IGBT是一個超級電子開關，它能耐受超高電壓。

我們家中插座里的市電交流電電壓是220V，而薄如紙張的IGBT芯片能承受的電壓最高可達6500V。我們一般家庭里家用電器全部開啟最大電流也不會超過30A，而一顆指甲蓋大小的IGBT芯片就能流過約200A的電流!

下圖是安裝在基板上的4個IGBT芯片和4個二極管芯片。

但是，像這樣裸露的芯片是不能直接用的。我們需要把芯片再封裝到一個外殼里面，外殼中再填充絕緣的材料，把芯片的電極引到外端子上，就形成了能夠使用的IGBT產品。

有的外殼里只有一顆IGBT芯片，有的可能會十幾顆，二十幾顆芯片。于是，就形成了各種各樣的IGBT單管和模塊。單管封裝的IGBT的最大電流在100A左右，IGBT模塊的最大額定電流可以達到3600A！

電路圖中的IGBT我們一般用下圖來表示，G表示門極gate，它用來接收指令。C表示集電極collector，E表示發射極emitter，集電極和發射極用來導通電流。平時IGBT是截止的，一旦門極接收到一個開通指令，電流就會源源不斷地從集電極到發射極之間流過。

就好比你家里墻上的開關，按一下，開關閉合，電燈亮起；再按一下，電燈熄滅

當然，操作IGBT，不再是手，而是電子脈沖。

高電平來臨時，器件開通；低電平來臨時，器件就關斷

手動操作開關，可能一秒鐘一兩次，而我們的電子開關，一秒鐘可以開關上萬次，幾十萬次！這就是我們需要電子開關，也就是功率器件的原因。

IGBT的開通特性

IGBT的開通特性如上圖所示，可以通過半橋電路測試。IGBT VT2在一定的時間段t1內開通。根據這個時間周期和電感L的大小，決定流過負載及IGBT集電極電流的大小。

IGBT VT2在t1時刻關斷，電流I換流到二極管VD1(t1時刻用以描述IGBT關斷行為。一旦時間到達t2，IGBT VT2再次被開通，這個時刻用來描述IGBT的開通行為。忽略負載電阻和二極管的壓降，IGBT VT2在開通之前承受所有的直流母線電壓UDC。

IGBT開通過程如上圖所示。在IGBT VT2開通后，柵極-集電極電壓UGE開始上升。在時間t3處，UGE上升到閾值電壓UGE(TO)，這時集電極電流IC開始上升。集電極電流的上升產生了電流變化率diF/dt，同時由于換流通路中的雜散電感，導致集-射電壓UCE迅速下降，即

在t4時刻，集電極電流IC已經上升到由電感大小決定的額定值。然而，這時二極管開始關斷，由于二極管的反向恢復特性，IC繼續增大。最大集電極電流IC，max的值是由以下因素決定的:

• 二極管的設計;

• IGBT的外圍部件(比如驅動電路)，這些外圍電路會影響電流變化率diC/dt和diF/dt。驅動電阻越大，diF/dt就越低,因而最大集電極電流就越低;

• 結溫Tvj;

• 直流母線電壓UDC。
  如果其他參數保持不變，負載電流對IC，max的大小沒有影響。