DDR2 SDRAM引入的新技術

　　DDR2(Double Data Rate 2，兩倍數據速率，版本2) SDRAM，是由JEDEC標準組織開發的基于DDR SDRAM的升級存儲技術。 相對于DDR SDRAM，雖然其仍然保持了一個時鐘周期完成兩次數據傳輸的特性，但DDR2 SDRAM在數據傳輸率、延時、功耗等方面都有了顯著提高，而這些性能的提高，主要來源于以下技術的提升：ODT，Post CAS，4n數據預取，封裝等。

　　* ODT

　　ODT(On-Die Termination)，即芯片內部匹配終結。

　　在DDR SDRAM應用中，需要通過大量的外部電阻上拉到VTT電平(1.25V)以實現信號匹配，以16位芯片為例，以下信號需要通過這種方式進行匹配：CK,CK#,DQ[15:0],LDQS,UDQS, ADDR[10:0],RAS#,CAS#,WE#，即一片芯片需要34個外部上拉電阻，極大的占用了寶貴的PCB面積。同時，由于DQ[15:0],LDQS,UDQS等信號是雙向信號，即讀和寫時，對匹配電阻的位置有不同要求，因此在電阻布局時很難在兩個方向上同時實現最佳的信號完整性。

　　在DDR2 SDRAM中，采用ODT技術將許多外部的匹配電阻移到芯片內部從而節省了大量的PCB板上面積。另外，ODT技術允許存儲控制器(如下文的MPC8548 CPU)通過配置DDR2 SDRAM的內部寄存器以及控制ODT信號，來實現對匹配電阻的值及其開關狀態進行控制，從而可以實現讀，寫操作時最佳的信號完整性。

　　圖1 ODT功能圖

　　DDR2 SDRAM芯片提供一個ODT引腳來控制開或關芯片內部的終結電阻。在只有一個DDR2 SDRAM芯片作為存儲器控制器的負載的情況下，寫操作時，由于DDR2 SDRAM作為接收端，所以ODT引腳為高電平以打開芯片內部終結電阻;讀操作時，由于DDR2 SDRAM作為發送端，所以ODT引腳為低電平以關閉芯片內部終結電阻。其中，ODT引腳的狀態由存儲器控制器(如MPC8548)來控制。