· 繼HBM3，其擴展版HBM3E也率先進入量產階段

· 研發完成后僅隔7個月開始向客戶供貨，期待能實現最高性能的AI

· “將維持用于AI的存儲技術全球領先地位，并鞏固業務競爭力”

2024年3月19日，SK海力士今日宣布，公司率先成功量產超高性能用于AI的存儲器新產品HBM3E*，將在3月末開始向客戶供貨。這是公司去年8月宣布開發完成HBM3E后，僅隔7個月取得的成果。

SK海力士表示，“繼HBM3，公司實現了全球首次向客戶供應現有DRAM最高性能的HBM3E。將通過成功HBM3E的量產，鞏固在用于AI的存儲器市場上的競爭優勢。”

為了實現一個需要快速處理大量數據的AI系統，芯片封裝必須以多重連接（Multi-connection）多個人工智能處理器和存儲器的方式進行構建。因此，近期對AI擴大投資的全球大型科技公司持續提高對AI芯片性能的要求。SK海力士堅信，HBM3E將成為可滿足這些要求的現有最佳產品。

HBM3E不僅滿足了用于AI的存儲器必備的速度規格，也在散熱等所有方面都達到了全球最高水平。此產品在速度方面，最高每秒可以處理1.18TB（太字節）的數據，其相當于在1秒內可處理230部全高清（Full-HD，FHD）級電影。

而且，由于用于AI的存儲器必須以極快的速度操作，因此關鍵在于有效的散熱性能。為此，公司在新產品上適用Advanced MR-MUF**技術，散熱性能與前一代相比提升了10%。

SK海力士HBM業務擔當副社長柳成洙表示，“公司通過全球首次HBM3E投入量產，進一步強化了領先用于AI的存儲器業界的產品線”，還表示，“以至今積累的HBM業務成功經驗為基礎，將進一步夯實與客戶的關系，并鞏固‘全方位人工智能存儲器供應商’的地位。”

* HBM（High Bandwidth Memory）：垂直連接多個DRAM，與DRAM相比顯著提升數據處理速度的高附加值、高性能產品。HBM DRAM產品以HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）、HBM3E（第五代）的順序開發。 HBM3E是HBM3的擴展（Extended）版本

** MR-MUF：將半導體芯片堆疊后，為了保護芯片和芯片之間的電路，在其空間中注入液體形態的保護材料，并進行固化的封裝工藝技術。與每堆疊一個芯片時鋪上薄膜型材料的方式相較，工藝效率更高，散熱方面也更加有效。