據外媒報道，三星計劃在今年6月召開的2024年晶圓代工論壇上，正式公布其1nm制程工藝計劃，并計劃將1nm的量產時間從原本的2027年提前到2026年。

據了解，三星電子已于2022年6月在全球首次成功量產3nm晶圓代工，并計劃在2024年開始量產其第二代3nm工藝。根據三星之前的路線圖，2nm SF2 工藝將于2025年亮相，與 3nm SF3 工藝相比，同等情況下能效可提高25%，性能可提高12%，同時芯片面積減少5%。

報道中稱，三星加速量產1nm工藝的信心，或許來自于“Gate-All-Around（GAA）”電流控制技術，該技術能顯著降低晶體管的漏電流，提升芯片功率效率。