2024年9月26日，SK海力士宣布，公司全球率先開始量產12層HBM3E新品，實現了現有HBM*產品中最大**的36GB（千兆字節）容量。

公司將在年內向客戶提供產品，繼今年3月全球率先向客戶供應8層HBM3E后，僅時隔6個月再次展現出其壓倒性的技術實力。

SK海力士強調:“自2013年全球首次推出第一代HBM(HBM1)至第五代HBM(HBM3E)，  公司是唯一一家開發并向市場供應全系列HBM產品的企業。公司業界率先成功量產12層堆疊產品，不僅滿足了人工智能企業日益發展的需求，同時也進一步鞏固了SK海力士在面向AI的存儲器市場的領導者地位。”

公司又表示，12層HBM3E在面向AI的存儲器所需要的速度、容量、穩定性等所有方面都已達到全球最高水平。

SK海力士將此新產品的運行速度提高至現有內存的最高速度9.6Gbps，其是在以搭載四個HBM的單個GPU運行大型語言模型（LLM）‘Llama 3 70B*’時，每秒可讀取35次700億個整體參數的水平。

公司還堆疊12顆3GB DRAM芯片，實現與現有的8層產品相同的厚度，同時容量提升50%。為此，公司將單個DRAM芯片制造得比以前薄40%，并采用硅通孔技術*（TSV）技術垂直堆疊。

此外，SK海力士也解決了在將變薄的芯片堆疊至更高時產生的結構性問題。公司將其核心技術先進MR-MUF**工藝應用到此次產品中，放熱性能較上前一代提升了10%，并增強了控制翹曲問題，從而確保了穩定性和可靠性。

SK海力士AI Infra擔當金柱善社長表示：“我們再次突破了技術壁壘，證明了我們在面向AI的存儲器市場中獨一無二的主導地位。為了迎接AI時代的挑戰，我們將穩步準備下一代存儲器產品，以鞏固‘全球頂級面向AI的存儲器供應商’的地位。”

*高帶寬存儲器(HBM, High Bandwidth Memory): 一種高附加值、高性能存儲器。與現有的DRAM產品相比，通過垂直互聯多個DRAM芯片，使數據處理速度顯著提高。該產品按照HBM第1代（HBM）-第2代（HBM2）-第3代（HBM2E）-第4代（HBM3）-第5代（HBM3E）的順序開發，HBM3E是HBM3的擴展版

**現有的HBM3E最大容量為24GB，由8顆3GB DRAM芯片垂直堆疊而成

*Llama 3：Meta于2024年4月推出的開源大型語言模型，其提供8B（十億）、70B、400B的三種規模

*硅通孔技術（TSV，Through Silicon Via）：一種在DRAM芯片上打數千個微孔使其垂直互連至電極的先進封裝（Advanced Packaging）技術。

**批量回流底部模制填充（MR-MUF，Mass Reflow Molded Underfill）： 在堆疊半導體芯片后，為了保護芯片間的電路，在其中填充液體保護材料，使其固化。有評價稱，與每堆一個芯片就鋪設薄膜型材料的方式相比，該技術提高了效率和散熱效果。特別是SK海力士的先進MR-MUF技術，較現有技術減少了芯片堆疊時所施加的壓力，提高了芯片的翹曲控制力(Warpage Control)，這是確保HBM穩定量產的關鍵。