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氮化鎵芯片制造商英諾賽科成功上市

作者: 時間:2024-12-31 來源:快科技 收藏

官微消息,12月30日,(蘇州)科技股份有限公司(以下簡稱“”)在香港聯合交易所主板掛牌上市。

本文引用地址:http://www.j9360.com/article/202412/465930.htm

據了解,英諾賽科是一家專注于第三代半導體研發與制造的高新技術企業,擁有全球最大的功率半導體生產基地,產品覆蓋晶圓、氮化鎵分立器件、合封芯片、模組等,可廣泛應用于消費與家電、數據中心、汽車電子、新能源與工業等領域。

據悉,英諾賽科此番戰略配售,吸引了包括意法半導體(STMicroelectronics)、江蘇國企混改基金、東方創聯以及蘇州高端裝備在內的4名基石投資者,合共認購了1億美元的發售股份,其中意法半導體認購半數。

根據計劃,英諾賽科擬將約60%的募資資金所得款凈額用于擴大8英寸氮化鎵晶圓產能、購買及升級生產設備及機器以及招聘生產人員,計劃從截至2024年6月30日的每月12500片晶圓增加至未來五年的每月70000片晶圓。另外,募資資金所得款凈額約20%將用于研發和擴大氮化鎵產品組合,進一步提高終端市場中氮化鎵產品的滲透率;約10%用于擴大氮化鎵產品的全球分銷網絡;約10%用于營運資金及其他一般企業用途。



關鍵詞: 英諾賽科 氮化鎵

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