臺積電10月27日宣布，成立開放創新平臺（OIP）3D
Fabric聯盟以推動3D半導體發展，目前已有三星、美光、SK海力士、日月光、ARM、新思科技、Advantest、世芯電子、Alphawave、Amkor、Ansys、Cadence、創意電子、IBIDEN、西門子、Silicon
Creations、矽品精密工業、Teradyne、Unimicron19個合作伙伴同意加入。據悉，3DFabric聯盟成員能夠及早取得臺積電的3DFabric技術，使得他們能夠與臺積電同步開發及優化解決方案，也
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臺積電 三星 ARM 美光 OIP 3D Fabric
- 長期批量供應協議即刻生效- 為下一代 3D 傳感應用開發 VCSEL 技術- 進一步加強 IQE 作為 3D 傳感市場領導者的地位 IQE plc（AIM 股票代碼：IQE，以下簡稱“IQE”或“集團”），全球領先的化合物半導體晶圓產品和先進材
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IQE VCSEL 3D 傳感
西門子數字化工業軟件近日推出Tessent Multi-die軟件解決方案，旨在幫助客戶加快和簡化基于2.5D和3D架構的新一代集成電路（IC）關鍵可測試性設計（DFT）。隨著市場對于更小巧、更節能和更高效能的IC需求日益提升，IC設計界也面臨著嚴苛挑戰。下一代組件正傾向于采用復雜的2.5D和3D架構，以垂直（3D IC）或并排（2.5D）方式連接多個晶粒，使其能夠作為單一組件運作。但是，這種做法為芯片測試帶來巨大的挑戰，因為大部分傳統的測試方法都是基于常規的2D流程。為了解決這些挑戰，西門子推出Tess
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西門子 2.5D 3D 可測試性設計
10月17日，2022年世界技能大賽特別賽韓國賽區閉幕式舉行，中國6名選手獲得3枚金牌、1枚銅牌和2個優勝獎，實現多個項目上金牌和獎牌零的突破。 本次特別賽韓國賽區比賽于10月12日開幕，共舉行8個項目的比賽，吸引了來自34個國家和地區的130余名選手參賽。中國選手參加其中6個項目的角逐。 其中，來自廣州市工貿技師學院的選手楊書明獲得移動應用開發項目金牌，成為本次大賽該新增項目首個金牌獲得者。 來自深圳技師學院的選手羅凱、陳新源分別獲得3D數字游戲藝術項目、云計算項目金牌，實現我國在這兩個項目上
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世界技能大賽 3D 云計算
疫情突顯產業供應鏈中斷和制造業缺工問題，加上少量多樣需求成趨勢，迫使制造業快速轉型，走向更自動化、數字化的智能化方向。因此，各產業對自動光學檢測(AOI)技術的需求更為殷切。疫情突顯產業供應鏈中斷和制造業缺工問題，加上少量多樣需求成趨勢，迫使制造業快速轉型，走向更自動化、數字化的智能化方向。導入自動化及AI的過程中，傳統人力逐漸被取代，也改變產線人員配置的傳統生態，其中，可以確保產線及產品質量的自動檢測儀器不僅發揮精準有效的優勢，還能針對缺陷或瑕疵及時修復、舍棄，降低不必要的時間成本與人力成本，快速穩定且
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自動光學檢測 AOI AI 3D 檢測鐵三角
西門子數字化工業軟件近日與半導體晶圓制造大廠聯華電子 (UMC) 合作，面向聯華電子的晶圓堆疊 (wafer-on-wafer) 和芯片晶圓堆疊 (chip-on-wafer) 技術，提供新的多芯片 3D IC?(三維集成電路)?規劃、裝配驗證和寄生參數提取 (PEX)?工作流程。聯電將同時向全球客戶提供此項新流程。通過在單個封裝組件中提供硅片或小芯片?(chiplet)?彼此堆疊的技術，客戶可以在相同甚至更小的芯片面積上實現多個組件功能。相比于在 PCB
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西門子 聯華電子 3D IC 混合鍵合流程
近日，長江存儲科技有限責任公司（簡稱“長江存儲”）宣布推出UFS 3.1通用閃存——UC023。這是長江存儲為5G時代精心打造的一款高速閃存芯片，可廣泛適用于高端旗艦智能手機、平板電腦、AR/VR等智能終端領域，以滿足AIoT、機器學習、高速通信、8K視頻、高幀率游戲等應用對存儲容量和讀寫性能的嚴苛需求。UC023的上市標志著長江存儲嵌入式產品線已正式覆蓋高端市場，將為手機、平板電腦等高端旗艦機型提供更加豐富靈活的存儲芯片選擇。長江存儲高級副總裁陳軼表示 ：“隨著5G通信、大數據、AIoT的加速
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長江存儲 3D NAND
這兩年，長江存儲無論是NAND閃存還是SSD固態盤，都呈現火力全開的姿態，從技術到產品都不斷推陳出新。6月23日，長江存儲有發布了面向OEM市場的商用SSD PC300系列，可用于筆記本、輕薄本、二合一本、一體機、臺式機、物聯網、嵌入式、服務器等各種場景，而且同時支持3.3V、1.8V SideBand電壓，可適配更多平臺。長江存儲PC300系列采用了自家的Xtacking 2.0晶棧架構的第三代3D NAND閃存芯片，容量256GB、512GB、1TB。提供M.2 2242、M.2 2280兩種形態規格
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長江存儲 3D NAND
