在關斷狀態下，功率MOSFET的體二極管結構的設計是為了阻斷最小漏極-源極電壓值。MOSFET體二極管的擊穿或雪崩表明反向偏置體二極管兩端的電場使得漏極和源極端子之間有大量電流流動。典型的阻斷狀態漏電流在幾十皮安到幾百納安的數量級。之前我們討論過功率MOSFET的雪崩效應，今天，我們將繼續分享相關UIS (UIL)數據表的額定值。除了Ipk vs tav圖之外，大多數功率MOSFET數據表還包含一個UIS能量額定值，通常列在最大值表中。這有點誤導，因為很明顯 (E=0.5Vav*Ipk*tav) 功率 M
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安森美 MOSFET UIS
受惠于下游應用市場的強勁需求，碳化硅產業正處于高速成長期。據TrendForce集邦咨詢預期，至2026年SiC功率元件市場規模可望達53.3億美元，其主流應用仍倚重電動汽車及可再生能源。近期，備受關注的碳化硅市場又有了新動態，涉及三菱電機、美爾森、芯粵能等企業。三菱電機SiC工廠預計4月開建據日經新聞近日報道，三菱電機將于今年4月，在日本熊本縣開工建設新的8英寸SiC工廠，并計劃于2026年4月投入運營。2023年3月，三菱電機宣布，計劃在5年內投資約1000億日元（折合人民幣約48.56億元）建設一個
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新能源汽車 碳化硅 第三代半導體
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新型80 V對稱雙通道n溝道功率MOSFET---SiZF4800LDT，將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV MOSFET組合在3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR? 3x3FS單體封裝中。Vishay Siliconix SiZF4800LDT適用于工業和通信應用功率轉換，在提高功率密度和能效的同時，增強熱性能，減少元器件數量并簡化設計。日前發布的雙通道MOSFET可用來取代兩個PowerPAK 1
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Vishay MOSFET 對稱雙通道
3月13日消息，日前，芯動半導體官微宣布，已與意法半導體簽署戰略合作協議，雙方將就SiC芯片業務展開合作。此次與意法半導體就SiC芯片業務簽署戰略合作協議，也將進一步推動長城汽車垂直整合，穩定供應鏈發展。公開資料顯示，芯動半導體于2022年11月成立于江蘇無錫，由長城汽車與穩晟科技合資成立，以開發第三代功率半導體SiC模組及應用解決方案為目標。目前，芯動半導體位于無錫的第三代半導體模組封測制造基地項目已完成建設。該項目總投資8億元，規劃車規級模組年產能為120萬套，預計本月正式量產。除了碳化硅模塊外，芯動
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ST 芯動 碳化硅
英飛凌科技股份公司近日推出采用TO-247PLUS-4-HCC封裝的全新CoolSiC??MOSFET?2000?V。這款產品不僅能夠滿足設計人員對更高功率密度的需求，而且即使面對嚴格的高電壓和開關頻率要求，也不會降低系統可靠性。CoolSiC? MOSFET具有更高的直流母線電壓，可在不增加電流的情況下提高功率。作為市面上第一款擊穿電壓達到2000 V的碳化硅分立器件，CoolSiC? MOSFET采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，爬電距離為14 mm，電氣間隙為5
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英飛凌 CoolSiC MOSFET
英飛凌科技股份公司近日推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術，開啟功率系統和能量轉換的新篇章。與上一代產品相比，?英飛凌全新的CoolSiC? MOSFET 650 V和1200 V Generation 2技術在確保質量和可靠性的前提下，將MOSFET的主要性能指標（如能量和電荷儲量）提高了20%，不僅提升了整體能效，更進一步推動了低碳化進程。CoolSiC? MOSFET Generation 2 (G2)?技術繼續發揮碳化硅的性能優勢，通過降低能量損耗來提高功率轉換過程
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英飛凌 碳化硅 CoolSiC MOSFET
近日，晶盛機電在接受機構調研時表示，目前公司已基本實現8-12英寸大硅片設備的全覆蓋并批量銷售，6英寸碳化硅外延設備實現批量銷售且訂單量快速增長，成功研發出具有國際先進水平的8英寸單片式碳化硅外延生長設備，實現了成熟穩定的8英寸碳化硅外延工藝。同時公司基于產業鏈延伸，開發出了應用于8-12英寸晶圓及封裝端的減薄設備、外延設備、LPCVD設備、ALD設備等。晶盛機電自2017年開始碳化硅產業布局，聚焦碳化硅襯底片和碳化硅外延設備兩大業務。公司已掌握行業領先的8英寸碳化硅襯底技術和工藝，量產晶片的核心位錯達到
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半導體設備 晶盛機電 碳化硅
