●   通快霍廷格電子等離子體射頻及直流電源為晶圓制造的沉積、刻蝕和離子注入等關鍵工藝提供精度、質量和效率的有力保障。

●   立足百年電源研發經驗，通快霍廷格電子將持續通過創新等離子體電源解決方案，助力半導體產業實現工藝優化、產品穩定和降本增效。

TruPlasma RF 1000(G3)

通快霍廷格電子將于3月26日-28日亮相SEMICON China 2025，展示其針對半導體領域的等離子體電源產品、前沿解決方案和相關技術。（通快霍廷格電子展臺：T2館T2203）

通快霍廷格電子是世界領先的等離子體電源制造商，旗下產品有多款專用于沉積和干法刻蝕工藝的優質等離子體電源，在電源領域擁有一百多年的經驗積累。在半導體制造中，通快霍廷格電子的等離子射頻和直流電源在等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）、物理氣相沉積（PVD）、刻蝕以及離子注入等關鍵工藝中發揮重要作用，能夠為晶圓制造的精度、質量和生產效率提供有力保障。

TruPlasma Match 1000(G2/13)

 “如今，高性能、低功耗、高集成度已成為半導體產業發展的核心趨勢。我們非常期待在SEMICON China與各位行業伙伴相聚，分享通快霍廷格電子在沉積、刻蝕和離子注入等關鍵工藝環節的高效解決方案?！蓖旎敉⒏耠娮觼喼薅驴偨浝鞤ariusz Czaja（戴睿士）表示，“憑借百年的電源研發經驗，通快霍廷格電子已成為半導體制造領域值得信賴的等離子體電源專家。我們見證了中國半導體產業近年來的飛速發展，特別是在智能手機、汽車和人工智能等關鍵領域，成果令人矚目。”

在 SEMICON China 2025的展臺上，通快霍廷格電子將重點展示其針對半導體領域的等離子體電源TruPlasma RF和TruPlasma Match產品，以及TGV 面板技術。

展臺上主要展示產品包括：

●   新一代等離子體射頻電源 TruPlasma RF G3:高速脈沖功能顯著提升等離子體產生和控制的能力；多級脈沖技術提供了靈活多樣的等離子體激發模式，不僅能優化等離子體特性，還能滿足多樣化工藝需求；內置高速采樣示波器可實時監測射頻電源的電壓、電流和頻率等參數變化，為沉積和刻蝕工藝的監控、分析和優化提供強大支持。

●   TruPlasma Match 匹配器系列：智能匹配算法為沉積、刻蝕等工藝提供全方位監控，確保射頻電源穩定保持50  Ω 阻抗適配；數字化管理平臺實時測量射頻功率及相關參數，實現快速追蹤頻率變化并有效管理電弧，保障工藝穩定性和一致性。

●   TGV（玻璃通孔）面板技術：將超短脈沖激光技術創新性地應用于玻璃中介層制造，同時利用等離子體電源達成離子注入，實現了微芯片封裝領域的高精度加工與成本優化的雙重突破。