兩大臺積電工廠將是2nm工藝制程的主要生產基地，預計今年下半年正式進入全面量產階段。在前期試產中，臺積電已經做到了高達60%的良率表現，待兩大工廠同步投產之后，月產能將攀升至5萬片晶圓，最大設計產能更可達8萬片。與此同時，市場對2nm芯片的需求持續高漲，最新報告顯示，僅2025年第三、四季度，臺積電2納米工藝即可創造301億美元的營收，這一數字凸顯先進制程在AI、高性能計算等領域的強勁需求。作為臺積電的核心客戶，蘋果將是臺積電2nm工藝制程的首批嘗鮮者，預計iP
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據外媒報道，英特爾確認將于今年晚些時候在其位于愛爾蘭萊克斯利普的Fab 34量產3nm芯片。據了解，Intel 3是該公司的第二個EUV光刻節點，每瓦性能比Intel 4工藝提高了18%。Intel公司在年度報告中表示，該工藝于2024年在美國俄勒岡州完成首批量產，2025年產能將全面轉至愛爾蘭萊克斯利普工廠。據介紹，英特爾同步向代工客戶開放Intel 4/3/18A及成熟制程7nm / 16nm工藝。此外，該公司還與聯電合作開發12nm代工工藝。英特爾還表示：基于Intel 18A工藝的客戶端處理器Pa
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如果你需要將電子從這里移動到那里，你可以求助于銅。這種常見元素是一種極好的導體，很容易制成電線和電路板走線。但是，當你變小時，情況就會發生變化：在納米尺度上真的非常小。相同的銅顯示出越來越大的電阻，這意味著更多的電信號會因熱量而損失。為更小、更密集的設備供電可能需要更多的能量，這與您想要的微型電子設備正好相反。斯坦福大學的研究人員在 Eric Pop 實驗室由 Asir Intisar Khan 領導，一直在試驗一種按比例縮小到約 1.5 納米厚度的新型薄膜。他們發現，隨著這
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快科技3月25日消息，據悉，中國科學院成功研發除了突破性的固態DUV(深紫外)激光，可發射193nm的相干光，與目前主流的DUV曝光波長一致，能將半導體工藝推進至3nm。據悉，ASML、佳能、尼康的DUV光刻機都采用了氟化氙(ArF)準分子激光技術，通過氬、氟氣體混合物在高壓電場下生成不穩定分子，釋放出193nm波長的光子，然后以高能量的短脈沖形式發射，輸出功率100-120W，頻率8k-9kHz，再通過光學系統調整，用于光刻設備。中科院的固態DUV激光技術完全基于固態設計，由自制的Yb:YAG晶體放大器
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3月24日消息，近日，英偉達首席執行官黃仁勛表示，英偉達計劃在未來四年內斥資數千億美元采購美國制造的芯片和電子產品。英偉達設計的最新芯片以及用于數據中心的英偉達驅動服務器，現在可于臺積電和鴻海在美國運營的工廠生產。黃仁勛稱，“總體而言，在未來四年里，我們將采購總額可能達到5000億美元的電子產品。我認為我們可以很容易地看到，我們在美國制造了數千億個這樣的產品。”黃仁勛還表示，英偉達正與臺積電、富士康等公司合作，將制造業務轉移到美國本土。黃仁勛稱，此舉將增強供應鏈韌性。對于市場傳聞的“英偉達可能投資英特爾”
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3月21日消息，投資公司GF Securities在報告中稱，iPhone 18系列搭載的A20芯片將會采用臺積電第三代3nm工藝N3P制造，對此，分析師Jeff Pu予以反駁，稱A20芯片基于臺積電2nm制程打造，蘋果使用3nm的消息可以被忽略了。據悉，臺積電已經開始了2nm工藝的試產工作，該項目在新竹寶山工廠進行，初期良率是60%，預計在2025年下半年開始進行批量生產階段。之前摩根士丹利發布報告稱，2025年臺積電2nm月產能將從今年的1萬片試產規模，增加至5萬片左右的量產規模。由于產能爬坡以及良率
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英偉達CEO黃仁勛最新表示，中國人工智能企業DeepSeek發布的R1模型只會增加對計算基礎設施的需求，因此，擔憂“芯片需求可能減少”是毫無根據的。當地時間周三（3月19日），黃仁勛在GTC大會與分析師和投資者會面時表示，外界先前對“R1可能減少芯片需求”的理解是完全錯誤的，未來的計算需求甚至會變得要高得多。今年1月時， DeepSeek發布的R1模型引發了市場轟動，該模型開發時間僅兩個月，成本不到600萬美元，僅用約2000枚英偉達芯片，但R1在關鍵領域的表現能媲美OpenAI的最強推理模型o1。這導致
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3 月 19 日消息，惠普在其 Amplify Conference 2025
