摘要：不久前，賽迪顧問發布了《中國IC 28納米工藝制程發展》白皮書，從白皮書中可以看到，28納米工藝將在中國持續更長時間，中芯國際-高通的“聯合創新”實現了28納米量產，使我國在十二五末順利完成了28納米量產攻關。由此啟發，當今電子業趨于開放、合作、共贏，因此這一“聯合創新”模式值得集成電路業內推廣。

　　不久前，賽迪顧問發布了《中國IC 28納米工藝制程發展》白皮書。白皮書指出，隨著28納米工藝技術的成熟，28納米工藝產品市場需求量呈現爆發式增長態勢：從2012年的91.3萬片到2014年的294.5萬片，年復合增長率高達79.6%，并且這種高增長態勢將持續到2017年。白皮書明確表示，28納米工藝將會在未來很長一段時間內作為高端主流的工藝節點。考慮到中國物聯網應用領域巨大的市場需求，28納米工藝技術預計在中國將持續更長時間，為6~7年。

　　具體來看，縱觀IC(集成電路)50年來的發展歷程，自發明以來所取得的成功和產品增值主要歸功于半導體制造技術的不斷進步。工藝技術持續快速發展(圖1)，現有技術不斷改進，新技術不斷涌現，帶動了芯片集成度持續迅速提高，單位電路成本呈指數式降低。因此綜合技術和成本等各方面因素，28納米都將成為未來很長一段時間內的關鍵工藝節點。

　　從工藝角度，與40納米工藝相比，28納米柵密度更高、晶體管的速度提升了大約50%，而每次開關時的能耗則減小了50%。此外，目前28納米采用的是193納米的浸液式方法，當尺寸縮小到22/20納米時，傳統的光刻技術已無能為力，必須采用輔助的兩次圖形曝光技術(double patterning，簡稱為DP)。然而這樣會增加掩膜工藝次數，從而致使成本增加和工藝循環周期的擴大。這就造成了20/22納米無論從設計還是生產成本上一直無法實現很好的控制，其成本約為28納米工藝成本的1.5-2倍左右。

　　從市場需求角度，因為成本等綜合原因，14/16納米不會迅速成為主流工藝，因此，28納米工藝將會在未來很長一段時間內作為高端主流的工藝節點(圖2和表1)。

　　關于中國28納米工藝制程現狀，自45納米工藝技術于2011年被攻克之后，以中芯國際(SMIC)為代表的IC制造企業積極開展28納米工藝技術的研發。中芯國際的28納米生產制程經過幾百人研發團隊和近三年時間，于2013年底實現產品在上海試生產。2015年9月，中芯國際28納米工藝產品將基本上實現量產。首先量產的將是PolySiN工藝，下一步集中在HKMG工藝。