近日，由科達半導體公司主導、聯合其他兩家單位共同實施的《汽車用IGBT芯片及模塊研發與產業化》項目，被財政部、工業和信息化部確定為2011年度電子信息產業發展基金項目，并獲得500萬元資金扶持。

　　《汽車用IGBT芯片及模塊研發與產業化》項目總投資4000多萬元，項目完成時，將達到年產10萬個汽車點火器、8萬個IGBT芯片及1萬個IGBT模塊的生產能力，對滿足汽車點火器與新能源汽車快速充電系統、逆變驅動系統所需IGBT，促進我國新型電力電子器件技術進步及產業發展，具有積極的推動作用。

　　科達半導體公司自成立以來，通過引進各類國際先進的技術開發和試驗測試設備，目前已經建立新型功率半導體設計中心、國內最先進的功率半導體測試實驗室、功能齊全的功率半導體器件可靠性實驗室和國內首條IGBT專用超薄晶片加工后道生產線，成為國內首家實現IGBT芯片量產銷售的企業，處于行業領先地位。

　　科達半導體公司注重科技創新和技術研發，實施的絕緣柵雙極晶體管產業化項目，獲得國家發改委電力電子產業化專項最高額度扶持1500萬元，被列為科技部火炬計劃、山東省重大建設項目;實施的1200V絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)項目，獲得科學技術部頒發的國家重點新產品證書;實施的節能汽車與新能源汽車專用IGBT芯片研發與產業化項目，被列入山東省自主創新成果重大轉化項目，并獲得東營市十佳科技創新成果獎。