3d 文章 進入3d技術社區(qū)
5G加速 聯(lián)電首推RFSOI 3D IC解決方案
- 聯(lián)電昨(2)日所推出業(yè)界首項RFSOI 3D IC解決方案,此55奈米RFSOI制程平臺上所使用的硅堆棧技術,在不損耗射頻(RF)效能下,可將芯片尺寸縮小逾45%,聯(lián)電表示,此技術將應用于手機、物聯(lián)網(wǎng)和AR/VR,為加速5G世代鋪路,且該制程已獲得多項國際專利,準備投入量產(chǎn)。 聯(lián)電表示,RFSOI是用于低噪聲放大器、開關和天線調諧器等射頻芯片的晶圓制程。隨著新一代智能手機對頻段數(shù)量需求的不斷增長,聯(lián)電的RFSOI 3D IC解決方案,利用晶圓對晶圓的鍵合技術,并解決了芯片堆棧時常見的射頻干擾問題,將裝置中
- 關鍵字: 5G 聯(lián)電 RFSOI 3D IC
聯(lián)電:3D IC解決方案已獲得客戶采用,預計今年量產(chǎn)
- 近日,晶圓代工大廠聯(lián)電舉行法說會,公布2024年第一季財報,合并營收546.3億元新臺幣,較2023年第四季549.6億元新臺幣減少0.6%,較2023年第一季542.1億元新臺幣成長0.8%。第一季毛利率達30.9%,歸屬母公司凈利104.6億元新臺幣。聯(lián)電共同總經(jīng)理王石表示,由于電腦領域需求回升,第一季晶圓出貨量較2023年第四季成長4.5%。盡管產(chǎn)能利用率微幅下降至65%,成本控管及營運效率提升,仍維持相對穩(wěn)健獲利。電源管理芯片、RFSOI芯片和人工智能AI服務器矽中介層需求推動下,特殊制程占總營收
- 關鍵字: 聯(lián)電 3D IC
如何減少光學器件的數(shù)據(jù)延遲
- 光子學和電子學這兩個曾經(jīng)分離的領域似乎正在趨于融合。
- 關鍵字: 3D-IC
3D DRAM進入量產(chǎn)倒計時
- 在 AI 服務器中,內存帶寬問題越來越凸出,已經(jīng)明顯阻礙了系統(tǒng)計算效率的提升。眼下,HBM 內存很火,它相對于傳統(tǒng) DRAM,數(shù)據(jù)傳輸速度有了明顯提升,但是,隨著 AI 應用需求的發(fā)展,HBM 的帶寬也有限制,而理論上的存算一體可以徹底解決「存儲墻」問題,但該技術產(chǎn)品的成熟和量產(chǎn)還遙遙無期。在這樣的情況下,3D DRAM 成為了一個 HBM 之后的不錯選擇。目前,各大內存芯片廠商,以及全球知名半導體科研機構都在進行 3D DRAM 的研發(fā)工作,并且取得了不錯的進展,距離成熟產(chǎn)品量產(chǎn)不遠了。據(jù)首爾半導體行業(yè)
- 關鍵字: 3D DRAM
3D NAND,1000層競爭加速!
- 據(jù)國外媒體Xtech Nikkei報道,日本存儲芯片巨頭鎧俠(Kioxia)首席技術官(CTO)Hidefumi Miyajima近日在東京城市大學的應用物理學會春季會議上宣布,該公司計劃到2031年批量生產(chǎn)超過1000層的3D NAND Flash芯片。眾所周知,在所有的電子產(chǎn)品中,NAND閃存應用幾乎無處不在。而隨著云計算、大數(shù)據(jù)以及AI人工智能的發(fā)展,以SSD為代表的大容量存儲產(chǎn)品需求高漲,堆疊式閃存因此而受到市場的青睞。自三星2013年設計出垂直堆疊單元技術后,NAND廠商之間的競爭便主要集中在芯
- 關鍵字: 3D NAND 集邦咨詢
300層之后,3D NAND的技術路線圖
- 開發(fā)下一代 3D NAND 閃存就像攀登永無止境的山峰。
- 關鍵字: 3D NAND
3D ToF相機于物流倉儲自動化的應用優(yōu)勢
- 3D ToF智能相機能藉助飛時測距(Time of Flight;ToF)技術,在物流倉儲現(xiàn)場精準判斷貨物的擺放位置、方位、距離、角度等資料,確保人員、貨物與無人搬運車移動順暢,加速物流倉儲行業(yè)自動化。2020年全球疫情爆發(fā),隔離政策改變人們的消費模式與型態(tài),導致電商與物流倉儲業(yè)出現(xiàn)爆炸性成長;于此同時,人員移動的管制,也間接造成人力不足產(chǎn)生缺工問題,加速物流倉儲行業(yè)自動化的進程,進而大量導入無人搬運車AGV(Automated Guided Vehicle)/AMR(Autonomous Mobile
- 關鍵字: 3D ToF 相機 物流倉儲 自動化 臺達
3D NAND還是卷到了300層
- 近日,三星電子宣布計劃在明年生產(chǎn)第 9 代 V-NAND 閃存,據(jù)爆料,這款閃存將采用雙層堆棧架構,并超過 300 層。同樣在 8 月,SK 海力士表示將進一步完善 321 層 NAND 閃存,并計劃于 2025 年上半期開始量產(chǎn)。早在 5 月份,據(jù)歐洲電子新聞網(wǎng)報道,西部數(shù)據(jù)和鎧俠這兩家公司的工程師正在尋求實現(xiàn) 8 平面 3D NAND 設備以及超過 300 字線的 3D NAND IC。3D NAND 終究還是卷到了 300 層……層數(shù)「爭霸賽」眾所周知,固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快,但售價和容量還
- 關鍵字: V-NAND 閃存 3D NAND
3D DRAM時代即將到來,泛林集團這樣構想3D DRAM的未來架構
- 動態(tài)隨機存取存儲器 (DRAM) 是一種集成電路,目前廣泛應用于需要低成本和高容量內存的數(shù)字電子設備,如現(xiàn)代計算機、顯卡、便攜式設備和游戲機。技術進步驅動了DRAM的微縮,隨著技術在節(jié)點間迭代,芯片整體面積不斷縮小。DRAM也緊隨NAND的步伐,向三維發(fā)展,以提高單位面積的存儲單元數(shù)量。(NAND指“NOT AND”,意為進行與非邏輯運算的電路單元。)l 這一趨勢有利于整個行業(yè)的發(fā)展,因為它能推動存儲器技術的突破,而且每平方微米存儲單元數(shù)量的增加意味著生產(chǎn)成本的降低。l DRAM技
- 關鍵字: 3D DRAM 泛林
3d介紹
3D——三維圖形
3D是three-dimensional的縮寫,就是三維圖形。在計算機里顯示3d圖形,就是說在平面里顯示三維圖形。不像現(xiàn)實世界里,真實的三維空間,有真實的距離空間。計算機里只是看起來很像真實世界,因此在計算機顯示的3d圖形,就是讓人眼看上就像真的一樣。人眼有一個特性就是近大遠小,就會形成立體感。計算機屏幕是平面二維的,我們之所以能欣賞到真如實物般的三維圖像,是因為顯示在計 [ 查看詳細 ]
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