在本文中，我們通過研究MOSFET共源放大器的s域傳遞函數來了解其頻率響應。之前，我們了解了MOSFET共源放大器的大信號和小信號行為。這些分析雖然有用，但僅適用于低頻操作。為了了解共用源（CS）放大器在較高頻率下的功能，我們需要更詳細地研究其頻率響應。在本文中，我們將在考慮MOSFET寄生電容的情況下導出CS放大器的全傳遞函數。然而，在我們這么做之前，讓我們花點時間回顧頻域中更為普遍的傳遞函數（TF）分析。s域傳輸函數TF是表示如何由線性系統操縱輸入信號（x）以產生輸出信號（y）的方程式。其形式為：&n
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MOSFET 共源放大器
在關斷狀態下，功率MOSFET的體二極管結構的設計是為了阻斷最小漏極-源極電壓值。MOSFET體二極管的擊穿或雪崩表明反向偏置體二極管兩端的電場使得漏極和源極端子之間有大量電流流動。典型的阻斷狀態漏電流在幾十皮安到幾百納安的數量級。根據電路條件不同，在雪崩、MOSFET漏極或源極中，電流范圍可從微安到數百安。
額定擊穿電壓，也可稱之為“BV”，通常是在給定溫度范圍（通常是整個工作結溫范圍）內定義的MOSFET器件的最小阻斷電壓（例如30V）。數據表中的BVdss值是在低雪崩電流（通常為
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MOSFET 雪崩 電流
奈梅亨，2024年2月29日：Nexperia再次在APEC上展示產品創新，今天宣布發布幾款新型MOSFET，以進一步拓寬其分立開關解決方案的范圍，可用于多個終端市場的各種應用。此次發布的產品包括用于PoE、eFuse和繼電器替代產品的100 V 應用專用MOSFET (ASFET)，采用DFN2020封裝，體積縮小60%，以及改進了電磁兼容性(EMC)的40 ?V NextPowerS3 MOSFETPoE交換機通常有多達48個端口，每個端口需要2個MOSFET提供保護。單個PCB上有多達96
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Nexperia APEC 2024 拓寬分立式FET MOSFET
在本文中，我們介紹了具有不同負載類型的MOSFET共源放大器的基本行為。模擬電路隨處可見，放大器基本上是每個模擬電路的一部分。MOSFET能夠制造出卓越的放大器件，這就是為什么有多種基于它們的單級放大器拓撲結構的原因。根據哪個晶體管端子是輸入端和哪個晶體管端子是輸出端來區分它們。在本文中，我們將討論共用源極（CS）放大器，它使用柵極作為其輸入端子，使用漏極作為其輸出。在交流信號方面，源端子對于輸入和輸出都是公共的，因此得名為共源。圖1顯示了具有理想電流源的CS放大器。具有理想電流源負載的共源放大器。&nb
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MOSFET 共源放大器
在本文中，我們介紹了具有不同負載類型的MOSFET共源放大器的基本行為。模擬電路隨處可見，放大器基本上是每個模擬電路的一部分。MOSFET能夠制造出卓越的放大器件，這就是為什么有多種基于它們的單級放大器拓撲結構的原因。根據哪個晶體管端子是輸入端和哪個晶體管端子是輸出端來區分它們。在本文中，我們將討論共用源極（CS）放大器，它使用柵極作為其輸入端子，使用漏極作為其輸出。在交流信號方面，源端子對于輸入和輸出都是公共的，因此得名為共源。圖1顯示了具有理想電流源的CS放大器。具有理想電流源負載的共源放大器。&nb
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MOSFET 共源放大器
本文的關鍵要點各行各業的工廠都在擴大生產線的智能化程度，在生產線上的裝置和設備旁邊導入先進信息通信設備的工廠越來越多。要將高壓工業電源線的電力轉換為信息通信設備用的電力，需要輔助設備用的高效率電源，而采用內置1700V耐壓SiC MOSFET的AC-DC轉換器IC可以輕松構建這種高效率的輔助電源。各行各業加速推進生產線的智能化如今，從汽車、半導體到食品、藥品和化妝品等眾多行業的工廠，既需要進一步提升生產效率和產品品質，還需要推進無碳生產（降低功耗和減少溫室氣體排放）。在以往的制造業中，提高工廠的生產效率和
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電力轉換 SiC MOSFET
近幾日，英飛凌在碳化硅合作與汽車半導體方面合作動態頻頻，再度引起業界對碳化硅材料關注。1月23日，英飛凌與Wolfspeed宣布擴大并延伸現有的長期150mm碳化硅晶圓供應協議（原先的協議簽定于2018年2月）。延伸后的合作將包括一個多年期產能預留協議。這將有助于保證英飛凌整個供應鏈的穩定，同時滿足汽車、太陽能、電動汽車充電應用、儲能系統等領域對于碳化硅半導體不斷增長的需求。據英飛凌科技首席執行官 JochenHanebeck 消息，為了滿足不斷增長的碳化硅器件需求，英飛凌正在落實一項多供應商戰略，從而在
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碳化硅 英飛凌 晶圓
CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，規格為12-100mΩ。由于采用了.XT互聯技術，CoolSiC?技術的輸出電流能力強，可靠性提高。產品型號：???IMYH200R012M1H???IMYH200R024M1H???IMYH200R050M1H???IMYH200R075M1H???IMYH200R0100M1H產品特點■ VDSS=2000V，可用于最高母線電壓為1500VDC系統■ 開關損
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