近日，有消息稱，國內存儲芯片大廠長江存儲已向客戶交付了192層堆疊的3D NAND閃存芯片。而預計在2022年底或2023年初，會實現232層堆疊的3D NAND閃存技術。這意味著國內存儲芯片廠商，終于追上三星、美光了。要知道美光是前不久才發布了業界首個 232 層堆棧的 3D NAND Flash芯片，而大規模量產和應用要到2022年底或2023年初去了。而三星預計也是在2022年內推出200層以上的3D NAND閃存芯片，而大規模應用也要到2023年去了。可見，國產存儲芯片，在技術上確實已經追上了三星
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長江存儲 3D NAND
中國芯片傳來捷報，長江存儲取得重大技術突破，正式打破韓國三星壟斷，目前已經完成192層3D NAND閃存樣品生產，預計年底實現大規模量產交付。長江存儲一直是我國優秀的存儲芯片企業，從成立之初就保持著高速穩定的發展狀態，用短短3年的時間，接連推出了32層NAND閃存，以及64層堆棧3D NAND閃存，成功進入了華為Mate40手機的供應鏈。隨后為了縮短和三星、SK海力士、鎧俠等寡頭企業的距離，長江存儲直接越級跳過了96層，直接進入了128層3D NAND 閃存的研發，并成功在2020年正式宣布研發成功，它是
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長江存儲 3D NAND
頭一段時間，有媒體報道稱，長江存儲自主研發的192層3D NAND閃存已經送樣，預計年底實現量產。長江存儲一直是我們優秀的國產存儲芯片企業，從成立之初便保持了一個高速的發展狀態。2016年成立，2017年便推出了32層NAND閃存。2019年，推出64層堆棧3D NAND閃存，并成功進入了華為Mate40手機的供應鏈。為了縮短與三星、SK海力士、鎧俠等行業大廠的差距，長江存儲跳過了96層，直接進行了128層3D NAND 閃存的研發，并在2020年正式宣布研發成功，它是業內首款128層QLC規格的3D N
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長江存儲 3D NAND
比利時微電子研究中心（imec）于本周舉行的2022年IEEE國際超大規模集成電路技術研討會（VLSI Symposium），首度展示從晶背供電的邏輯IC布線方案，利用奈米硅穿孔（nTSV）結構，將晶圓正面的組件連接到埋入式電源軌（buried power rail）上。微縮化的鰭式場效晶體管（FinFET）透過這些埋入式電源軌（BPR）實現互連，性能不受晶背制程影響。 FinFET微縮組件透過奈米硅穿孔（nTSV）與埋入式電源軌（BPR）連接至晶圓背面，與晶圓正面連接則利用埋入式電源軌、通孔對
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imec 晶背供電 邏輯IC 布線 3D IC
3D深度傳感器在汽車座艙監控系統中發揮著著舉足輕重的作用，有助于打造創新的汽車智能座艙，支持新服務的無縫接入，并提高被動安全。它們對于滿足監管規定和NCAP安全評級要求，以及實現自動駕駛愿景等都至關重要。有鑒于此，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）與專注3D ToF（飛行時間）系統領域的湃安德（pmd）合作，開發出了第二代車用REAL3?圖像傳感器，該傳感器符合ISO26262標準，具有更高的分辨率。
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3D 圖像傳感器
增強現實（AR）應用將從根本上改變人類的生活和工作方式。預計今年下半年，AR領域的開拓者Magic Leap將推出其最新的AR設備Magic Leap 2。Magic Leap 2專為企業級應用而設計，將成為市場上最具沉浸感的企業級AR頭顯之一。Magic Leap 2符合人體工學設計，擁有行業領先的光學技術和強大的計算能力，能夠讓操作人員更高效地開展工作，幫助公司優化復雜的流程，并支持員工進行無縫協作。Magic Leap 2的核心優勢之一是采用了由英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX:
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3D s深度傳感
5月25日，有消息傳出，華為將在VLSI Symposium 2022期間發表其與中科院微電子研究所合作開發的 3D DRAM 技術。隨著“摩爾定律”走向極限，DRAM芯片工藝提升將愈發困難。3D DRAM就成了各大存儲廠商突破DRAM工藝極限的新方案。DRAM工藝的極限目前，DRAM芯片最先進的工藝是10nm。據公開資料顯示，三星早已在2020年完成了10nm制程DRAM的出貨；美光和SK海力士也在2021年完成了10nm DRAM產品的量產。那么，10nm是DRAM工藝的極限嗎？在回答這個問題之前，我
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3d介紹
3D——三維圖形
3D是three-dimensional的縮寫，就是三維圖形。在計算機里顯示3d圖形，就是說在平面里顯示三維圖形。不像現實世界里，真實的三維空間，有真實的距離空間。計算機里只是看起來很像真實世界，因此在計算機顯示的3d圖形，就是讓人眼看上就像真的一樣。人眼有一個特性就是近大遠小，就會形成立體感。計算機屏幕是平面二維的，我們之所以能欣賞到真如實物般的三維圖像，是因為顯示在計 [
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