今年Galaxy S6的發布會上三星著重介紹了性能，這也難怪，畢竟本次S6的處理器使用了目前手機處理器之中最先進的14nm FinFET工藝制造，相對使用20nm的驍龍810處理器有著明顯優勢，那么這顆新處理器到底有多強?請跟隨我們一起來初步探究吧。

　　7420處理器最大亮點在于使用了三星自己的14nm FinFET工藝制作，該工藝是目前手機處理器上最先進的之一——臺積電的16nm工藝尚未實現量產，而7420的競爭對手Snapdragon 810處理器使用的還是20nm工藝，從制程工藝的數值上面來說，自然是越小越好，因為晶體管之間的距離越小，那么相對來說能耗就更低，性能就更強，但若是晶體管之間距離太小則會導致芯片不同部分之間發生漏電流(Leakage)現象，而FinFET工藝為了解決該問題，會在兩個傳導通道之間加入一層很薄的硅“鰭”。

　　英特爾公布的FinFET電子顯微鏡照片

　　FinFET全稱Fin Field-Effect Transistor(鰭式場效晶體管)，是一種新的互補式金氧半導體(CMOS)晶體管。Fin是魚鰭的意思，FinFET命名根據晶體管的形狀與魚鰭的相似性，由加州大學伯克利分校的胡正明發明，其工作原理是將晶體管由傳統的平面結構變為3D結構，可在電路的兩側控制電路接通和斷開，此種設計能夠大幅度改善電路控制并減少漏電流(Leakage)，同時也能夠大幅度縮短晶體管的閘長。

　　最早商業化使用FinFET技術的公司是英特爾，該公司在2011年推出了22nm的FinFET工藝，目前包括三星、臺積電和Global Foundries等在內的半導體廠家已經積極投身于FinFET的研究和推進工作。

　　眾所周知，對于相同的處理器架構來說，更低的功耗意味著更低的發熱，在功耗允許的情況下也能夠盡可能提升頻率，或者在同樣頻率下能夠節省寶貴的電力，而在Exynos 7420這款處理器上面對于上面的特性都有一定的體現。

　　Exynos 7420并沒有特別革命性的架構進步，依舊使用了來自于ARM的四核心Cortex-A57+四核心Cortex-A53的大小核架構以及Mali-T760 GPU，若要說市面上哪款移動處理器和它最為相似，那自然是應用在部分版本Galaxy Note 4上面的，師出同門的Exynos 5433了。

　　雖然ARM剛剛發布了最新的高性能CPU架構Cortex-A72，但是要想三星立刻生產出量產制品依舊是不現實的，使用A57+A53的設計來平衡功耗和性能也是很正常的做法，原則上來說后臺輕度的應用會交給A53核心來處理，在需要高性能的時候，A57則會投入工作，Exynos 7420自然也是支持GTS(Global Task Scheduling)，也就是八核心同時投入工作，以及動態核心電壓頻率調整功能。

　　Exynos 7420自然也加入了對ARM的AArch64的，雖然理論上來說所有A53和A57的CPU都應當具有對AArch64的支持，但是三星Exynos 5433則被三星人為地限制在了AArch32上面，也就是說目前暫時不具備64位計算能力。