英飛凌推出采用Q-DPAK和TOLL封裝的全新工業CoolSiC? MOSFET 650 V G2
—— 實現更高的功率密度
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電子行業正在向更加緊湊而強大的系統快速轉型。為了支持這一趨勢并進一步推動系統層面的創新，全球功率系統、汽車和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司正在擴展其CoolSiC? MOSFET 650 V單管產品組合，推出了采用Q-DPAK和TOLL封裝的兩個全新產品系列。
本文引用地址：http://www.j9360.com/article/202502/467183.htm這兩個產品系列采用頂部和底部冷卻并基于CoolSiC? Generation 2（G2） 技術，其性能、可靠性和易用性均有顯著提高。它們專門用于中高功率開關模式電源（SMPS）開發，包括AI服務器、可再生能源、充電樁、電動交通工具和人形機器人、電視機、驅動器以及固態斷路器。
CoolSiC? MOSFET 650 V G2 Q-DPAK TSC
TOLL封裝具有出色的板載熱循環（TCoB）能力，可通過減少印刷電路板（PCB）占板面積實現緊湊的系統設計。在用于SMPS時，它還能減少系統級制造成本。TOLL封裝現在適用于更多目標應用，使PCB設計者能夠進一步降低成本并更好地滿足市場需求。
Q-DPAK封裝的推出補充了英飛凌正在開發的新型頂部冷卻（TSC）產品，包括CoolMOS? 8、CoolSiC?、CoolGaN?和OptiMOS?。TSC產品使客戶能夠以低成本實現出色的穩健性以及更大的功率密度和系統效率，還能將直接散熱率提高至95%，通過實現PCB的雙面使用更好地管理空間和減少寄生效應。
供貨情況
采用TOLL和Q-DPAK封裝的CoolSiC? MOSFET 650 V G2現已上市，前者的RDS(on)值為10至60 mΩ，后者的RDS(on)值為 7、10、15 和 20 mΩ。
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