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深圳平湖實驗室在SiC襯底激光剝離技術領域取得重要進展

作者: 時間:2025-02-20 來源:SEMI 收藏

據深圳平湖實驗室官微消息,為降低材料損耗,深圳平湖實驗室新技術研究部開發工藝來替代傳統的多線切割工藝,其工藝過程示意圖如下所示:

本文引用地址:http://www.j9360.com/article/202502/467105.htm

工藝與多線切割工對照:

有益效果:使用工藝,得到6/8 inch SiC襯底500μm和350μm產品單片材料損耗≤120 μm,出片率提升40%,單片成本降低約22%。

激光剝離技術在提高生產效率、降低成本方面具有顯著效果,該工藝的推廣,對于快速促進8 inch SiC襯底產業化進程有著重要意義。不僅為SiC襯底產業帶來了輕資產、高效益的新模式,也為其他硬質材料的加工提供了新的思路和方法,推動材料科學、激光技術等相關領域的進步與發展。



關鍵詞: 激光剝離 碳化硅

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