簡介本白皮書重點介紹 Wolfspeed 專為高功率電子應用而設計的第 4 代碳化硅 (SiC) MOSFET 技術。基于在碳化硅創新領域的傳承，Wolfspeed 定期推出尖端技術解決方案，重新定義行業基準。在第 4 代發布之前，第 3 代碳化硅 MOSFET 憑借多項重要設計要素的平衡，已在廣泛用例中得到驗證，為硬開關應用的全面性能設定了基準。市場上的某些廠商只關注特定品質因數?(FOM)，如導通損耗、室溫下的 RDS(on) 或 RDS(on) × Qg，而 Wolfspeed 則采用了一
關鍵字：
Wolfspeed 碳化硅 高功率應用
電子行業正在向更加緊湊而強大的系統快速轉型。為了支持這一趨勢并進一步推動系統層面的創新，全球功率系統、汽車和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司正在擴展其CoolSiC? MOSFET 650 V單管產品組合，推出了采用Q-DPAK和TOLL封裝的兩個全新產品系列。這兩個產品系列采用頂部和底部冷卻并基于CoolSiC? Generation 2（G2）?技術，其性能、可靠性和易用性均有顯著提高。它們專門用于中高功率開關模式電源（SMPS）開發，包括AI服務器、可再生能源、充電樁、電動交通工
關鍵字：
英飛凌 CoolSiC MOSFET
安森美 (onsemi)的1200V 分立器件和模塊中的 M3S 技術已經發布。M3S MOSFET 的導通電阻和開關損耗均較低，提供 650 V 和 1200 V 兩種電壓等級選項。本白皮書側重于探討專為低電池電壓領域的高速開關應用而設計的先進 onsemi M3S 650 V SiC MOSFET 技術。通過各種特性測試和仿真，評估了 MOSFET 相對于同等競爭產品的性能。第一篇介紹SiC MOSFET的基礎知識、M3S 技術和產品組合（三代進化，安森美 EliteSiC MOSFET 技術發展解析
關鍵字：
電源轉換 電動汽車 MOSFET
●? ?英飛凌開始向客戶提供首批采用先進的200 mm碳化硅（SiC）晶圓制造技術的SiC產品●? ?這些產品在奧地利菲拉赫生產，為高壓應用領域提供一流的SiC功率技術●? ?200 mm SiC的生產將鞏固英飛凌在所有功率半導體材料領域的技術領先優勢英飛凌200mm SiC晶圓英飛凌科技股份公司在200 mm SiC產品路線圖上取得重大進展。公司將于2025年第一季度向客戶提供首批基于先進的200 mm SiC技術的產品。這些產品在位于奧地利菲
關鍵字：
英飛凌 碳化硅 SiC 200mm碳化硅
據深圳平湖實驗室官微消息，為降低材料損耗，深圳平湖實驗室新技術研究部開發激光剝離工藝來替代傳統的多線切割工藝，其工藝過程示意圖如下所示：激光剝離工藝與多線切割工對照：有益效果：使用激光剝離工藝，得到6/8 inch SiC襯底500μm和350μm產品單片材料損耗≤120 μm，出片率提升40%，單片成本降低約22%。激光剝離技術在提高生產效率、降低成本方面具有顯著效果，該工藝的推廣，對于快速促進8 inch SiC襯底產業化進程有著重要意義。不僅為SiC襯底產業帶來了輕資產、高效益的新模式，也為其他硬質
關鍵字：
激光剝離 碳化硅
簡介本白皮書重點介紹 Wolfspeed 專為高功率電子應用而設計的第 4 代碳化硅 (SiC) MOSFET 技術。基于在碳化硅創新領域的傳承，Wolfspeed 定期推出尖端技術解決方案，重新定義行業基準。在第 4 代發布之前，第 3 代碳化硅 MOSFET 憑借多項重要設計要素的平衡，已在廣泛用例中得到驗證，為硬開關應用的全面性能設定了基準。市場上的某些廠商只關注特定品質因數 (FOM)，如導通損耗、室溫下的 RDS(on) 或 RDS(on) × Qg，而 Wolfspeed 則采用了一種更為廣泛
關鍵字：
第4代碳化硅 碳化硅 Wolfspeed
碳化硅（SiC）作為一種高性能材料，在大功率器件、高溫器件和發光二極管等領域有著廣泛的應用。其中，基于等離子體的干法蝕刻在SiC的圖案化及電子器件制造中起到了關鍵作用，現分述如下:干法蝕刻概述碳化硅反應離子蝕刻碳化硅反應離子蝕刻案例ICP的應用與優化1、干法蝕刻概述干法蝕刻的重要性精確控制線寬：當器件尺寸進入亞微米級（<1μm）時，等離子體蝕刻因其相對各向異性的特性，能夠精確地控制線寬，成為SiC蝕刻的首選方法。化學穩定性挑戰：SiC的化學穩定性極高（Si-C鍵合強度大），使得濕法蝕刻變得困難。濕法
關鍵字：
碳化硅 蝕刻工藝 干法蝕刻
采用TO-247-4HC高爬電距離封裝的第二代CoolSiC? MOSFET G2 1200V 12mΩ至78mΩ系列以第一代技術的優勢為基礎，加快了系統設計的成本優化，實現高效率、緊湊設計和可靠性。第二代產品在硬開關工況和軟開關拓撲的關鍵性能指標上都有顯著改進，適用于所有常見的交流-直流、直流-直流和直流-交流各種功率變換。產品型號：■ IMZC120R012M2H■ IMZC120R017M2H■ IMZC120R022M2H■ IMZC120R026M2H■&
