全球存儲領軍品牌三星電子今日宣布，已開始正式量產全球首款第二代立體垂直結構的“32層三維V-NAND閃存”。

　　三星電子此次推出的32層三維V-NAND，與之前推出的24層V-NAND相比，雖然堆疊存儲單元的設計難度更高，但是因為可以直接使用生產第一代V-NAND閃存的設備，所以具有更高的生產效率。

　　除此之外，三星電子推出了基于第二代V-NAND閃存的高端固態硬盤系列產品，并提供128GB、256GB、512GB、1TB等多種容量選擇。三星電子在去年面向數據中心推出基于三維V-NAND的固態硬盤之后，此次則開始進入高端電腦市場，從而進一步擴大了V-NAND產品的市場份額。

　　三星電子存儲芯片事業部戰略營銷部門負責人全永鉉副總裁表示：“通過推出覆蓋數據中心和高端電腦市場的一系列V-NAND固態硬盤產品，我們進一步拓展了三維V-NAND產品的用途。而今后也將繼續為全球的IT用戶及時地提供穩定，高性能和高密度的V-NAND固態硬盤和芯片，以促進市場快速采用三維NAND閃存技術。”

　　與采用MLC架構的平面NAND閃存芯片相比，使用三維V-NAND芯片的新一代固態硬盤不僅使用壽命提高一倍，而且功耗也降低20%。而預計今年下半年，三星電子更將繼續推出更多基于第二代三維V-NAND的高端固態硬盤，以更高的穩定性和密度滿足客戶的多種需求。

　　據市場調查機構Gartner近日發布的研究報告，到2017年，世界存儲器市場規模預計將從755億美元增長到797億美元。屆時，NAND閃存所占的份額將會過半，達到446億美元。