會議上宣布推出首批可抵御量子計算機密碼破譯攻擊的打印機產品，包括 Color LaserJet Enterprise MFP 8801、Mono
MFP 8601、LaserJet Pro Mono SFP 8501 三大型號。惠普表示這些打印機均采用量子彈性設計，搭載了采用抗量子加密技術設計的新型 ASIC，該芯片增強了打印機的安全性和可管理性，能防止針對 BIOS 和固件的量子攻擊，并支持固件數字簽名驗證。此外這些
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3 月 18 日消息，據臺媒 digitimes 今日消息，SK 海力士預計將獨家供應英偉達 Blackwell Ultra 架構芯片第五代 12 層 HBM3E，預期與三星電子、美光的差距將進一步拉大。SK
海力士于去年 9 月全球率先開始量產 12 層 HBM3E 芯片，實現了最大 36GB 容量。12 層 HBM3E的運行速度可達
9.6Gbps，在搭載四個 HBM 的 GPU 上運行‘Llama 3 70B’大語言模型時每秒可讀取 35 次 700 億個整體參數的水平。去年 11 月，SK
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臺積電擴大投資美國千億美元（約新臺幣3.3兆）未來將興建3座晶圓廠、2座先進封裝廠及1座研發中心，從研發到制造全面布局。 英特爾前CEO基辛格（Pat Gelsinger）近日再度公開喊話，重建半導體供應鏈應該敦促供應鏈移往美國，并對芯片課關稅。綜合外媒報導，基辛格對于臺積電擴大投資美國持正面態度，他稱贊臺積電很棒，但臺積電在美國沒有研發中心（R&D）且擁有研發能力相當關鍵，長期創新與研發將帶領任何產業往前邁進。另一方面，基辛格又暗示地緣政治風險，基辛格表示：「據波士頓顧問公司BCG的研究，中國臺
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3 月 11 日消息，據 ZDNet Korea 今日報道，三星電子 11 日的業務報告稱，三星電子第四代 4 納米工藝（SF4X）已于去年 11 月開始量產。由于該工藝專注于人工智能等高性能計算（HPC）領域，預計將在三星代工業務的復蘇中發揮關鍵作用。三星第一代 4 納米于 2021 年量產。圖源：三星電子據了解，與前幾代相比，三星的第四代 4 納米芯片采用了先進的后端連線（BEOL）技術，能夠顯著提升芯片的整體性能，同時降低制造成本。此外，該芯片還配備了高速晶體管，還支持 2.5D 和 3D 等下一代
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3月11日消息，美國貿易代表辦公室將于當地時間11日，就中國大陸制造的成熟制程芯片（傳統芯片）舉行聽證會。此舉可能將會推動特朗普政府對來自中國大陸的傳統芯片加征更多的關稅。據媒體報道，中國社科院美國問題專家呂祥采訪時表示，目前中國在存儲芯片方面的產能和技術都在顯著提高，美國試圖限制中國的出口和產能發展，但中國生產的高性能芯片在全球市場具有很大優勢，目前美國處于兩難的局面。據了解，早在2024年12月23日，前拜登政府就宣布，要求美國貿易代表辦公室發起301條款調查，以審查中國將傳統半導體作為主導地位的目標
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3 月 10 日消息，科技媒體 9to5Mac 昨日（3 月 9 日）發布博文，報道認為蘋果最新推出的 2025 款 11 英寸 iPad（A16）平板不僅提升了產品性能，還通過使用美國制造的芯片獲得戰略優勢。位于美國亞利桑那州的臺積電工廠美國于 2024 年開始試產 4 納米芯片，臺積電已在亞利桑那州 Fab 21 工廠第一期工程小規模生產 A16 芯片，雖然數量有限，但意義重大。消息稱伴隨著一期工程第二階段完成，該工廠將大幅提升產能，預計 2025 年上半年達到目標產量。蘋果沒有計劃讓 2025 款
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3 月 10 日消息，聯合新聞網今天（3 月 10 日）發布博文，報道稱英偉達有望在 3 月 17~21 日舉辦的年度 GTC 大會上，宣布 GB300 AI 芯片。報道稱該芯片能耗大幅提升，散熱需求激增，將全面導入水冷技術，掀起“二次冷革命”。消息稱英偉達為了解決 GB300 的散熱需求，將棄用傳統氣冷方案，全面導入水冷技術，這不僅將推動水冷板和水冷快接頭的用量激增，還標志著“二次冷革命”的到來。消息稱 GB300 的水冷管線比 GB200 更多、更密集，快接頭需求量因此大幅增加。臺企雙鴻、奇鋐以及水冷
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