關鍵字：
CoolSiC MOSFET
低壓功率MOSFET設計用于以排水源電壓運行，通常低于100 V，但具有與高壓設計相同的功能。它們非常適合需要高效效率和處理高電流的應用，即使電源電壓很低。關鍵功能包括以下內容： 低抗性（RDS（ON））以減少傳導過程中的功率損失，從而提高能源效率。當設備打開時，低壓MOSFET的排水源電阻特別低，從而地減少了功率損耗。這對于效率至關重要，因為低RD（ON）意味著在傳導過程中降低電阻損失高開關速度，用于快速切換操作；在DC-DC轉換器和高頻切換電路等應用中至關重要。由于其先進的結構和材料，低壓MOSFE
關鍵字：
低壓電源 MOSFET
2025年以來，碳化硅產業迎來關鍵發展節點，正式步入8英寸產能轉換的重要階段。在這一背景下，繼中國電科30臺套SiC外延設備順利發貨之后，碳化硅設備領域又傳動態：中導光電拿下SiC頭部客戶重復訂單。 近日，中導光電的納米級晶圓缺陷檢測設備NanoPro-150獲得國內又一SiC頭部客戶的重復訂單，該設備用于SiC前道工藝過程缺陷檢測。此外，1月初，該設備產品還成功贏得了國內半導體行業頭部企業的重復訂單。 中導光電表示，公司將在SiC晶圓納米級缺陷檢測領域投入更多的研發資源，通過高精度多
關鍵字：
碳化硅 半導體設備
在工業電子設備中，過壓保護是確保設備可靠運行的重要環節。本文將探討如何使用開關浪涌抑制器替代傳統的線性浪涌抑制器，以應對長時間的過壓情況。與傳統線性浪涌抑制器不同，開關浪涌抑制器能夠在持續浪涌的情況下保持負載正常運行，而傳統線性浪涌抑制器則需要在電源路徑中的
MOSFET 散熱超過其處理能力時切斷電流。可靠的工業電子設備通常配備保護電路，以防止電源線路出現過壓，從而保護電子設備免受損壞。過壓現象可能在電源線路負載快速變化時發生，線路中的寄生電感可能導致高電壓尖峰。這個問題可通過輸入保護電路來解決，比如圖
關鍵字：
過壓保護 開關浪涌 MOSFET
全球半導體解決方案供應商瑞薩電子近日宣布推出基于全新MOSFET晶圓制造工藝——REXFET-1而推出的100V大功率N溝道MOSFET——RBA300N10EANS和RBA300N10EHPF，為電機控制、電池管理系統、電源管理及充電管理等應用提供理想的大電流開關性能。基于這一創新產品的終端設備將廣泛應用于電動汽車、電動自行車、充電站、電動工具、數據中心及不間斷電源（UPS）等多個領域。瑞薩開發的全新MOSFET晶圓制造工藝（REXFET-1）使新產品的導通電阻（MOSFET導通時漏極與源極之間的電阻）
關鍵字：
瑞薩 MOSFET
功率MOSFET的正向導通等效電路（1）：等效電路（2）：說明：功率 MOSFET 正向導通時可用一電阻等效，該電阻與溫度有關，溫度升高，該電阻變大；它還與門極驅動電壓的大小有關，驅動電壓升高，該電阻變小。詳細的關系曲線可從制造商的手冊中獲得。功率MOSFET的反向導通等效電路（1）（1）：等效電路（門極不加控制）（2）：說明：即內部二極管的等效電路，可用一電壓降等效，此二極管為MOSFET 的體二極管，多數情況下，因其特性很差，要避免使用。功率MOSFET的反向導通等效電路（2）（1）：等效電路（門極加
關鍵字：
功率器件 MOSFET 電路
英飛凌1992年開始碳化硅技術研發，是第一批研發碳化硅的半導體公司之一。2001年推出世界上第一個商用碳化硅二極管，此后生產線不斷升級，2018年收購德國Siltectra公司，2019年推出碳化硅CoolSiCTM MOSFET技術，2024年推出了集成.XT技術的XHPTM 2 CoolSiCTM半橋模塊。英飛凌持續32年深耕碳化硅功率器件，不斷突破不斷創新，持續引領碳化硅技術發展。近日，英飛凌在北京舉辦碳化硅媒體發布會，深入介紹了其在碳化硅功率器件產品及技術方面的進展及其在工業與基礎設施領域的應用和
關鍵字：
英飛凌 碳化硅 能源 工業設備
如今，數據中心迫切需要能夠高效轉換電能的功率半導體，以降低成本并減少排放。更高的電源轉換效率意味著發熱量減少，從而降低散熱成本。電源系統需要更低的系統總成本和緊湊的尺寸；因此必須提高功率密度，尤其是數據中心的平均功率密度正在迅速攀升。從十年前的每個1U機架通常只有5 kW，增加到現在的20 kW、30 kW 或更高。圖1：數據中心供電：從電網到GPU電源供應器(PSU)還必須滿足數據中心行業的特定需求。人工智能數據中心的PSU應滿足嚴格的Open Rack V3 (ORV3) 基本規范，要求30%到100
關鍵字：
安森美 MOSFET 數據中心
碳化硅 mosfet介紹
您好，目前還沒有人創建詞條碳化硅 mosfet!
歡迎您創建該詞條，闡述對碳化硅 mosfet的理解，并與今后在此搜索碳化硅 mosfet的朋友們分享。
創建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473